公开(公告)号：KR1020080022221A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020087002231

申请日：2006-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다타로 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: A metal film forming method is provided with a step of placing a subject, which is to be treated and has a recessed section formed on the surface, on a placing table in a treatment chamber; a step of exhausting the treatment chamber; a step of ionizing a metal target in an exhausted treatment chamber by plasma formed by bringing an inert gas into the plasma state, and generating metal particles including metal ions; and a step wherein a recessed ground portion is formed by grinding a bottom section of the recessed section by applying bias power on the subject placed on the placing table and pulling the plasma and the metal particles into the subject, and a metal film is formed over the entire surface of the subject including the surfaces in the recessed section and the recessed ground section. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 金属膜形成方法具有将待处理对象并且具有形成在表面上的凹部的放置在处理室中的放置台上的步骤; 排出处理室的步骤; 通过使惰性气体进入等离子体状态而形成的等离子体使排气处理室内的金属靶电离的工序，产生包含金属离子的金属粒子; 以及通过对放置在放置台上的被摄体上施加偏压力并将等离子体和金属粒子拉入被检体的方式，对凹部的底部进行研磨而形成凹陷接地部的工序，形成金属膜 被检体的整个表面包括凹部中的表面和凹入的接地部分。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR102118784B1

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：KR1020180027609

申请日：2018-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  사쿠마다카시 ,  야마사키히데아키 ,  시미즈리오 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102022762B1

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

公开(公告)号：KR101974715B1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR101941766B1

公开(公告)日：2019-01-23

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR1020170070852A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020170072206

申请日：2017-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H05F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/34 ,  H01L21/6833 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

Abstract: 플라즈마처리시의척력(흡착력)을충분히얻을수 있고, 잔류전하를적게해서파티클의발생량도억제하는것이가능한플라즈마처리방법을제공한다. 탑재대의상면에마련한정전척에피처리체를흡착시킨상태에서피처리체에대하여플라즈마처리를실시하도록한 플라즈마처리방법에있어서, 정전척에인가전압으로서제 1 전압을인가하여피처리체를흡착함과함께정전척과피처리체와의사이에열전도가스를공급한상태에서플라즈마처리를실시하는플라즈마처리공정과, 플라즈마처리공정의종료시에열전도가스의공급을정지하여정전척과기피처리체와의사이에잔류하는열전도가스를배기시키면서인가전압을저하시키도록한 인가전압저하공정과, 인가전압저하공정후에, 정전척으로의인가전압을제로로해서피처리체를정전척으로부터이탈시키도록한 이탈공정을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，其能够充分地获得等离子体处理时的排斥力（吸附力），并且通过减少残留电荷量来减少残留颗粒的量。 一种等离子体处理方法，其中待处理物体在待处理物体被吸附在设置在载置台的上表面上的静电吸盘中的同时经受等离子体处理， 为在卡盘和工件之间所提供的热传导性气体hansangtae进行等离子体处理静电等离子体处理步骤，以停止所述传热气体的供给在等离子体处理过程结束排出静电卡盘之间，以及防水处理构件之间保留的传热气体 在施加电压降低步骤之后，通过将施加到静电吸盘的电压设定为零，从静电吸盘释放待处理物体的释放步骤。

公开(公告)号：KR1020110130481A

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020117024195

申请日：2010-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  미야시타데츠야 ,  기무라노부키

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 정전척 위로부터 피처리체를 이탈시키는 피처리체의 이탈 방법을 개시한다. 이 이탈 방법은, 처리실을 배기하는 배기 기구에 전열 가스 공급 유로를, 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 접속하여, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이에서, 전열 가스 공급 유로 및 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 전열 가스를 배기하는 공정과, 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함한다. 그리고, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서 피처리체의 정전 흡착을 해제하여, 피처리체를 정전척 위로부터 이탈시킨다.

公开(公告)号：KR1020170131219A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207

Abstract: 패턴바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을제거할때에 CD 로스를억제한다. 소정패턴이형성된절연막을가지며, 패턴의바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을갖는피처리기판에있어서, 실리콘함유산화막을제거하는산화막제거방법은, 절연막의패턴을포함하는전면에, 카본원료가스를이용한 ALD에의해카본계보호막을성막하는공정과, 절연막의상면과패턴의바닥부의상기카본계보호막을이방성플라즈마처리에의해선택적으로제거하는공정과, 패턴의바닥부에형성된상기실리콘함유산화막을에칭에의해제거하는공정과, 카본계보호막의잔존부분을제거하는공정을갖는다.

Abstract translation: 当形成在图案底部的硅部分上的含硅氧化物膜被去除时，CD损失被抑制。 前具有形成有规定图案的绝缘层，在具有形成在图案底部的硅部分的含硅氧化物膜的基材，用于去除含氧化硅膜，包括绝缘膜的图案的氧化物膜去除方法中，所述碳源气体 到形成在步骤含硅的氧化膜，除去上表面上的底部，并通过各向异性等离子处理的上述绝缘膜的图案选择性的基于碳的保护膜的步骤，以及用于使用通过ALD形成的基于碳的保护膜的图案底部 并去除剩余部分的碳基保护膜。

公开(公告)号：KR101396624B1

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부(6)를 갖는 절연층(4)이 표면에 형성된 피처리체 W에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법이 개시된다. 오목부 내의 표면을 포함하는 피처리체의 표면에 Ti 함유 배리어층(12)을 형성하는 배리어층 형성 공정과, 배리어층상에 Ru 함유 시드층(16)을 CVD에 의해 형성하는 시드층 형성 공정과, 시드층상에 Cu 함유 보조 시드층(164)을 스퍼터링에 의해 형성하는 보조 시드층 형성 공정을 순차적으로 실행한다. 이에 따라, 피처리체 전면에 걸쳐, 선폭 또는 홀 직경이 작은 오목부 혹은 어스펙트비가 높은 오목부에 대하여 충분한 패딩을 행하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020140043877A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117804

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라사와다츠오 ,  요코야마오사무 ,  야스무로치아키 ,  후지사토도시아키 ,  요시다료타 ,  사쿠마다카시 ,  한천수

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/34 ,  H01L21/6833

Abstract: Provided is a plasma processing method capable of obtaining sufficient repulsion force (adhesion) when processing plasma, and suppressing the generation of particles by reducing residual charges. In this method, plasma processing is performed on a subject in a state that the subject is adsorbed onto an electrostatic chuck on the top of a tray. The methods comprises: a plasma processing process of performing plasma processing in a state that heat conduction gas is supplied between a subject and the electrostatic chuck while adsorbing the subject by applying a first voltage to the electrostatic chuck as an application voltage; an application voltage reduction process of reducing the application voltage while exhausting the heat conduction gas remaining between the subject and the electrostatic chuck by stopping supplying the heat conduction gas at the termination of the plasma processing process; and a separation process of separating the subject from the electrostatic chuck by making the application voltage to the electrostatic chuck become zero after the application voltage reduction process. [Reference numerals] (AA) Voltage of an electrostatic chuck; (BB) Pressure of heat conduction gas; (CC) High frequency power for plasma; (DD,EE) First voltage; (FF) (opening and closing switch → close); (GG) Separate a wafer by a lifter pin; (HH) Plasma processing method of the present invention

Abstract translation: 提供一种等离子体处理方法，其能够在处理等离子体时获得足够的排斥力（粘附），并通过减少残余电荷来抑制颗粒的产生。 在该方法中，在被检体吸附在托盘顶部的静电卡盘上的状态下，对被检体进行等离子体处理。 所述方法包括：等离子体处理过程，其在通过向所述静电卡盘施加第一电压作为施加电压而吸附被检体之间，在被检体和所述静电卡盘之间供给导热气体的状态下进行等离子体处理; 施加电压降低处理，其通过在等离子体处理过程的终止时停止供给导热气体而排出残留在被检体和静电卡盘之间的导热气体，同时降低施加电压; 以及通过使静电卡盘的施加电压在施加电压降低处理之后变为零而将被摄体与静电卡盘分离的分离处理。 （附图标记）（AA）静电卡盘的电压; （BB）导热气压力; （CC）等离子体的高频功率; （DD，EE）第一电压; （FF）（开关→关闭）; （GG）通过升降器引脚分离晶片; （HH）本发明的等离子体处理方法