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公开(公告)号：CN106153026B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510144495.X
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5621
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，具体涉及一种微机电陀螺。一种音叉型微机电陀螺，其中，包括驱动部分、检测部分、驱动检测转接部分和双质量块耦合部分，在布局上呈左右对称布置，并且左部分或右部分呈上下对称布置，左部分或右部分均包括驱动部分、检测部分、驱动检测转接部分和双质量块耦合部分。本发明的效果是：能够抑制耦合误差，减小能量损失、获取高灵敏度，解决无耦合和低耦合引起的相差、频差难题，提高陀螺的环境适应能力。
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公开(公告)号：CN105571612B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410554776.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明是一种用于MEMS陀螺结构关键参数自动测试方法。所述方法包括如下步骤：步骤1)在MEMS陀螺驱动模态的驱动结构电极上施加白噪声电压激励产生驱动力；步骤2)将MEMS陀螺驱动模态的振动拾取结构电极连接前置读出电路；所述响应曲线采集到数字信号处理器中进行FFT处理，获得驱动模态的谐振频率fd；步骤3)以步骤2)得到的谐振频率fd构造正弦波，施加在驱动模态的驱动结构电极上，在确定陀螺起振后，采集驱动模态和检测模态前置读出电路的输出电压，获得耦合比；步骤4)撤除正弦波激励，由衰减曲线计算出驱动模态的品质因数Qd。可以自动测试谐振频率、品质因数和耦合电压比、位移比等结构关键参数。
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公开(公告)号：CN105712283A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410720844.3
申请日：2014-12-02
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明属于封装领域，具体涉及一种LCC封装应力释放结构。一种LCC封装应力释放结构，包括与芯片外形匹配的应力释放结构，应力释放结构上设置锚点和支撑点，锚点和支撑点之间通过连接梁连接。本发明的效果是：1)在不改变原有LCC壳体材料、增大工艺成本的前提下，通过应力释放结构能够有效降低因材料热膨胀系数不匹配导致的热应力。2)在不显著增大体积的前提下，通过位于LCC壳体内部的应力释放结构能够有效隔离和衰减外界振动、冲击等力学输入，降低机械应力、防护芯片，提升系统的力学环境适应性。
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公开(公告)号：CN105424020A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510727774.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/5747
Abstract: 本发明属于敏感结构，具体涉及一种带解耦功能的音叉型微机电陀螺敏感结构。一种带解耦功能的音叉型微机电陀螺敏感结构，呈左右对称分布，左右半边主体结构均由驱动框、驱动检测转接框、检测框三框组成，其中驱动框设置在最外侧，检测框在最内侧，驱动检测转接框设置在中间，左右半边主体通过驱动框和驱动检测转接框连接为一个整体；驱动检测转接框上设有正交耦合误差抑制结构。本发明的效果是：本发明采用对称式三框设计，即驱动框、驱动检测转接框、检测框，同时采用单自由度梁连接各框，进而限定各框和质量块的运动自由度，实现了驱动与检测之间的双向解耦，能够在很大程度上抑制耦合误差。
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公开(公告)号：CN103213939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102010135B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C17/40
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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公开(公告)号：CN102040186A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010538418.X
申请日：2010-11-09
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。
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公开(公告)号：CN102009945A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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公开(公告)号：CN102020235B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010540089.2
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于气密性封装技术领域，具体涉及一种TO封装结构低水汽含量封装方法及其封装组件。其特点在于：在TO封装组件的底座上设计了充气孔，用于除气、充气处理和封焊焊缝的漏率检测，充气孔的设计改变了TO组件传统的封装方式。在带有充气孔结构的TO组件的基础上，本发明采用了一种两次封焊实现密封的TO封装组件封装方法。解决了TO封装结构低水汽含量封装的难题，封装体内部的水汽含量可以控制在500×10-6以内，气体纯度控制在99％以上，可以控制封装体内部的压力，对于低真空封装的产品，气压控制精度在±100Pa以内，并且可以对封装体进行精确的漏率检测，具有很高的效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN105424020B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510727774.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5747
Abstract: 本发明属于敏感结构，具体涉及一种带解耦功能的音叉型微机电陀螺敏感结构。一种带解耦功能的音叉型微机电陀螺敏感结构，呈左右对称分布，左右半边主体结构均由驱动框、驱动检测转接框、检测框三框组成，其中驱动框设置在最外侧，检测框在最内侧，驱动检测转接框设置在中间，左右半边主体通过驱动框和驱动检测转接框连接为一个整体；驱动检测转接框上设有正交耦合误差抑制结构。本发明的效果是：本发明采用对称式三框设计，即驱动框、驱动检测转接框、检测框，同时采用单自由度梁连接各框，进而限定各框和质量块的运动自由度，实现了驱动与检测之间的双向解耦，能够在很大程度上抑制耦合误差。
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