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公开(公告)号：KR1020130070962A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: An electric component having a metal diffusion prevention graphene layer and a manufacturing method there of form a graphene layer between a bonding layer and a metal layer, increasing reproducibility. CONSTITUTION: A metal layer (203) comprises single metal or alloy. A graphene layer (202) is formed on the lower side of the metal. The thickness of the graphene layer is 0.2nm to 1.5μm. A bonding layer (201) is formed one the lower side of the graphene. The bonding layer is formed with one or more of single metal film, alloy film, oxide film, organic layer or inorganic film.
Abstract translation: 目的：具有金属扩散防止石墨烯层的电气部件及其制造方法，其在接合层和金属层之间形成石墨烯层，提高再现性。 构成：金属层（203）包括单一金属或合金。 石墨烯层（202）形成在金属的下侧。 石墨烯层的厚度为0.2nm至1.5μm。 在石墨烯的下侧形成有接合层（201）。 接合层由单金属膜，合金膜，氧化膜，有机层或无机膜中的一种以上形成。
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公开(公告)号：KR101105247B1
公开(公告)日：2012-01-13
申请号：KR1020100048025
申请日：2010-05-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양광이 입사되는 부분과 다른 부분에 전극이 형성되도록 하여, 효율을 증가시킬 수 있는 측면 노광형 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 제1면에 외부의 빛이 입사되는 수광부가 형성되어 있고 수광부를 통해 입사된 빛으로부터 전류를 발생시키는 태양전지 셀과, 태양전지 셀의 제2면에 형성되어 있는 제1전극과, 태양전지 셀의 제2면과 대향되는 제3면에 형성되어 있는 제2전극을 구비한다. 이때, 태양전지 셀의 제1면은 태양전지 셀의 제2면 및 태양전지 셀의 제3면과 서로 다르게 되도록 한다.
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公开(公告)号：KR101857647B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
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公开(公告)号：KR1020170073833A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182205
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G06F3/044
Abstract: 본발명은메탈메쉬(Metal Mesh)를이용한단일층터치센서및 제조방법에관한것으로서, 단일층터치센서는, 적어도하나의터치셀 및적어도하나의메탈라인을포함하는터치활성화영역; 및상기터치셀로부터상기메탈라인으로연결되는전극패드를포함하고, 상기터치활성화영역은메탈메쉬로구현되며, 상기터치활성화영역에서상기터치셀 및상기메탈라인을제외한비전극영역은, 메탈메쉬를단선시킨형태로구현되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种单层触摸传感器，并使用金属网（网眼金属），单层触摸传感器，触摸激活区域包括所述触摸细胞中的至少一种和至少一种金属线的制造方法; 并且其中，从所述接触单元包括连接到金属线的电极焊盘，所述触摸激活区域被实施为金属网，非电极区域以外的接触单元和在触摸激活区域是，所述金属网的金属线 并以断开连接的形式实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101564710B1
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140063619
申请日：2014-05-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61N5/06 , A61B5/0478 , C12M1/42
Abstract: 본발명은발광소자가집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에발광소자형성을위한정렬키를형성하고, 제1전극층을형성하는제2단계와, 상기정렬키를기준으로하여발광파장이다른복수개의발광소자를상기기판상에형성하는제3단계와, 상기기판상에형성되며, 상기발광소자와전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제4단계와, 상기발광소자와, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제5단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제6단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제7단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제8단계를포함하여이루어진것을특징으로하는파장제어가가능한탐침의제조방법및 이에의해제조된탐침을기술적요지로한다. 이에의해, 단일의탐침(기판) 상에발광파장이다른복수개의발광소자를형성함으로써, 한개의탐침으로다양한파장영역대의발광이가능하도록하여, 선택적으로신경의활성과억제의제어가가능하여의학적효용성이매우높으며, 제품의단가를낮추고, 공정의간단화로제품수율을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造与发光二极管集成的探针的方法，更具体地，涉及一种用于制造能够控制波长的探针的方法以及由此制造的探针，其包括：制备基底的第一步骤 ; 形成用于在所述基板的一些区域上形成发光二极管的对准键以形成第一电极层的第二步骤; 基于对准键在基板上形成具有不同发射波长的多个发光二极管的第三步骤; 在与所述发光二极管电连接的基板上形成金属配线电极的第四工序; 形成绝缘膜以覆盖发光二极管，基板上的整个区域和金属互连电极的第五步骤; 在衬底上形成图案以形成探针的第六步骤; 抛光或蚀刻基板以减小基板的厚度的第七步骤; 以及从基板分离探针形图案的第八步骤。 因此，在单个探针（基板）上形成具有不同发射波长的多个发光二极管，以允许单个探针发射各种波长带的光并选择性地控制神经的激活或抑制，从而提供非常高的临床效用，减少 单位产品成本，并简化了提高产量的过程。
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公开(公告)号：KR101419531B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120152813
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정 또는 KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서, 기판에 금속산화물 시드층을 형성한 후 임프린팅 공정에 의한 레진패턴층을 형성한 후 건식 식각 공정을 거쳐 상기 금속산화물 시드층을 노출시키거나, KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 레진패턴층을 형성하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시켜, 수열 합성법을 이용하여 상기 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 다양한 형상, 크기 및 패터닝의 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있고, 비교적 저가로 제공할 수 있으며, 대면적의 금속산화물 나노구조체의 정렬을 용이하게 하며, 금속산화물 나노구조체의 유착 또는 변형을 방지하고, 균일한 나노구조체의 형성 및 배열이 가능한 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020130080492A
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020120001307
申请日：2012-01-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: PURPOSE: A wafer clamp with a cooling device is provided to easily cool the wafer clamp heated in a wafer etching process by supplying coolants to a coolant tube through a coolant supplying device. CONSTITUTION: A top wafer clamp (110) corresponds to a bottom wafer clamp (120). A top insertion groove (111) and a bottom insertion groove (121) are formed along the frames of the top wafer clamp and the lower wafer clamp. A coolant tube (200) is inserted through the top insertion groove and the bottom insertion groove. A combination member (131) combines the top wafer clamp with the bottom wafer clamp. The combination member is combined with a combination hole (130).
Abstract translation: 目的：提供具有冷却装置的晶片夹具，以通过冷却剂供应装置向冷却剂管提供冷却剂来容易地冷却在晶片蚀刻工艺中加热的晶片夹具。 构成：顶部晶片夹（110）对应于底部晶片夹（120）。 沿顶部晶片夹具和下部晶片夹具的框架形成顶部插入槽（111）和底部插入槽（121）。 冷却剂管（200）穿过顶部插入槽和底部插入槽插入。 组合构件（131）将顶部晶片夹具与底部晶片夹具组合。 组合构件与组合孔（130）组合。
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