Abstract:
본 발명은 고 반복율 고전력 출력 빔(38)을 발생하는 모듈러, 고 반복율, 자외선 가스 방전 레이저 시스템(도 1)을 위한 수명이 긴 광학기구를 제공한다. 본 발명은 프로토타입 레이저 시스템의 출력 빔(14C)의 고 펄스 강도 섹션(10)(26)에 위치된 CaF 2 광학기구(4260)(422)(424)(426)상에서의 표면 손상 문제에 대해 본원인에 의해 발견된 해결책을 포함한다. 실시예는 수십억 출력 레이저 펄스(38)의 빔 운반을 위한 빔 포인팅 컨트롤(40A)(40B)(6)에 의한 인클로우징된(4) 및 퍼지된 빔 경로(14C)를 포함한다. 본원에 설명된 광학 컴포넌트 및 모듈은 수십억 펄스(14A)에 대해 3.5 x10 6 Watts/㎠ 이상의 피크 강도 및 1.75 x 10 6 Watts/㎠ 이상의평균 출력 펄스 강도로 200nm 이하의 파장을 갖춘 자외선 레이저 출력 펄스(14A)를 제어할 수 있는 데 이는 상기 펄스 강도에서 수분 후엔 고장나는 종래기술의 광학 컴포넌트 및 모듈과 비교된다.
Abstract:
약 0.6pm이하의 대역폭을 가지고 1000Hz에서 10mJ 레이저 펄스를 생성할 수 있는 신뢰성있고 모듈화되고 생성력이 우수한 협대역 KrF 엑시머 레이저. 본 발명은 특히 집적회로의 리소그래피 제조에서의 장기간의 24 시간 연속동작에 적합하다. 종래 레이저보다 향상된 것은 단일 업스트림 예비전리기 튜브 및 음향 배플을 포함하는 것이다. 바람직한 실시예는 감소된 플루오르 농도, 블로워 베이링 상에 공기역학적 반작용력을 감소시키도록 형상화된 애노드 지지바, 빠른 펄스 상승 시간을 제공하는 변형된 펄스 전력 시스템, 실질적으로 증가된 반사율을 갖는 출력 커플러, CaF 프리즘 빔 익스팬더를 구비한 라인 협소화 모듈, 더욱 정확한 파장계, 새롭고 향상된 펄스 에너지 제어 알고리즘으로 프로그래밍된 레이저 컴퓨터 컨트롤러를 포함한다.
Abstract:
A method and apparatus may comprise a line narrowed pulsed excimer or molecular fluorine gas discharge laser system which may comprise a seed laser oscillator producing an output comprising a laser output light beam of pulses which may comprise a first gas discharge excimer or molecular fluorine laser chamber; a line narrowing module within a first oscillator cavity; a laser amplification stage containing an amplifying gain medium in a second gas discharge excimer or molecular fluorine laser chamber receiving the output of the seed laser oscillator and amplifying the output of the seed laser oscillator to form a laser system output comprising a laser output light beam of pulses, which may comprise a ring power amplification stage wherein the output of the seed laser oscillator passes through the amplifying gain medium of the ring power amplification stage at least two times per loop.
Abstract:
협대역 레이저의 파장을 측정하고 조절하는 파장 시스템. 시스템은 파장에서의 증분 변화를 측정하는 웨이브미터(120)와 웨이브미터(120)를 측정하는 원자 파장 기준(190)을 포함한다. 원자 파장 기준(190)은 원하는 동작 파장에 가까운 적어도 하나의 흡수선을 가진 증기를 제공하는 증기셀(194)을 포함한다. 시스템은 웨이브미터(120)를 측정하기 위해 흡수선의 파장에서 동작하는 레이저를 조정하기에 충분한 조정 범위를 가진 파장 조정 장치(36)를 포함한다. 바람직한 실시예에서 레이저는 ArF 레이저이고 증기는 백금이며 흡수선은 193,224.3pm이거나 293,436.9이다. 종래의 기술 장치에 대한 개선점은 엘라스토머를 사용하지 않고 에탈론에 대한 저응력 3점 현수 지지부를 제공하는 지지 플랜지를 가진 개선된 에탈론을 포함한다. 협대역 레이저, 파장 시스템, 웨이브 미터, 원자 파장 기준, 흡수선, 증기셀, 엘라스토머
Abstract:
마스크(36) 근처의 노광 시스템내에 위치된 제 1 광 강도 검출기(44) 및 레이저(12)의 출력부 근처에 위치된 제2 광 강도 검출기(46)를 구비한 스테퍼(20) 또는 스캐너와 같은 레이저가 조명되는 웨이퍼 노광 시스템. 피드백 제어 시스템은 상기 검출기중 적어도 하나에 의해 검출된 신호에 근거하여 레이저의 출력을 제어한다. 피드백 제어 시스템은 버스트 모드에서 동작하는 레이저에 마스크에서의 요구되는 강도를 가진 광 펄스를 제공하기 위해 레이저 방전 전압을 제어하기 위해 사용되는 알고리즘으로 프로그래밍된 프로세서를 포함한다. 상기 알고리즘은 적어도 다음의 파라미터를 사용한다; 이전에 측정된 펄스 에너지, 계산된 에너지 에러, 계산된 선량 에러, 전압을 갖는 펄스 에너지의 변화율에 대한 값, 및 적어도 하나의 기준 전압. 바람직한 실시예에서, 알고리즘은 레이저의 출력이 소정 범위내에서 유지되도록 하기 위해 레이저의 출력부에서 피드백 제어를 제공하여 광 강도 검출기를 사용하도록 마스크 근처에 위치된 광 강도 검출기로 측정된 펄스 에너지를 사용한다.
Abstract:
본 발명은 5mJ 이상의 펄스 에너지에서 2000Hz인 것 보다 큰 펄스율로 펄스된 자외선 레이저 시스템에서 장기 수명 빔 퀄리티를 모니터링할 수 있는 자외선 레이저용 파장계(7A)를 제공한다. 바람직한 실시예에서 향상된 조명 구성은 통상적인 종래기술 구성에 비해 에탈론(184)의 펄스 조명 당 28인 인수만큼 감소시킨다. 본 바람직한 실시예에서 에탈론에 의해 산출된 간섭 패턴을 측정하도록 위치된 선형 광다이오드 어레이(180)를 일루미네이팅하기 위해 필요한 양만큼으로만 에탈론에 입사하는 광을 감소시키는 광학기구가 제공된다. 본 실시예에서 빔 스플리터(173)의 두 표면으로부터의 반사에 의해 산출된 두 개의 샘플 빔은 확산성 디퓨저(181D)에 의해 확산되고 확산성 디퓨저의 출력은 스펙트럼적으로 등가인 두 확산 빔을 두 개의 개별 디퓨저에 효과적으로 조합하는 두 개의 개별 이차 디퓨저(181G, 181R)상에 포커싱된다. 하나의 빔은 파장 및 대역폭 측정에 사용되고 다른 빔은 교정을 위해 사용된다. 바람직한 실시예에서 에탈론 챔버는 1.6 내지 2.4 퍼센트사이의 산소 농도를 갖는 질소를 함유한다.
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본원발명은 초당 6,000-10,000 펄스 범위의 반복률에서 프로덕션 라인 커패시티내의 신뢰가능한 장기간 동작가능한 가스 방전 레이저 시스템을 제공한다. 바람직한 실시예는 포토리소그래피에 사용된 KrF, ArF, F 2 레이저로 구성되어 있다. 개선점에는 가스 플로를 증가시키기 위해 애노드(542) 바로 옆에 흡입 팬(555)이 포함된다. 팬(555)의 흡입구는 애노드(542)와 절연 스페이서(544B) 사이에 있다.
Abstract:
약 4,000Hz이상의 펄스율 및 약 5mJ이상의 펄스 에너지에서 고품질 펄스 레이저 빔을 발생시킬 수 있는 인젝션 시드 모듈 가스 방전 레이저 시스템. 두개의 분리된 방전 챔버(10A, 12B)가 제공되고, 그 중하나는 두번째 방전 챔버(12)에서 증폭되는 초협대역 살포 빔을 발생시키는 마스터 발진기(10)의 부분이다. 챔버(10A, 12A)는 마스터 발진기(10)에서 파장 파라메터 및 증폭 챔버(12A)에서 펄스 에너지 파라메터의 분리된 최적화를 분리되어 허용하도록 제어될 수 있다. MOPA로서 구성되고 집적회로 리소그래피를 위하여 광원으로서 사용을 위해 특별히 디자인된 ArF엑시머 레이저 시스템에서 바람직한 실시예. 바람직한 MOPA 실시예에서, 각각의 챔버(10A, 12A)는 펄스간 약 0.25밀리초보다 더 적은시간에서 방전 영역으로 부터찌꺼기를 정화함으로써 4,000Hz이상의 펄스율에 동작을 허용하도록 충분한 가스 흐름(11)을 제공하는 단일의 탄젠셜 팬을 포함한다. 마스터 발진기(10)는 0.2pm이하의 정확도로 4,000Hz 이상의 반복율에서 펄스 대 펄스 기반에서 중심 라인 파장을 제어할 수 있는 매우 빠른 튜닝 미러를 가지는 라인 내로우잉 패키지(16, 16A)를 장착한다.