中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

43 records (took 0.024 seconds)

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE19947081A1

    公开(公告)日：2001-04-05

    申请号：DE19947081

    申请日：1999-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AIGNER ROBERT ,  ELBRECHT LUEDER ,  MARKSTEINER STEPHAN ,  SAENGER ANNETTE ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: A61B8/00 ,  G10K11/20 ,  H03H3/02

    Abstract: The acoustic mirror is essentially comprised of at least one first insulating layer (Il'), a first metal layer (M1') arranged thereon, a second insulating layer arranged thereon (I2') and a second metal layer (M2') arranged thereon. An auxiliary layer (H') is produced on the first insulating layer (I1') whereby a recess (V') extending as far as the first insulating layer (I1') is created therein. The first metal layer (M1') is substantially deposited and removed by chemical/mechanical polishing until the parts of the first metal layer (M1') arranged outside the recess (V') are no longer present. The second metal layer (M2') is also produced in a recess (V') with the aid of chemical/mechanical polishing. More than two insulating layers (I1', I2') and two metal layers (M1', M2') can be provided. The first metal layer (M1') and the second metal layer (M2') can be produced in the same recess (V').

    Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung
    27.
    发明专利
    Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung 未知

    公开(公告)号：DE102013104952A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：DE102013104952

    申请日：2013-05-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07

    Abstract: Bei einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterpackage einen vertikalen Halbleiterchip (20) mit einer ersten Hauptoberfläche auf einer Seite des vertikalen Halbleiterchips (20) und einer zweiten Hauptoberfläche auf einer gegenüberliegenden Seite des vertikalen Halbleiterchips (20). Die erste Hauptoberfläche enthält ein erstes Kontaktgebiet, und die zweite Hauptoberfläche enthält ein zweites Kontaktgebiet. Der vertikale Halbleiterchip (20) ist eingerichtet zum Regeln des Stromflusses von dem ersten Kontaktgebiet zu dem zweiten Kontaktgebiet entlang einer Stromflussrichtung. Ein rückseitiger Leiter ist an dem zweiten Kontaktgebiet der zweiten Hauptoberfläche angeordnet. Das Halbleiterpackage enthält weiterhin ein erstes Kapselungsmittel (50), in dem der vertikale Halbleiterchip (20) und der rückseitige Leiter angeordnet sind.

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50114591D1

    公开(公告)日：2009-01-29

    申请号：DE50114591

    申请日：2001-05-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AIGNER ROBERT ,  MARKSTEINER STEPHAN ,  NESSLER WINFRIED ,  ELBRECHT LUEDER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: C23C14/58 ,  H01L41/22 ,  C23C16/56 ,  H01C17/24 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H03H3/04

    Abstract: Production of a layer having a locally adapted and/or predefined layer thickness profile comprises applying a layer onto a substrate; determining a removal profile for the applied layer; and guiding an ion beam once over the layer so that the layer is locally etched at the site of the ion beam corresponding to the removal profile and a layer having a locally adapted and/or predefined layer thickness profile is produced. Preferably the spread of the ion beam is more than 1, preferably more than 5 mm, or less than 100 mm, preferably less than 50 mm. The ion beam is an argon ion beam with a gauss-like current density distribution. The ion beam is guided in traces over the layer and the trace distance is less than the half-width spread of the beam.

    RESONADOR ACUSTICO.
    29.
    发明专利
    RESONADOR ACUSTICO. 未知

    公开(公告)号：ES2276835T3

    公开(公告)日：2007-07-01

    申请号：ES01976209

    申请日：2001-09-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AIGNER ROBERT ,  ELBRECHT LUEDER ,  MARKSTEINER STEPHAN ,  NESSLER WINFRIED ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: H03H9/17

    Abstract: Resonador acústico con un primer electrodo (E1), un segundo electrodo (E2) y una capa piezoeléctrica (P) dispuesta en medio, disponiéndose entre el primer electrodo (E1) y la capa piezoeléctrica (P) una primera capa de compresión acústica (V1), que presenta una mayor impedancia acústica que el primer electrodo (E1), caracterizado porque la razón de la impedancia acústica de la primera capa de compresión acústica (V1) respecto a la impedancia acústica de la capa piezoeléctrica (P) es mayor que 2.

Patent Agency Ranking