公开(公告)号：DE102012223550A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012223550

申请日：2012-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KALZ FRANZ-PETER ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  THEUSS HORST ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12

Abstract: Ein mikromechanisches Halbleitererfassungsbauelement umfasst eine mikromechanische Erfassungsstruktur, die konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Erfassungssignals, und ein in der mikromechanischen Erfassungsstruktur bereitgestelltes piezoresistives Erfassungsbauelement, wobei das piezoresistive Erfassungsbauelement ausgelegt ist zum Erfassen einer das elektrische Erfassungssignal störenden mechanischen Beanspruchung und konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Störsignals auf der Basis der das elektrische Erfassungssignal störenden erfassten mechanischen Beanspruchung.

公开(公告)号：DE102008062499B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102008062499

申请日：2008-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  SCHOEN FLORIAN ,  WEBER WERNER ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanisches-System-Bauelements (MEMS-Bauelements), wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Arbeitsstücks (102; 202), wobei das Arbeitsstück ein Substrat (104), eine auf dem Substrat (104) angeordnete vergrabene Oxidschicht (106, 206, 306, 406) und ein auf der vergrabenen Oxidschicht (106, 206, 306, 406) angeordnetes erstes halbleitendes Material (108, 208, 308, 408) aufweist, wobei das erste halbleitende Material (108, 208, 308, 408) eine obere Oberfläche aufweist; Bilden zumindest eines Grabens (110, 210, 310, 410) in dem ersten halbleitenden Material (108, 208, 308, 408), wobei eine obere Oberfläche der vergrabenen Oxidschicht (106, 206, 306, 406) an dem Boden des zumindest einen Grabens (110, 210, 310, 410) freigelegt wird, wobei der zumindest eine Graben (110, 210, 310, 410) eine erste Seitenwand und eine der ersten Seitenwand gegenüberliegende zweite Seitenwand aufweist; Bilden einer Isoliermaterialschicht (240; 115; 215; 315; 415; 515) auf der oberen Oberfläche des ersten halbleitenden Materials...

公开(公告)号：DE102011081460A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011081460

申请日：2011-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BJURSTROEM JOHAN ,  BLOM HANS-OLOF ,  KOLB STEFAN ,  RANGELOW IVO ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Bei einigen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Bilden einer Durchkontaktierung in einem Halbleiterelement das Bereitstellen eines Halbleiterelements mit einer elektronischen Schaltungsanordnung auf, die auf der Hauptseite desselben integriert ist; wobei das Halbleiterelement ferner eine Ätzstoppschicht und eine leitfähige Region aufweist, wobei die leitfähige Region zwischen der Ätzstoppschicht und der Hauptseite des Halbleiterelements angeordnet ist und ferner selektiv eine Durchkontaktierung von einer Rückseite des Halbleiterelements, gegenüberliegend zu der Hauptseite des Halbleiterelements, zu der Ätzstoppschicht ätzt und zumindest teilweise die Ätzstoppschicht entfernt, so dass die leitfähige Region zu der Rückseite freiliegend ist und die Durchkontaktierung zumindest teilweise mit einem leitfähigen Material füllt, wobei das leitfähige Material elektrisch von dem Halbleiterelement isoliert ist.

公开(公告)号：DE10206711B4

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE10206711

申请日：2002-02-18

Applicant: SIEMENS AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  KOLB STEFAN ,  BRUCHHAUS RAINER ,  WERSING WOLFRAM

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: Mikromechanisches Bauelement, umfassend ein Substrat (1), eine Membran (3, 4) und einen zwischen dem Substrat und der Membran angeordneten Hohlraum (7), dadurch gekennzeichnet, daß die Membran zumindest eine erste Schicht (3) und zumindest eine zweite Schicht (4) umfaßt, wobei die erste und die zweiengerichtete mechanische Spannung aufweisen, und daß die Membran weiterhin eine dritte Schicht (10) umfaßt, die eine der zweiten Schicht entgegengerichtete mechanische Spannung aufweist, und daß die Membran mit einer Verschlußschicht verschlossene Freiätzlöcher aufweist, und daß die erste Schicht Siliziumnitrid beinhaltet, und daß die zweite Schicht Siliziumoxid beinhaltet, und daß die Schichtdicknsation gewählt sind.

公开(公告)号：DE102009021244A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：DE102009021244

申请日：2009-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUENBERGER ROBERT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764

公开(公告)号：DE102008048457A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：DE102008048457

申请日：2008-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  SCHOEN FLORIAN ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H03C3/00

Abstract: A modulator includes a micro-electromechanical resonator device configured to receive an input signal and generate two output signals in response thereto, wherein the two signals having a predetermined phase relationship therebetween. The modulator further includes a switching system configured to selectively pass one of the two signals to an output of the modulator in an alternating fashion in response to phase modulation data.

公开(公告)号：DE102004002908A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：DE102004002908

申请日：2004-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  ZELSACHER RUDOLF ,  BAER MICHAEL ,  WERNER WOLFGANG ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/58 ,  H01L29/84

Abstract: A semiconductor component ( 1 ) includes a substrate, an active area ( 2 ), formed in/on the substrate, and a passivation layer ( 5 ) which is provided at least above part of the active area ( 2 ). The passivation layer ( 5 ) at least partially comprises amorphous, hydrogen-doped carbon. The provision of a passivation layer of this type allows the semiconductor component ( 1 ) to be effectively protected against environmental influences.

公开(公告)号：DE10022266A1

公开(公告)日：2001-11-29

申请号：DE10022266

申请日：2000-05-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAIER-SCHNEIDER DIETER ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: The invention relates to a method for the production and sealing of a cavity for microcomponents or microsystems, whereby, firstly, a sacrificial layer is deposited on a substrate (12) and then a cover layer (16) is deposited close to the substrate. Openings (18) are then etched in the cover layer (16). An intermediate layer (24) and a cover layer (26) remote from the substrate are then deposited, in which openings (32), remote from the substrate are generated, laterally displaced (V) in relation to the openings (18) close to the substrate. A wet chemical etching process is then used to open an etching channel (112) in the region of the intermediate layer (24) and a cavity (34) etched in the sacrificial layer. Finally, a simple and effective sealing of the cavity (34) is guaranteed by means of a sealing layer (50).

公开(公告)号：DE102020110473A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102020110473

申请日：2020-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDL FLORIAN ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  WAECHTER CLAUS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich für mechanische Spannung ist; einen Spannungsentkopplungsgraben, der eine vertikale Ausdehnung hat, die sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der Spannungsentkopplungsgraben vertikal teilweise in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche erstreckt; und eine Vielzahl von Partikelfiltergräben, die sich vertikal von der zweiten Oberfläche in das Substrat erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Partikelfiltergräben eine longitudinale Ausdehnung aufweist, die sich orthogonal zu der vertikalen Ausdehnung des Spannungsentkopplungsgrabens erstreckt.

公开(公告)号：DE102020105272A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020105272

申请日：2020-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK ,  BRANDL FLORIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  LUBER SEBASTIAN ,  MEIER ROLAND ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt.