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公开(公告)号：KR1020090088815A
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：KR1020090011848
申请日：2009-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L27/105 , H01L27/1052 , G03F7/70433 , H01L21/3086
Abstract: A method for forming a pattern, and a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to simplify a manufacturing process and to reduce a manufacturing cost by forming a fine pattern thinner than the exposure limit. A first pattern is formed by patterning a first mask material layer comprised of the photoresist(201). A width of a first pattern is reduced and a predetermined width is formed in a trimming process(202). A boundary layer made of the material removed selectively by the photoresist is formed in the surface of the first pattern(203). A second mask material layer made of the material to selectively remove the boundary layer is formed in the surface of the boundary layer. A part of the second mask material layer is removed to expose the upper part of the boundary layer(205). A second pattern with the second mask material layer in the upper part is formed in a boundary layer etching process(206).
Abstract translation: 提供一种形成图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法和装置，以简化制造工艺并通过形成比暴露极限更薄的精细图案来降低制造成本。 通过图案化由光致抗蚀剂（201）构成的第一掩模材料层来形成第一图案。 第一图案的宽度减小，并且在修剪处理（202）中形成预定宽度。 由第一图案（203）的表面形成由光致抗蚀剂选择性地除去的材料制成的边界层。 在边界层的表面形成由选择性去除边界层的材料制成的第二掩模材料层。 去除第二掩模材料层的一部分以暴露边界层（205）的上部。 在边界层蚀刻工艺（206）中形成具有上部的第二掩模材料层的第二图案。
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公开(公告)号：KR100698352B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020060068647
申请日：2006-07-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41
Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.
Abstract translation: 提供一种气体供应单元，用于将惰性气体供应到由涂布和显影系统中的边界板划分的每个区域中，即在盒台，处理台和接口单元的上方。 在每个区域下方设置用于排出每个区域中的气氛的排气管。 将不含氧等杂质的惰性气体和不含颗粒的惰性气体供应到每个气体供应单元中，并且将每个区域中的气氛排出到排气管以保持每个区域中的气氛清洁。
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公开(公告)号：KR101971098B1
公开(公告)日：2019-04-22
申请号：KR1020180058989
申请日：2018-05-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR1020160108351A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020167019174
申请日：2015-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/2063 , G03F7/40 , G03F7/70483 , G03F7/70508
Abstract: 본발명은, 레지스트패턴을형성하는데 있어서, 패턴의선 폭에대하여해상도가높고, 웨이퍼 W 위에서의높은면내균일성이얻어지는기술을제공하는것을과제로한다. 레지스트막을기판위에형성하고, 패턴노광기 C6에의한패턴노광을행한후에, 일괄노광장치(1)를사용해서패턴노광영역의전체를노광한다. 이때, 사전에검사장치[861(862)]로부터얻어진레지스트패턴의선 폭의면 내분포의정보에기초하여, 웨이퍼 W 위의노광위치에따라서노광량을조정한다. 노광량의조정방법으로서는, 웨이퍼 W의직경에대응하는띠 형상의조사영역을이동시키면서노광량을조정하는방법, 패턴노광의샷 영역에따른조사영역을간헐적으로이동시켜서각 칩에대한노광량을조정하는방법등을들 수있다.
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公开(公告)号：KR1020150124950A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020157022381
申请日：2014-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/311 , H01L21/3105 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02348 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05C11/1015 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 본발명은, 표면에패턴이형성된기판상에유기막을형성하는것으로, 기판상에유기재료를도포하고, 그후, 이유기재료를열처리하여기판상에유기막을형성하고, 그후, 이유기막에대해자외선조사처리를행하여, 당해유기막의표면을소정의깊이까지제거하도록하여, 기판상에유기막을적절하고또한효율적으로형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140109816A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020140023473
申请日：2014-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/405 , H01L21/0274
Abstract: The objective of the present invention is to properly or efficiently form a photoresist pattern on a substrate. A first resist pattern (402) is formed on the wafer (W) [(a) of fig 8], by performing a photolithography process on a wafer (W). Alcohol is injected to the middle exposure region (403) of the side of the first resist pattern (402). Also, a metal is eroded by the alcohol in the middle exposure region (403) [(b) of fig 8]. A second resist pattern (406) is formed on the wafer (W) [(c) of fig 8], by removing a non-exposure region (404) which is the inside of the middle exposure region (403) in the first resist pattern (402) and has a metal to be not eroded. A preset pattern (408) is formed in an object layer (400) [(d) of fig 8], by performing an etching process on the object layer (400) by using the second resist pattern (406) as a mask.
Abstract translation: 本发明的目的是在衬底上正确或有效地形成光致抗蚀剂图案。 通过在晶片（W）上进行光刻工艺，在晶片（W）上形成第一抗蚀剂图案（402）（图8的（a））。 将醇注入第一抗蚀剂图案（402）侧的中间曝光区域（403）。 此外，在图8的中间曝光区域（403）[（b）]中，金属被腐蚀。 通过去除作为第一抗蚀剂中的中间曝光区域（403）的内部的非曝光区域（404），在图8的（...）晶片（W）上形成第二抗蚀图案（406） 图案（402）并且具有不被腐蚀的金属。 通过使用第二抗蚀剂图案（406）作为掩模，通过对对象层（400）进行蚀刻处理，在图8的（d）的对象层（400）中形成预设图案（408）。
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公开(公告)号：KR1020140019741A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020130090350
申请日：2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: The present invention is to remove particles attached to a substrate while preventing the erosion of an underlayer or pattern damage. According to the embodiment, a substrate cleaning device comprises a first solution supply part and a second solution supply part. The first solution supply part supplies a process solution for forming a layer on the substrate and including a volatile component to the substrate. The second solution supply part supplies a removal solution for removing all process solution including a solidified or a harden process solution supplied by the first solution supply part from the substrate. [Reference numerals] (9) Decompression device
Abstract translation: 本发明是为了除去附着在基材上的颗粒，同时防止底层或图案损伤的侵蚀。 根据实施例，基板清洗装置包括第一溶液供给部和第二溶液供给部。 第一溶液供应部件提供用于在基板上形成层并且包含挥发性组分的工艺解决方案。 第二溶液供应部件提供去除溶液，用于从基材除去包括由第一溶液供应部分提供的固化或硬化工艺溶液的所有工艺溶液。 （附图标记）（9）减压装置
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公开(公告)号：KR101059174B1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020090007118
申请日：2009-01-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: (과제) 패턴 붕괴를 일으키는 일 없이, 레지스트 패턴을 슬림화하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지층(1)상에 레지스트층(3)을 형성하는 공정과, 레지스트층(3)에 가용층(3a) 및 불용층(3b)의 패턴으로 이루어지는 노광 패턴을 얻는 공정과, 노광 패턴이 형성된 레지스트층(3)으로부터 가용층(3a)을 제거하여, 레지스트 패턴(3c)을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴(3c)으로부터 중간 노광 영역(3d)을 제거하는 공정과, 중간 노광 영역(3d)이 제거된 레지스트 패턴(3c)에, 이 레지스트 패턴(3c)을 가용화시키는 가용화 물질을 발생시키는 반응 물질을 도입하여, 중간 노광 영역(3d)이 제거된 레지스트 패턴(3c)의 표면에 새로운 가용층(3e)을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴(3c)으로부터 새로운 가용층(3e)을 제거하는 공정을 구비한다.
하지층, 레지스트층, 가용화 물질-
公开(公告)号：KR1020090093802A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020090007118
申请日：2009-01-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: A method of manufacturing a semiconductor apparatus, and system for processing application and development of resist are provided to reduce the manufacturing cost and improve throughput. The resist layer(3) is formed on the under layer(1). The exposure pattern consisting of the pattern of the disuse layer(3b) and insoluble layer(3a) is formed on the resist layer. The insoluble layer is removed from the resist layer to form the resist pattern(3c). The middle exposure region(3d) is removed from the resist pattern. The new insoluble layer(3e) is formed in the surface of the resist pattern in which reactant is introduced. The new insoluble layer is removed from the resist pattern.
Abstract translation: 提供一种制造半导体装置的方法以及用于处理抗蚀剂的应用和开发的系统，以降低制造成本并提高生产量。 抗蚀剂层（3）形成在下层（1）上。 在抗蚀剂层上形成由废用层（3b）和不溶层（3a）的图案组成的曝光图案。 从抗蚀剂层除去不溶层以形成抗蚀剂图案（3c）。 中间曝光区域（3d）从抗蚀剂图案中去除。 在其中引入反应物的抗蚀剂图案的表面中形成新的不溶层（3e）。 从抗蚀剂图案中除去新的不溶层。
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公开(公告)号：KR100870806B1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020067027903
申请日：2005-06-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 피처리체 상에 배치된 피에칭막(74) 상에 소정의 개구 패턴을 갖는 에칭 마스크(75b)를 형성한다. 다음에, 제 1 처리실 내에 있어서, 에칭 마스크(75b)의 개구 패턴을 통해 피에칭막(74)에 에칭 처리를 실시하는 것에 의해, 피에칭막에 홈 또는 구멍(78a)을 형성한다. 다음에, 에칭 처리 후의 피처리체를, 진공 분위기 하에서 제 1 처리실로부터 제 2 처리실로 반송한다. 다음에, 제 2 처리실 내에 있어서, 피에칭막(74)의 노출부인 홈 또는 구멍(78a)의 측면부에 실릴화 처리를 실시한다.
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