公开(公告)号：DE102014117780A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117780

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (101, 102), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist; ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11); einen Graben mit einer ersten Seitenwand (1101), einer zweiten Seitenwand (1102) gegenüber der ersten Seitenwand (1101) und einen Boden (1103), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (1102) angrenzt und der pn-Übergang an den Boden (1103) des Grabens (110) angrenzt; eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber Sourcegebiet (12), dem Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist; einen weiteren Graben, der sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt; eine Sourceelektrode (41), die in dem weiteren Graben angeordnet ist und in dem weiteren Graben an das Sourcegebiet (12) und das Diodengebiet (30) angrenzt; wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (1103) des Grabens angeordnet ist, aufweist; und wobei das untere Diodengebiet ein Maximum der Dotierungskonzentration beabstandet zu dem Boden des Grabens aufweist.

公开(公告)号：DE102014107325A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107325

申请日：2014-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  PETERS DETHARD ,  ESTEVE ROMAIN ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (101, 102), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist; ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11); einen Graben mit einer ersten Seitenwand (1101), einer zweiten Seitenwand (1102) gegenüber der ersten Seitenwand (1101) und einen Boden (1103), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (1102) angrenzt und der pn-Übergang an den Boden (1103) des Grabens (110) angrenzt; eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist; wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (1103) des Grabens angeordnet ist, aufweist; und wobei das untere Diodengebiet ein Maximum der Dotierungskonzentration beabstandet zu dem Boden des Grabens aufweist.

公开(公告)号：DE102024207457A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102024207457

申请日：2024-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  RASINGER FABIAN ,  MLETSCHNIG KRISTIJAN LUKA ,  ESTEVE ROMAIN ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H10D64/64 ,  H10D8/60 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D84/00

Abstract: In einer Ausführungsform wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt. Das Halbleiterbauteil kann einen Halbleiterkörper umfassen, der einen ersten dotierten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten dotierten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst. Das Halbleiterbauteil kann eine Metallstruktur in dem Halbleiterkörper umfassen, die über dem zweiten dotierten Bereich liegt. Die Metallstruktur kann eine erste Seitenwand angrenzend an einen ersten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs, eine zweite Seitenwand angrenzend an einen zweiten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs und eine dritte Seitenwand angrenzend an den zweiten dotierten Bereich umfassen. Das Halbleiterbauteil kann einen Schottky-Kontakt umfassen, der einen Übergang der dritten Seitenwand der Metallstruktur mit dem zweiten dotierten Bereich umfasst.

公开(公告)号：DE102017121314B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement, das aufweist:Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (100), das aufweist: ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106), das unmittelbar an eine Hauptoberfläche (102) des Substrats (100) angrenzt, und eine dielektrische Schicht (112), die die Hauptoberfläche (102) bedeckt;Erzeugen einer Schutzschicht (116) auf der dielektrischen Schicht (112),Erzeugen einer strukturierten Maske (118) auf der Schutzschicht (116), wobei die strukturierte Maske (118) Öffnungen (120) aufweist, die an dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) ausgerichtet sind; undEntfernen von Abschnitten der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die durch die Öffnungen (120) exponiert sind, ohne verbleibende Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die sich unterhalb der Maske (118) befinden, zu entfernen;Entfernen der strukturierten Maske (118);Abscheiden einer Metallschicht (124) derart, dass ein erster Teil (126) der Metallschicht (124) das dotierte Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) unmittelbar kontaktiert und ein zweiter Teil (128) der Metallschicht (124) die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112) beschichtet;Durchführen eines ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses bei einer Temperatur zwischen 600 °C und 800 °C und einer Dauer von nicht mehr als zwei Minuten;nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses, Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124) und des verbleibenden Abschnitts der Schutzschicht (116), ohne den ersten Teil (126) der Metallschicht (124) zu entfernen; undDurchführen eines zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses nach dem Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124), wobei der erste Teil (126) der Metallschicht (124) mit dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) weiter silizidiert,wobei ein thermisches Budget des zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses größer ist als ein thermisches Budget des ersten thermischen Wärmebehandlungsprozesses.

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019129545A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102019129545

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ELLINGHAUS PAUL ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GRASSE FLORIAN ,  LEENDERTZ CASPAR ,  NIU SHIQUIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst die Vorrichtung (100) Gategräben (104), die in einem SiC-Substrat (102) ausgebildet sind und sich der Länge nach parallel in einer ersten Richtung (x1) erstrecken. Reihen von Sourcegebieten (114) eines ersten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet und erstrecken sich der Länge nach parallel in einer zweiten Richtung (x2), die zur ersten Richtung (x1) quer ist. Reihen von Bodygebieten (120) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps sind im SiC-Substrat (102) unter den Reihen von Sourcegebieten (114) ausgebildet. Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet. Die Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) erstrecken sich der Länge nach parallel in der zweiten Richtung (x2). Erste Abschirmgebiete (138) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) tiefer als die Reihen der Bodygebiete (120) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017121314A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JUERGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbid-Substrat, das ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet und eine dielektrische Schicht aufweist, bereitgestellt. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Schutzschicht erzeugt. Auf der Schutzschicht wird eine strukturierte Maske erzeugt. Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht, die durch Öffnungen der Maske exponiert sind, werden entfernt. Die strukturierte Maske wird entfernt. Eine Metallschicht wird derart abgeschieden, dass ein erster Teil der Metallschicht das dotierte Kontaktgebiet unmittelbar kontaktiert, und ein zweiter Teil der Metallschicht beschichtet die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht. Ein erster schneller thermischer Wärmebehandlungsprozess wird durchgeführt. Nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses werden der zweite Teil der Metallschicht und der verbleibende Abschnitt der Schutzschicht entfernt, ohne den ersten Teil der Metallschicht zu entfernen.

公开(公告)号：DE102017110969A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017110969

申请日：2017-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  FELDRAPP KARLHEINZ ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  STRENGER CHRISTIAN ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) aus einem Halbleitermaterial mit großer Bandlücke erstrecken. Die Graben-Gatestrukturen (150) trennen Mesabereiche (190) des Halbleiterkörpers (100) voneinander. In den Mesabereichen (190) bilden Bodygebiete (120) erste pn-Übergänge (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und grenzen direkt an erste Mesa-Seitenwände (191). Sourcegebiete (110) in den Mesabereichen (190) bilden zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodygebieten (120), wobei die Bodygebiete (120) die Sourcegebiete (110) von der Drainstruktur (130) trennen. Die Sourcegebiete (110) grenzen direkt an die ersten Mesa-Seitenwände (191) und den ersten Mesa-Seitenwänden (191) gegenüberliegende zweite Mesa-Seitenwände (192).

公开(公告)号：DE102015114429B4

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102015114429

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN

IPC: H01J37/09 ,  A61N5/10 ,  G21K1/04 ,  G21K1/10 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L29/06

Abstract: Strahlmodifikatorvorrichtung (700), umfassend: streuende Teilbereiche (720), in welchen vertikal auf eine Belichtungsoberfläche (701) der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) auftreffende Partikel von einer vertikalen Richtung abgelenkt sind, wobei die streuenden Teilbereiche (720) Dellen (721) aufweisen, die durch Vorsprünge (722) getrennt sind; abschattende Teilbereiche (710), die keine Dellen (721) aufweisen und in welchen eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel niedriger ist als in den streuenden Teilbereichen (720) und wobei die abschattenden und streuenden Teilbereiche (710, 720) sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) abwechseln und ein Flächenverhältnis der abschattenden Teilbereiche (710) zu den streuenden Teilbereichen (720) längs der lateralen Richtung variiert, wobei in der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) verändert.

公开(公告)号：DE102014019903B3

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE102014019903

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (101, 102), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist;ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11);einen Graben mit einer ersten Seitenwand (1101), einer zweiten Seitenwand (1102) gegenüber der ersten Seitenwand (1101) und einen Boden (1103), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (1102) angrenzt, der pn-Übergang an den Boden (1103) des Grabens (110) angrenzt und das Sourcegebiet (12) an die erste Seitenwand (1101) und die zweite Seitenwand (1102) des Grabens angrenzt;eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Sourcegebiet (12), Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist;einen weiteren Graben, der sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt;eine Sourceelektrode (41) die in dem weiteren Graben angeordnet ist und die an das Sourcegebiet (12) und das Diodengebiet (30) in dem weiteren Graben angrenzt;wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (1103) des Grabens angeordnet ist, aufweist.