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    Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten
    11.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten 未知

    公开(公告)号：DE102010032041A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102010032041

    申请日：2010-07-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  RAMCHEN JOHANN ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

    IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement
    12.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010031732A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102010031732

    申请日：2010-07-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/52

    Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    18.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102015108345A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：DE102015108345

    申请日：2015-05-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BECKER DIRK ,  BARCHMANN BERND ,  HOXHOLD BJÖRN ,  SCHLOSSER PHILIPP ,  WALDSCHIK ANDREAS

    IPC: H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 µm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).

    Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
    19.
    发明专利
    Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses 未知

    公开(公告)号：DE102012110261A1

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：DE102012110261

    申请日：2012-10-26

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BARCHMANN BERND ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  PREUSS STEPHAN

    IPC: H01L23/36 ,  H01L23/495 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01S5/024

    Abstract: Es wird ein für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehenes Gehäuse (1) angegeben, das einen Leiterrahmen (2), einen thermischen Anschluss (3) und einen Formkörper (4) aufweist, bei dem der Leiterrahmen eine erste Elektrode (21) und eine von der ersten Elektrode lateral beabstandete zweite Elektrode (22) enthält, wobei die erste Elektrode eine Befestigungsfläche (211) für das Bauelement an einer Vorderseite (11) des Gehäuses bildet; der thermische Anschluss auf einer der Befestigungsfläche abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist, wobei der thermische Anschluss an einer Rückseite (12) des Gehäuses eine thermische Kontaktfläche (32) bildet, die von der ersten Elektrode elektrisch isoliert ist; und die erste Elektrode und die zweite Elektrode mittels des Formkörpers miteinander mechanisch verbunden sind, wobei sich die erste Elektrode und die zweite Elektrode in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise durch den Formkörper hindurch erstrecken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Gehäuses angegeben.

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