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    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
    11.
    发明专利
    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben 未知

    公开(公告)号：DE102015213757B4

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：DE102015213757

    申请日：2015-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

    Abstract: Mikromechanische Struktur, umfassend: ein Substrat; und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist; wobei die funktionelle Struktur ein funktionelles Gebiet umfasst, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist; wobei die funktionelle Struktur eine leitfähige Basisschicht umfasst, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist; und wobei das leitfähige Basisschichtmaterial sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff-Material umfasst, so dass eine Kohlenstoff-Konzentration des Kohlenstoff-Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 Teilchen pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion; wobei die Versteifungssektion ein integraler Bestandteil der leitfähigen Basisschicht ist, so dass die Versteifungssektion dieselbe Dicke aufweist wie die leitfähige Basisschicht angrenzend an die Versteifungssektion innerhalb eines Toleranzbereichs, so dass eine relative Dickenvariation kleiner ist, als 10%.

    Systeme und Verfahren zum Messen unter Verwendung einer Kopplungsstruktur
    12.
    发明专利
    Systeme und Verfahren zum Messen unter Verwendung einer Kopplungsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102015111345A1

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：DE102015111345

    申请日：2015-07-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  JAKOBY BERNHARD

    IPC: G01N21/31

    Abstract: Ein Sensorsystem (200) mit Kopplungsstrukturen (202; 206) wird offenbart. Das System (200) weist eine Eingangs-Kopplungsstruktur (202), einen Wechselwirkungsbereich (204) und eine Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) auf. Die Eingangs-Kopplungsstruktur (202) ist ausgestaltet, um ein emittiertes Licht mit einer ausgewählten Kopplungseffizienz zu empfangen, und kann ein Filtern des emittierten Lichts für eine ausgewählte Wellenlänge bereitstellen. Der Wechselwirkungsbereich (204) ist mit der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) gekoppelt und ausgestaltet, damit das Licht von der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) mit einer Probe (212) eine Wechselwirkung aufweist. Die Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) ist mit dem Wechselwirkungsbereich (204) gekoppelt und ausgestaltet, um das Licht nach der Wechselwirkung von dem Wechselwirkungsbereich (204) dem Detektor (210) bereitzustellen.

    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen, Mikrofon und mobiles Gerät
    13.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen, Mikrofon und mobiles Gerät 未知

    公开(公告)号：DE102015101894A1

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：DE102015101894

    申请日：2015-02-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Herstellung von Mikrofonstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren kann Folgendes aufweisen: Bereitstellen eines Substrats, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich und einen äußeren Bereich aufweist, der den inneren Bereich seitlich umgibt, wobei der innere Bereich mehrere Mikrofonbereiche aufweist, wobei jedes Mikrofon für ein Mikrofon von den mehreren Mikrofonen bereitgestellt wird (S2); Bilden mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofone in den Mikrofonbereichen auf der Vorderseite des Substrats (S4); Bilden einer Aussparung von der Rückseite des Substrats, wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich seitlich überlappt (S8); Bilden mehrerer Hohlräume in einem Boden der Aussparung, wobei jeder Hohlraum von den mehreren Hohlräumen in einem der Mikrofonbereiche gebildet wird (S10); Bearbeiten der Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum aufweist; und Trennen der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander (S12).

    Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Halbleiterchips
    14.
    发明专利
    Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017110086B4

    公开(公告)日：2022-05-12

    申请号：DE102017110086

    申请日：2017-05-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  OTTOWITZ MARKUS ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

    IPC: H01L21/304 ,  B23K26/50 ,  H01L21/301 ,  H01L21/687

    Abstract: Verfahren, die folgenden Schritte umfassend:Bereitstellen eines Wafers auf einem Träger; Abdecken eines Waferzentralteils des Wafers durch Setzen einer Maskierungsvorrichtung über den Waferzentralteil des Wafers und Freilassen eines Raumes zwischen einer Oberfläche des Waferzentralteils des Wafers und der Maskierungsvorrichtung;Beaufschlagen des Raumes zwischen der Oberfläche des Waferzentralteils und der Maskierungsvorrichtung mit Druck; und Schneiden eines Waferrandteils des Wafers vom Wafer, wobei eine Steifigkeit der Maskierungsvorrichtung größer als eine Steifigkeit des Waferzentralteils des Wafers ist, wobei die Maskierungsvorrichtung eine Öffnung umfasst, die als eine Führung für ein Gas und/oder Fluid ausgelegt ist, und wobei Druckbeaufschlagen des Raumes zwischen der Oberfläche des Waferzentralteils und der Maskierungsvorrichtung das Zuführen des Gases und/oder Fluids durch die Öffnung und in den Raum zwischen der Oberfläche des Waferzentralteils des Wafers und der Maskierungsvorrichtung umfasst.

    MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND EIN VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MIKROELEKTROMECHANISCHEN VORRICHTUNG
    15.
    发明专利
    MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND EIN VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MIKROELEKTROMECHANISCHEN VORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102017112403A1

    公开(公告)日：2017-12-14

    申请号：DE102017112403

    申请日：2017-06-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HEDENIG URSULA ,  BERGMEISTER MARKUS ,  GRILLE THOMAS

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R31/00

    Abstract: Verfahren (101) zum Herstellen einer mikroelektromechanischen Komponente, wobei das Verfahren (101) Folgendes umfassen kann: Ausbilden einer Maske über einer Schicht, wobei die Maske eine strukturierte Fläche umfasst (150); Erwärmen eines Gebiets der Maske, das die strukturierte Fläche umfasst, über eine Glasübergangstemperatur der Maske, um Kanten der strukturierten Fläche zu glätten, damit eine geriffelte Fläche ausgebildet wird (160); Ätzen der mit der Maske bedeckten Schicht, wobei das Ätzen die Maske entfernt, um die geriffelte Fläche der Maske auf die Schicht zu übertragen und eine geriffelte Fläche der Schicht auszubilden (170); Ausbilden einer Membran über der Schicht, um ein geriffeltes Gebiet der Membran auszubilden, das zum Betätigen ausgelegt ist (180); und Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Komponente, die zu mindestens einem von den Folgenden ausgelegt ist: Bereitstellen einer Kraft zum Betätigen der Membran als Antwort auf ein elektrisches Signal, das an die elektrisch leitfähige Komponente gesendet wird, und Bereitstellen eines elektrischen Signals als Antwort auf eine Betätigung der Membran. (190)

    Verfahren zur gleichzeigen Strukturierung und Chip-Vereinzelung
    17.
    发明专利
    Verfahren zur gleichzeigen Strukturierung und Chip-Vereinzelung 未知

    公开(公告)号：DE102015200629A1

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：DE102015200629

    申请日：2015-01-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

    IPC: H01L21/301 ,  B81C1/00 ,  H01L21/58

    Abstract: Ein Verfahren zur Strukturierung eines Substrats und ein strukturiertes Substrat werden geoffenbart. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren: Vorsehen eines Substrats mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, wobei das Substrat an einer Trägeranordnung an der zweiten Hauptfläche fixiert ist; Vornehmen eines Fotolithografieschritts an der ersten Hauptfläche des Substrats, um eine Mehrzahl von Stellen auf der ersten Hauptfläche zu markieren, wobei die Mehrzahl von Stellen zukünftigen Perforationsstrukturen und zukünftigen Einschnittgebieten für eine Mehrzahl von zukünftigen einzelnen Halbleiterchips entspricht, die aus dem Substrat zu erhalten sind; und Plasmaätzen des Substrats an der Mehrzahl von Stellen, bis die Trägeranordnung erreicht wird, wodurch die Perforationsstrukturen innerhalb der Mehrzahl von einzelnen Halbleiterchips erzeugt werden, und gleichzeitiges Trennen der einzelnen Halbleiterchips entlang der Einschnittgebiete

    Optoelektronischer Sensor
    19.
    发明专利
    Optoelektronischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE112013004299B4

    公开(公告)日：2021-12-30

    申请号：DE112013004299

    申请日：2013-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

    Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

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