公开(公告)号：KR1020070096955A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070029327

申请日：2007-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A plasma processing apparatus and a method and a computer readable storage medium are provided to make a thickness of an oxide film uniform by setting a gap between a wafer and a top plate to 100mm or less. A process container(1) accommodates an object to be processed(W) and maintains vacuum for performing a plasma process. A worktable(2) is positioned in the process container to support the object. A planar antenna(31) is provided with plural slots to supply microwaves into the process container. A gas feed mechanism(15) introduces a process gas into the process container. A top plate(28) is disposed opposite the worktable. The top plate is positioned in such a way that an interval between the object and the top plate is within the range of 20mm to 100mm.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置和方法以及计算机可读存储介质，通过将晶片和顶板之间的间隙设定为100mm以下，使氧化膜的厚度均匀。 处理容器（1）容纳待处理物体（W）并保持用于进行等离子体处理的真空。 工作台（2）位于处理容器中以支撑物体。 平面天线（31）设置有多个槽以向处理容器提供微波。 气体供给机构（15）将处理气体引入到处理容器中。 顶板（28）与工作台相对设置。 顶板的定位方式使得物体和顶板之间的间隔在20mm至100mm的范围内。

公开(公告)号：KR100744590B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060127104A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067015222

申请日：2005-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카슈우이치 ,  사사키마사루 ,  다카하시데츠로 ,  마에카와고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B08B7/0035

Abstract: Disclosed is a method for cleaning a process chamber of a substrate processing apparatus where a substrate to be processed is placed in the process chamber and a certain processing is performed on the substrate. In this method, a step for generating a plasma of an oxygen-containing gas in the process chamber and a step for generating a plasma of a nitrogen-containing gas in the process chamber are performed alternately.

Abstract translation: 公开了一种用于清洁基板处理装置的处理室的方法，其中待处理的基板被放置在处理室中并且对基板执行某种处理。 在该方法中，交替地执行用于在处理室中产生含氧气体的等离子体的步骤和在处理室中产生含氮气体的等离子体的步骤。

公开(公告)号：KR101910678B1

公开(公告)日：2018-10-22

申请号：KR1020137012435

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  티안차이종 ,  사사키마사루 ,  미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  모야마가즈키 ,  요시카와준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 본발명의플라즈마처리장치는, 기판을탑재하기위한탑재대가마련되는처리용기, 상기처리용기내로제1 가스를공급하도록구성되는제1 가스공급유닛, 상기제1 가스의적어도일부를제1 플라즈마로변환하도록구성되는제1 플라즈마생성유닛, 상기처리용기내로제2 가스를공급하도록구성되는제2 가스공급유닛, 및상기제2 가스의적어도일부를제2 플라즈마로변환하도록구성되는제2 플라즈마생성유닛을포함한다. 탑재대로부터제2 가스의유입구의높이는, 탑재대로부터제1 가스의유입구의높이보다낮다.

公开(公告)号：KR1020120120400A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.

公开(公告)号：KR1020120028853A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: PURPOSE: A plasma etching treatment apparatus and method, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to control a protective film to be superfluously thickened by controlling the thickness of the protective film which is formed in the off of bias under 10Å. CONSTITUTION: A gas supply part(13) supplies gas for plasma processing within a treatment basin(12). A microwave generator(15) generates plasma excited microwaves. A waveguide(16) and a coaxial waveguide(17) transmit the microwaves generated by the microwave generator within the treatment basin. A dielectric plate(18) spreads the microwave to a diametric direction. A slot antenna plate(20) radiates the microwave. A pressure control means controls the pressure within the treatment basin. A bias power supply means supplies AC bias power to a supporting stand.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻处理装置和方法以及半导体装置的制造方法，通过控制在10度以下的偏压下形成的保护膜的厚度来控制保护膜被超级增厚。 构成：气体供应部件（13）在处理池（12）内提供用于等离子体处理的气体。 微波发生器（15）产生等离子体激发的微波。 波导（16）和同轴波导（17）将由微波发生器产生的微波传送到处理池内。 电介质板（18）将微波扩散到直径方向。 狭缝天线板（20）辐射微波。 压力控制装置控制处理盆内的压力。 偏置电源装置向支撑架提供AC偏置电力。

公开(公告)号：KR101097574B1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：KR1020100110505

申请日：2010-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 플라즈마산화처리장치는, 피처리체를수용하고, 내부에서플라즈마처리를행하는진공유지가능한처리용기와, 처리용기내에서피처리체를탑재하는탑재대와, 복수의슬롯을갖고, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는평면안테나와, 처리용기내에처리가스를도입하는가스도입수단과, 탑재대에대향하여배치된천판을구비하되, 탑재대에피처리체를탑재한상태에서, 피처리체와상기천판과의간격이 20㎜이상 100㎜이하로되도록하였다.

公开(公告)号：KR101094976B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090009977

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

Abstract: 유전체와 슬롯과의 위치 관계를 규정하고, 재질에 따른 천판의 최적의 형상을 규정함으로써, 플라즈마 발화성 및 발화 안정성이 보다 우수한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 두께 치수가 연속적으로 변화되도록 기울어진 경사면(16a, 16b)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)의 상면에 배치되고, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하여 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 안테나(24)는 경사면(16a, 16b)의 수직 상방에 위치하는 복수의 슬롯(25)을 갖는다. 또한, 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 링 형상의 홈(16)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하고, 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 광속을 c, 마이크로파의 주파수를 f, 유전체(15)를 구성하는 재료의 비유전율을 εr로 하면, 홈의 홈 폭(w)은 [수식 1]을 충족시킨다.
[수식 1]

公开(公告)号：KR101020334B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020100031789

申请日：2010-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 탑재대에 대향하여 배치된 천판을 구비하되, 탑재대에 피처리체를 탑재한 상태에서, 피처리체와 상기 천판과의 간격이 20㎜ 이상 100㎜ 이하로 되도록 하였다.

Abstract translation: 等离子体氧化处理装置，在接收到被处理物，且具有阶段和多个时隙的真空尽可能时，处理容器在内部进行等离子体处理，与所述对象中的处理容器内的被处理时，一个微波进入处理腔室 气体引入装置，用于将处理气体引入到处理容器中;以及顶板，设置成面对装载台，其中工件和顶板之间的空间 不小于20毫米，不大于100毫米。

公开(公告)号：KR1020100124236A

公开(公告)日：2010-11-26

申请号：KR1020100110505

申请日：2010-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: PURPOSE: A microwave plasma processing apparatus is provided to improve the reliability by reducing the generation of the density variation in the thickness direction of a film. CONSTITUTION: A target is contained in a chamber(1). A loading unit is installed in the chamber. The target is loaded on the loading unit. A plasma process for the target is performed under a vacuum condition in the chamber. An upper plate(27) is arranged on the upper side of the chamber. A transmitting plate is supported by the upper plate. A plain antenna is arranged on the transmitting plate and includes a plurality of slots.

Abstract translation: 目的：提供一种微波等离子体处理装置，通过减少薄膜厚度方向的密度变化的产生来提高可靠性。 构成：目标被包含在一个室（1）中。 加载单元安装在腔室中。 目标装载在装载单元上。 在室内的真空条件下进行目标的等离子体处理。 上板（27）布置在室的上侧。 传输板由上板支撑。 平板天线布置在传输板上，并包括多个槽。