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    Hybride topgraphische und chemische Vorstrukturen zur geführten Selbstorganisation von Block-Copolymeren
    11.
    发明专利
    Hybride topgraphische und chemische Vorstrukturen zur geführten Selbstorganisation von Block-Copolymeren 未知

    公开(公告)号：DE112016000434B4

    公开(公告)日：2024-12-12

    申请号：DE112016000434

    申请日：2016-02-08

    Applicant: IBM

    Inventor： CHENG JOY ,  TJIO MELIA ,  SINGH GURPREET ,  FRIZ ALEXANDER ,  SANDERS DANIEL PAUL ,  TSAI HSIN YU ,  BRINK MARKUS ,  GUILLORN MICHAEL ,  LIU CHI-CHUN ,  DOERK GREGORY

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H05K3/00

    Abstract: Ein Verfahren, das aufweist:i) Ausbilden einer Schicht (21), im Folgenden SA-Schicht genannt, die ein Material zur Selbstorganisation, im Folgenden SA-Material genannt, auf einer oberen Oberfläche einer hybriden Vorstruktur aufweist und Ausbilden einer Deckschicht (174), die auf einer oberen Oberfläche der SA-Schicht (21) angeordnet ist, wobeidas SA-Material zur Selbstorganisation zur Bildung einer phasengetrennten lamellaren Bereichsstruktur (31) mit einem charakteristischen Pitch Lo ausgebildet ist,die Vorstruktur auf einem Substrat (60) angeordnet ist,die obere Oberfläche (13) der Vorstruktur eine geometrische Hauptachse hat,die obere Oberfläche der Vorstruktur a) unabhängige erhöhte Oberflächen (13) durchsetzt mit benachbarten vertieften Oberflächen (14) und b) Seitenwände (18), die die erhöhten Oberflächen (13) mit den vertieften Oberflächen (14) verbinden, aufweist,das unter den erhöhten Oberflächen (13) der Vorstruktur liegende Material in einem bestimmten Ätzprozess einen höheren Ätzwiderstand im Vergleich zum Material hat, das unter den vertieften Oberflächen (14) der Vorstruktur liegt,eine bestimmte erhöhte Oberfläche (13) eine Breite WEhat, die als die Länge der bestimmten erhöhten Oberfläche (13) in einer Richtung senkrecht zur Hauptachse definiert ist,eine bestimmte vertiefte Oberfläche (14) eine Breite WRhat, die definiert ist als die Länge der vertieften Oberfläche (14) in einer Richtung senkrecht zur Hauptachse,WR+WEfür jedes Paar von benachbarten vertieften und erhöhten Oberflächen (13, 14) eine unabhängige Summe mit dem Wert von etwa nLo ist, wobei n eine Ganzzahl von 4 bis etwa 30 ist,WRvon wenigstens einer der vertieften Oberflächen (14) größer als etwa 2 Lo ist,WEvon wenigstens einer der erhöhten Oberflächen (13) größer als etwa 2 Lo ist,eine jede der Seitenwände (18) eine unabhängige Höhe HNvon etwa 0,1 Lo bis etwa 2 Lo hat,die SA-Schicht (21) mit den erhöhten Oberflächen (13), den vertieften Oberflächen (14) und den Seitenwänden (18) der Vorstruktur in Kontakt steht, unddie SA-Schicht (21) eine obere Oberfläche in Kontakt mit der obersten Beschichtung hat;ii) Ermöglichen oder Induzieren der Selbstorganisation des SA-Materials, wodurch eine selbstorganisierte SA-Schicht (21) ausgebildet wird, die die lamellare Bereichsstruktur aufweist, wobei die Bereichsstruktur alternierende Bereiche (32, 33) aufweist, die jeweils chemisch unterschiedliche Komponenten des SA-Materials aufweisen, wobei ein jeder der Bereiche eine Vielzahl von Lamellen aufweist, wobeidie erhöhten Oberflächen (13) neutral-benetzend für die Bereiche (32,33) sind,eine jede der erhöhten Oberflächen (13) wenigstens eine der Lamellen eines jeden der Bereiche (32, 33) berührt,eine jede der Lamellen in Kontakt mit einer bestimmten erhöhten Oberfläche (13) der Vorstruktur a) senkrecht zur gegebenen erhöhten Oberfläche (13) ausgerichtet ist, b) in Kontakt mit der Deckschicht über der bestimmten erhöhten Oberfläche (13) steht, und c) entlang der Hauptachse der Vorstruktur ausgerichtet ist.iii) selektives Entfernen von einem der Bereiche (32, 33) mithilfe eines Ätzprozesses, wodurch eine geätzte Bereichsstruktur ausgebildet wird, die die Lamellen eines verbleibenden Bereichs aufweist; undiv) selektives Übertragen der geätzten Bereichsstruktur in das Material mit einem höherem Ätzwiderstand unter den erhöhten Oberflächen (13) mithilfe eines zweiten Ätzprozesses, wodurch eine Übertragungsstruktur ausgebildet wird, die topographische Merkmale aufweist, die Material mit einem höheren Ätzwiderstand aufweisen.

    Estruturas de sintonia de frequência qubit e métodos de fabricação para dispositivos de computação quântica flip chip
    13.
    发明专利
    Estruturas de sintonia de frequência qubit e métodos de fabricação para dispositivos de computação quântica flip chip 未知

    公开(公告)号：BR112021020936A2

    公开(公告)日：2022-01-25

    申请号：BR112021020936

    申请日：2020-04-15

    Applicant: IBM

    Inventor： SHAO DONGBING ,  SOLGUN FIRAT ,  JARED BARNEY HERTZBERG ,  BRINK MARKUS

    IPC: H01L39/22 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/00

    Abstract: estruturas de sintonia de frequência qubit e métodos de fabricação para dispositivos de computação quântica flip chip. um dispositivo de computação quântica inclui um primeiro chip com um primeiro substrato e um ou mais qubits descartados no primeiro substrato. cada um ou mais qubits tem uma frequência de ressonância associada. o dispositivo de computação quântica inclui ainda um segundo chip com um segundo substrato e pelo menos uma superfície condutora descartada no segundo substrato oposto ao um ou mais qubits. a pelo menos uma superfície condutora tem pelo menos uma dimensão configurada para ajustar a frequência de ressonância associada a pelo menos um ou mais qubits a um determinado valor de ajuste de frequência.

    THROUGH-SILICON-VIA FABRICATION IN PLANAR QUANTUM DEVICES
    14.
    发明专利
    THROUGH-SILICON-VIA FABRICATION IN PLANAR QUANTUM DEVICES 未知

    公开(公告)号：SG11202109843RA

    公开(公告)日：2021-10-28

    申请号：SG11202109843R

    申请日：2020-03-20

    Applicant: IBM

    Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARVIND

    IPC: G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L23/532 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

    Abstract: On a first superconducting layer deposited on a first surface of a substrate, a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer deposited on a second surface of the substrate, a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via (TSV).

    Hybride topgraphische und chemische Vorstrukturen zur geführten Selbstorganisation von Block-Copolymeren
    15.
    发明专利
    Hybride topgraphische und chemische Vorstrukturen zur geführten Selbstorganisation von Block-Copolymeren 未知

    公开(公告)号：DE112016000434T5

    公开(公告)日：2017-10-05

    申请号：DE112016000434

    申请日：2016-02-08

    Applicant: IBM

    Inventor： TJIO MELIA ,  TSAI HSIN YU ,  BRINK MARKUS ,  GUILLORN MICHAEL ,  DOERK GREGORY ,  CHENG JOY ,  SINGH GURPREET ,  FRIZ ALEXANDER ,  SANDERS DANIEL PAUL ,  LIU CHI-CHUN

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H05K3/00

    Abstract: Hybride Vorstrukturen wurden zur geführten Selbstorganisation eines bestimmten Block-Copolymers hergestellt, das dazu ausgestaltet ist, eine lamellare Bereichsstruktur zu bilden. Die hybriden Vorstrukturen haben obere Oberflächen, die unabhängige erhöhte Oberflächen durchsetzt mit angrenzenden vertieften Oberflächen aufweisen. Die erhöhten Oberflächen sind für die durch Selbstorganisation gebildeten Bereiche neutral-benetzend. Das Material unter den erhöhten Oberflächen weist in einem bestimmten Ätzprozess einen höheren Ätzwiderstand als das Material unter den vertieften Oberflächen auf. Unter Berücksichtigung anderer abmessungsbezogenen Randbedingungen der hier beschriebenen hybriden Vorstruktur wurde eine Schicht des bestimmten Block-Copolymers auf der hybriden Vorstruktur ausgebildet. Die Selbstorganisation der Schicht erzeugte eine lamellare Bereichsstrukur, die selbst-ausgerichtete, unidirektionale, senkrecht ausgerichtete Lamellen über den erhöhten Oberflächen und parallel und/oder senkrecht ausgerichtete Lamellen über vertieften Oberflächen aufwies. Die dargestellten Bereichsstrukturen besitzen eine großräumige Ordnung und sind entlang der Hauptachse der Vorstruktur angeordnet. Die lamellaren Bereichsstrukturen sind zur Bildung von Übertragungsstrukturen zweckdienlich, die zweidimensionale angepasste Merkmale aufweisen.

    Niederenergie-Ätzverfahren für eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht
    16.
    发明专利
    Niederenergie-Ätzverfahren für eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht 未知

    公开(公告)号：DE112012004488T5

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：DE112012004488

    申请日：2012-10-25

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： BRINK MARKUS ,  BRUCE ROBERT L ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  MIYAZOE HIROYUKI ,  NAKAMURA MASAHIRO

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Auf einem Substrat wird ein Stapel gebildet, der von unten nach oben eine stickstoffhaltige dielektrische Schicht, eine Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material und eine Hartmaskenschicht aufweist. Die Hartmaskenschicht und die Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material werden durch eine Ätzung strukturiert. Die stickstoffhaltige dielektrische Schicht wird unter Einsatz der strukturierten Hartmaskenschicht als Ätzmaske durch eine anisotrope Durchbruchätzung strukturiert, die ein Fluorkohlenwasserstoff-enthaltendes Plasma einsetzt, um durch die stickstoffhaltige dielektrische Schicht zu brechen. Fluorkohlenwasserstoff-enthaltende Gase, die zum Erzeugen des Fluorkohlenwasserstoff-enthaltenden Plasmas verwendet werden, erzeugen einen kohlenstoffreichen Polymerrückstand, der mit der stickstoffhaltigen dielektrischen Schicht wechselwirkt, um flüchtige Verbindungen zu bilden. Die Plasmaenergie kann auf unter 100 eV gesenkt werden, um eine Schädigung von physisch freigelegten Oberflächen der Verbindungsebene-Schicht aus dielektrischem Material zu verringern.

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