公开(公告)号：KR1020120109419A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120030392

申请日：2012-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to reduce pressure loss within a gas pipe without an increase in manufacturing costs of the gas pipe. CONSTITUTION: A gas supply part(14) supplies process gas to the inside of a process container(12). A microwave generator(16) generates microwaves. An antenna(18) introduces the microwaves for exciting plasma within the process container. A coaxial waveguide(20) is installed between the microwave generator and the antenna. A holding part(22) is placed to face the antenna in an extension direction of a central axis line of the coaxial waveguide. The holding part is provided in order to preserve processed gas. A dielectric window(24) is installed between the antenna and the holding part. The dielectric window transmits the microwaves from the antenna inside the process container. A dielectric rod(26) is placed between the holding part and the dielectric window along the central axis line. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以减少气体管道内的压力损失，而不增加气体管道的制造成本。 构成：气体供应部分（14）将处理气体供应到处理容器（12）的内部。 微波发生器（16）产生微波。 天线（18）在处理容器内引入用于激发等离子体的微波。 同轴波导（20）安装在微波发生器和天线之间。 保持部（22）被放置成在同轴波导的中心轴线的延伸方向上面对天线。 提供保持部件以便保留加工气体。 电介质窗（24）安装在天线和保持部之间。 电介质窗口从处理容器内的天线传送微波。 介电棒（26）沿着中心轴线放置在保持部分和电介质窗口之间。 （附图标记）（AA，BB）气体

公开(公告)号：KR101180125B1

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009514A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110058699A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020100117013

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠모토나오키 ,  이와사키마사히데 ,  오쿠니시나오히코

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus for improving reproducibility and reliability is provided to enhance a hight frequency cutoff function by controlling a parallel resonance frequency arbitrarily. CONSTITUTION: A filter(102(1)) accepts coaxially a coil(104(1)) within a cylindrical outer conductor(110). A ring member(122) is installed between the coil and the outer conductor coaxially. The ring member comprises a plate extended as an annular shape on a plane in perpendicular to the axial direction of the outer conductor. The ring member is made of copper, aluminum etc. The ring member is electrically connected to the outer conductor. The ring member is electrically insulated from the coil.

Abstract translation: 目的：提供一种用于提高再现性和可靠性的等离子体处理装置，以通过任意地控制并联谐振频率来增强高频截止功能。 构成：过滤器（102（1））同轴地接收圆柱形外部导体（110）内的线圈（104（1））。 环形构件（122）同轴地安装在线圈和外导体之间。 环构件包括在垂直于外导体的轴向方向的平面上延伸为环形的板。 环构件由铜，铝等制成。环构件电连接到外导体。 环形构件与线圈电绝缘。

公开(公告)号：KR1020100102203A

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020107017481

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 처리 용기(2)의 서셉터(3)와 대향하는 천장면에 유전체판(20)을 설치하고, 유전체판(20)의 상면에는 마이크로파를 투과시키는 복수의 슬롯(33)을 가지는 슬롯 안테나(30)를 설치하고, 유전체판(20)의 하면 주연부에, 유전체판(20)과는 별도의 부재로 구성되어 있고 이상 방전을 방지하는 돌기 부재(21)를 구비한다. 돌기 부재(21)의 원통부의 외주면(22)과 처리 용기(2)의 측벽 내주면(5a)과의 간극 또는 돌기 부재(21)의 원통부의 두께를 조정함으로써 유전체판(20) 주변부에서의 전계 강도를 제어한다.

Abstract translation: 在与处理容器2的基座3相对的天花板面上设置有电介质板20，在电介质板20的上表面设有具有多个微波传输用的缝隙33的缝隙天线30 并且，在电介质板20的下表面的周缘设置有由与电介质板20分体的部件形成并防止异常放电的突起部件21。 突出部件21的圆筒部的外周面22与处理容器2的侧壁的内周面5a或突出部件21的圆筒部的厚度之间的间隙被调整， 控制。

公开(公告)号：KR100971799B1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100952521B1

公开(公告)日：2010-04-12

申请号：KR1020077001688

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H05H1/18

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 根据本发明，要处理的衬底被接收并用于支撑第一电极和目标基板的第二电极被布置成面对在真空排气的处理容器，该处理容器中，在相对于该频率到第二电极是 第二高频电力施加单元，用于向第二电极施加具有相对较低频率的第二高频电力;以及第二高频电力施加单元，用于向第一电极施加直流电压 以及处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中。

公开(公告)号：KR100886982B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020060029705

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  고시이시아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마의 상태에 상관없이, 플라즈마의 균일성을 용이하게 확보할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 생성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에는 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)이 접속되고, 상부 전극(34)은 외측 부분(36a)과 내측 부분(36b)을 갖고, 고주파 전원(48)으로부터의 고주파 전류는 외측 부분(36a) 및 내측 부분(36b)의 양쪽에 흐르며, 가변 직류 전원(50)으로부터의 직류 전류는, 내측 부분(36a)에는 흐르고, 외측 부분(36b)에는 실질적으로 흐르지 않도록 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR100852577B1

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지한다. 기판 처리실은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는다. 플라즈마 처리 장치는 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 구비한다. 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내이다.

Abstract translation: 具有基板处理室的等离子体处理设备防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室具有用于对基板进行等离子体处理的处理空间，用于将气体排出处理空间的排气空间以及用于连通排气空间和处理空间的排气流路。 等离子体处理装置还包括设置在排气通道中并且电接地的接地组件。 接地部分具有由导电材料制成的导电部分，并且导电部分到排气通道的暴露面积在100至1000cm 2的范围内。

公开(公告)号：KR1020060105670A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029705

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  고시이시아키라

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 본 발명의 목적은 플라즈마의 상태에 상관없이, 플라즈마의 균일성을 용이하게 확보할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 생성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에는 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)이 접속되고, 상부 전극(34)은 외측 부분(36a)과 내측 부분(36b)을 갖고, 고주파 전원(48)으로부터의 고주파 전류는 외측 부분(36a) 및 내측 부분(36b)의 양쪽에 흐르며, 가변 직류 전원(50)으로부터의 직류 전류는, 내측 부분(36a)에는 흐르고, 외측 부분(36b)에는 실질적으로 흐르지 않도록 구성되어 있다.

Abstract translation: 发明内容本发明的目的是提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够容易地确保等离子体均匀性而不管等离子体的状态如何。