公开(公告)号：WO2021214174A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：PCT/EP2021/060440

申请日：2021-04-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  JENTZSCH, Bruno ,  HALBRITTER, Hubert ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  LAUER, Christian ,  SCHOKE, Dean Maximilian ,  SWIETLIK, Tomasz

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/18 ,  H01S5/30 ,  H01S5/40 ,  H01S5/10

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterlaser (10) eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (131) auf, der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (111) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Ein Reflexionsvermögen R1 des ersten Resonatorspiegels ist wellenlängenabhängig, so dass R1 oder ein Produkt R aus R1 und dem Reflexionsvermögen R2 des zweiten Resonatorspiegels in einem Wellenlängenbereich von einer Zielwellenlänge λ0 des Lasers bis λ0 + ∆λ von einem Wert R0 abnimmt, wobei ∆λ in Abhängigkeit von einer temperaturabhängigen Verschiebung einer Emissionswellenlänge ausgewählt wird.

公开(公告)号：WO2021214172A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：PCT/EP2021/060437

申请日：2021-04-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  JENTZSCH, Bruno ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/18 ,  H01S5/30 ,  H01S5/028 ,  H01S5/40

Abstract: Ein Halbleiterlaser (10) umfasst eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist, einen ersten Resonatorspiegel (144), einen zweiten Resonatorspiegel (146) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (144, 146) angeordneten Resonator (131), der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (111) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Der Halbleiterlaser (10) umfasst weiterhin ein erstes wellenlängenselektives Absorptionselement (140), das zwischen der Halbleiterschichtanordnung (112) und dem ersten Resonatorspiegel (144) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2021144377A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2021/050722

申请日：2021-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  RUSSELL, Ann ,  FALCK, Thomas ,  HALBRITTER, Hubert ,  JENTZSCH, Bruno ,  LAUER, Christian

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  H01S5/185 ,  H01S5/02257 ,  H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/30 ,  H01S5/183 ,  H01S3/10061 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18386 ,  H01S5/18397 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

Abstract: An optoelectronic semiconductor device comprises a plurality of laser devices. Each of the laser devices is configured to emit electromagnetic radiation. The laser devices are horizontally arranged. A first laser device of the plurality of laser devices is configured to emit electromagnetic radiation having a first wavelength different from the wavelength of a further laser device of the plurality of laser devices. A difference between the first wavelength and the wavelength of the further laser device is less than 20 nm.

公开(公告)号：WO2021084049A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/080471

申请日：2020-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBNER, Andreas ,  HILLER, Uli ,  BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  SCHWARZ, Thomas ,  WITTMANN, Michael ,  GROETSCH, Stefan ,  SCHWALENBERG, Simon ,  WITTMANN, Sebastian

IPC: H01L25/075 ,  B32B17/10 ,  B60J7/04

Abstract: An optoelectronic device, in particular a display device, comprises: at least one optoelectronic light source (101), an at least partially transparent front layer (133), an at least partially transparent support layer (103), wherein the light source (101) is arranged between the front layer (133) and the support layer (103), wherein a front side of the light source (101) faces the front layer (133) and a rear side of the light source (101) faces the support layer (103), and wherein a limiting device (107) is provided in a circumferential direction around the light source (101), wherein the limiting device (107) limits a spatial region, in which the light source (101) emits light such that total internal reflection of the emitted light, in particular at an interface (143) between the front layer (133) and the outside, is avoided or at least reduced.

公开(公告)号：WO2021083812A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/079933

申请日：2020-10-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert

IPC: H05B45/325 ,  G09G3/3233

Abstract: Eine PWM gesteuerte Stromquelle umfasst einen Auswahleingang (15) und einen Modulationseingang (14); sowie eine mittels eines Signals an einem Steueranschluss schaltbare Stromquelle, deren Stromausgang zum Anschluss an einen Verbraucher ausgeführt ist. Eine InverterSchaltung mit einem Eingangsknoten und einem Ausgang ist mit dem Steueranschluss gekoppelt, wobei die InverterSchaltung eine durch Elemente der Schaltung bedingte Kapazität aufweist. Dem Eingangsknoten ist ein Signal (row _ n) in Abhängigkeit eines Auswahlsignals (COL) am Auswahleingang zuführbar, welches die schaltbare Stromquelle über die InverterSchaltung (30) ansteuert. Die Stromquelle umfasst weiterhin einen Spannungs-Strom Wandler (40), der einen aus einem Modulationssignal (V _ Analog) am Modulationseingang (14) abgeleiteten Strom erzeugt und diesem dem Eingangsknoten (31) zuführt, wobei der zugeführte Strom die schaltbare Stromquelle nach einer durch die bedingte Kapazität vorgegebenen Zeitdauer trennt.

公开(公告)号：WO2021013332A1

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：PCT/EP2019/069687

申请日：2019-07-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  PERÄLÄ, Mikko

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05K13/04

Abstract: Es wird ein Haftstempel (1) zum Transfer von Halbleiterchips (2) angegeben, mit: - einen Volumenbereich (3), der ein elektrisch isolierendes Material (4) aufweist, - wenigstens eine Anhaftfläche (5) zur Aufnahme eines Halbleiterchips (2), und - ein elektrisch leitendes Element (6), das dazu vorgesehen ist, im Betrieb mit einem Erdleiter (7) elektrisch leitend verbunden zu sein und dazu eingerichtet ist, elektrische Ladungen vom Halbleiterchip (2) zum Erdleiter (7) abzuleiten. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Transfer eines Halbleiterchips (2) mit einem Haftstempel (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2020193290A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：PCT/EP2020/057309

申请日：2020-03-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  WIRTH, Ralph ,  BRICK, Peter

IPC: G01S7/481 ,  G01S17/931

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung, insbesondere zur Detektion von Hindernissen und/oder zur Entfernungsmessung, umfasst: eine Sendeeinrichtung (21) zum Aussenden von Laserstrahlen, wobei die Sendeeinrichtung (21) ein Feld (23) von Pixeln (25) aufweist, wobei jeder Pixel (25) des Pixelfelds (23) zumindest einen Laser, insbesondere einen optoelektronischen Laser, wie etwa einen VCSEL, aufweist, wobei die Pixel (25) des Pixelfelds (23) in mehrere Sätze von Pixeln unterteilt sind, und wobei die Sendeeinrichtung (21) dazu ausgebildet ist, die Sätze von Pixeln in unterschiedlichen, aufeinanderfolgenden Zeitintervallen zu betreiben.

公开(公告)号：WO2020165185A1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：PCT/EP2020/053498

申请日：2020-02-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  WUENSCHE, Julia ,  HALBRITTER, Hubert ,  RAUSCH, Andreas ,  SCHWALENBERG, Simon

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu eine optoelektronischen Bauelement oder einer Anordnung mit einem solchen für verschiedene Anwendungen, hier insbesondere im Automotivebereich und für visuelle Anzeigen. Dabei zeichnet sich die Anordnungen durch einfache Herstellung und schnelle Schaltzeiten aus.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2020115042A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/EP2019/083493

申请日：2019-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  RICHTER, Jens

IPC: G09G3/32

Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (11), das ausgebildet ist, Licht zu erzeugen, eine Stromquelle (12), die ausgebildet ist, einen Strom zu erzeugen, und einen mit einem pulsweitenmodulierten Signal angesteuerten PWM-Transistor (13), der in Abhängigkeit von dem pulsweitenmodulierten Signal einen ersten Zustand oder einen zweiten Zustand annimmt und der ausgebildet ist, das optoelektronische Halbleiterbauelement (11) im ersten Zustand mit dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu versorgen und im zweiten Zustand von dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu entkoppeln, wobei die Stromquelle (12) mittels einer ersten Technologie hergestellt ist und der PWM-Transistor (13) mittels einer zweiten Technologie hergestellt ist.