公开(公告)号：WO2005106972A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/DE2004/000892

申请日：2004-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker

Inventor： HAHN, Berthold ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Mikrostrukturierung einer strahlungsemittierenden Fläche einer Halbleiterschichtfolge für einen Dünnschicht-Leuchtdiodenchip, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Aufwachsen der Halbleiterschichtfolge auf einem Substrat; b) Ausbilden oder Aufbringen einer Spiegelschicht (7) auf der Halbleiterschichtfolge, die zumindest einen Teil einer in der Halbleiterschichtfolge bei deren Betrieb erzeugten und zur Spiegelschicht hin gerichteten Strahlung in die Halbleiterschichtfolge zurückreflektiert; c) Trennen der Halbleiterschichtfolge vom Substrat mittels eines Abhebe-Verfahrens, bei dem eine Trennzone in der Halbleiterschichtfolge zumindest teilweise zersetzt wird, derart, dass an der Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, von der das Substrat abgetrennt ist, anisotrop Rückstände (20) eines Bestandteils der Trennzone, insbesondere eines metallischen Bestandteils der Trennschicht verbleiben; und d) Ätzen der mit den Rückständen versehenen Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, bei dem die anisotropen Rückstände zumindest temporär als Ätzmaske verwendet werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微结构的半导体层序列的发射辐射的表面的薄膜发光二极管芯片，包括以下步骤：a）在衬底上的半导体层序列的增长; b）形成或沉积镜层（7）在半导体层序列，其至少反映在其朝向半导体层序列中的反射镜层中的操作过程中在半导体层序列产生的辐射和一部分; c）以在其中半导体层序列中的分离区被至少部分地分解，剥离方法的手段从基底分离半导体层序列，使得在从该衬底在分离区的部件的各向异性分离残基（20）中的半导体层序列的接口 依然存在，特别是分离层的金属成分的; 以及d）蚀刻设置有半导体层序列的残基，其中，所述各向异性残基是至少暂时分离区域，作为蚀刻掩模。

公开(公告)号：WO2005004231A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：PCT/DE2004/001329

申请日：2004-06-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRUEDERL, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HAERLE, Volker

Inventor： BRUEDERL, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HAERLE, Volker

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B23K26/0057 ,  B23K26/0063 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips, insbesondere von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, mit jeweils mindestens einem epitaktisch hergestellten funktionellen Halbleiterschichtstapel, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: - Bereitstellen eines Aufwachssubstratwafers (1), der im Wesentlichen Halbleitermaterial aus einem hinsichtlich Gitterparameter gleichen oder ähnlichen Halbleitermaterialsystem umfaßt wie dasjenige, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge für die funktionellen Halbleiterschichtstapel basiert, - Ausbilden einer parallel zu einer Hauptfläche (100) des Aufwachssubstratwafers (1) liegende Trennzone (4) im Aufwachssubstratwafer (1), - Verbinden des Aufwachssubstratwafers (1) mit einem Hilfsträgerwafer (2), - Abtrennen eines aus Sicht der Trennzone (4) vom Hilfsträgerwafer (2) abgewandten Teiles (11) des Aufwachssubstratwafers (1) entlang der Trennzone (4), - Ausbilden einer Aufwachsfläche auf dem auf dem Hilfsträgerwafer (2) verbliebenen Teil (12) des Aufwachssubstratwafers für ein nachfolgendes epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge, - Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Aufwachsfläche, - Aufbringen eines Chipsubstratwafers auf die Halbleiter-schichtenfolge, - Abtrennen des Hilfsträgerwafers (2), und - Vereinzeln des Verbundes von Halbleiterschichtenfolge und Chipsubstratwafer (7) zu voneinander getrennten Halbleiterchips.

Abstract translation: 制造多个半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片的方法，每个具有至少一个外延制造功能性半导体层堆叠，其包括以下步骤： - 提供在生长衬底晶片（1），其基本上半导体材料包括关于晶格参数等于或类似的半导体材料系统，例如该 在其上的功能性半导体层堆叠中的半导体层序列基于， - 形成平行于生长衬底晶片的主表面（100）（1）位于分离区（4）在生长衬底（1）， - 将所述生长衬底晶片（1）与辅助载体晶片（2） - 从视图从所述载体晶片的分离区（4）的分离（2）的面向远离生长基底晶片的部分（11）（1）沿着所述分离区（4）， - 残留在基座晶片上形成在生长表面（2） 烯用于半导体层序列的随后的外延生长中，生长衬底晶片的部分（12） - 外延生长半导体层序列（5）在生长表面上， - 将芯片衬底晶片的半导体层序列， - 分离所述基座晶片（2），以及 - 分离复合 半导体层序列和芯片衬底晶片（7），以在半导体芯片分离。

公开(公告)号：WO2004068572A3

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/DE2004/000123

申请日：2004-01-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold

Inventor： KAISER, Stephan ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Halbleiterschicht (2) von einem Substrat (1) durch Bestrahlen mit Laserimpulsen getrennt wird, wobei die Impulsdauer der Laserimpulse kleiner oder gleich 10 ns ist. Die Laserimpulse weisen ein räumliches Strahlprofil auf, dessen Flankensteilheit so gering gewählt ist, dass bei der Trennung von Halbleiterschicht (2) und Substrat (1) Risse in der Halbleiterschicht (2), die durch thermisch induzierte laterale Verspannungen entstehen, vermieden werden.

公开(公告)号：WO2021037633A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2020/073200

申请日：2020-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN, Berthold ,  BOGNER, Georg

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (10) und einem Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) angegeben, wobei das Halbleiterbauelement einen Formkörper (4), der an den Halbleiterkörper angeformt ist, aufweist und Kontakte (31, 32) für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements an einer Außenseite (43) des Formkörpers zugänglich sind. Zwischen dem aktiven Bereich und der Strahlungsaustrittsfläche ist eine Umlenkungsstruktur (29) angeordnet, wobei auf der Umlenkungsstruktur eine Planarisierungsschicht (5) angeordnet ist und das Halbleiterbauelement einen Polarisator (6) aufweist, der auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Seite der Planarisierungsschicht angeordnet ist. Weiterhin werden eine Vorrichtung (9) mit einem Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen angegeben.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2017072074A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/075555

申请日：2016-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN, Berthold ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), wobei die aktive Schicht (10) dazu eingerichtet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Weiter umfasst das Bauelement (100) eine erste Kontaktstruktur (11) und eine zweite Kontaktstruktur (12), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch kontaktierbar ist. Im Betrieb sind die Kontaktstrukturen (11, 12) mit einer Spannung beaufschlagt, wobei sich eine betriebsbedingte Spannungsdifferenz ΔU bet zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) ausbildet. Bei Erhöhung der Spannungsdifferenz tritt ein erster Überschlag in oder an dem Bauelement (100) zwischen den beiden Kontaktstrukturen (11, 12) auf. Eine bei dem ersten Überschlag entstehende Funkenstrecke (3) zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) verläuft dabei überwiegend durch ein Umgebungsmedium in Form von Gas oder Vakuum und/oder durch einen Verguss. Der erste Überschlag tritt frühestens bei einer Spannungsdifferenz von 2∙ΔU bet auf.

Abstract translation: 一种光电子器件（100）包括具有有源层（10）的半导体层序列（1），其中有源层（10）适于在正常操作期间产生电磁辐射 或吸收。 此外，部件（100）包括第一接触结构（11）和第二接触结构（12），半导体层序列（1）可以在期望的操作期间通过该第一接触结构和第二接触结构电接触。 在操作中，接触结构（11,12）经受电压，其中在接触结构（11,12）之间形成操作电压差ΔUmin。 随着电压差增大，第一翻转发生在两个接触结构（11,12）之间的装置（100）中或上。 在第一转向过程中在接触结构（11,12）之间出现的火花隙（3）主要通过气体或真空形式的环境介质和/或通过灌封。 第一次翻转最早出现在电压差为2？ΔU _{bet 的地方。}

公开(公告)号：WO2017032609A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/EP2016/069149

申请日：2016-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VÖLKL, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  MAURER, Josef ,  LEIRER, Christian

IPC: H05K13/04

CPC classification number: H05K13/0417

Abstract: Nach dem vorgeschlagenen Verfahren zum Abholen eines elektronischen Bauteils zur Bestückung wird zunächst ein Verpackungsmittel (2) mit wenigstens einer Tasche (3), die ein elektronisches Bauteil (4) aufweist, bereitgestellt. Daraufhin wird die Tasche (3) an einer Abholposition positioniert, indem das Verpackungsmittel (2) entlang zumindest einer Richtung (x, y, z) verschoben wird. Das elektronische Bauteil (4) in der Tasche (3) wird an der Abholposition mittels eines Magneten (5, 6)fixiert. Die bewegbare Düse (1) wird an die Abholposition bewegt und die Fixierung des elektronischen Bauteils (4) durch den Magneten (5, 6) gelöst. Es folgt eine Fixierung des elektronischen Bauteils (4) an der Düse (1), mittels eines Ansaugdrucks, der durch die Düse (1) vermittelt wird. Schließlich wird daselektronische Bauteil (4) aus der Tasche (3) abgeholtund durch Bewegen der bewegbaren Düse (1) an eine Arbeitspositionverschoben.

Abstract translation: 根据用于拾取的电子部件，用于安装所提出的方法，第一（2），其具有（3），其具有（4）提供了一种电子部件的至少一个口袋的包装材料。 于是，凹部（3）被定位在由所述包装装置（2）沿着至少一个方向（X，Y，Z）移动的拾取位置。 在袋（3）的电子部件（4）是在拾取位置由磁铁的装置（5,6）固定的。 可移动喷嘴（1）移动至拾取位置和电子部件（4）的由磁体固定（5,6）溶解。 通过这是通过喷嘴（1）介导的吸入压力的装置有如下的喷嘴（1）的电子元件（4）的固定。 最后，从所述槽（3）电子部件（4）是通过移动所述可移动喷嘴（1）到工作位置移位abgeholtund。

公开(公告)号：WO2016016098A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/EP2015/066919

申请日：2015-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZINI, Lorenzo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0217

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), - Aufbringen zumindest einer Metallisierung (4) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Kontaktseite (34) der Halbleiterschichtenfolge (3), - Anbringen eines Zwischenträgers (6) an der Halbleiterschichtenfolge (3), wobei eine Opferschicht (5) zwischen dem Zwischenträger (6) und der Halbleiterschichtenfolge (3) angebracht wird, - Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von der Halbleiterschichtenfolge (3), - Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einzelnen Chipbereichen (33), - mindestens teilweises Auflösen der Opferschicht (5), und - nachfolgend Entfernen des Zwischenträgers (6)..

Abstract translation: 该方法是用于光电子半导体芯片（1）被布置的制备和包括以下步骤： - 在生长衬底上生长半导体层序列（3）（2）， - 将至少一个金属化（4）在（2）的面向从接触侧远离生长衬底（34 ）半导体层序列（3）中， - 将中间载体（6）在该半导体层序列（3），其中，所述中间支架（6）和半导体层序列（3）之间的牺牲层（5）被附着， - 从生长衬底（2）的脱离 半导体层序列（3）， - 图案化该半导体层序列（3）成单独的芯片区域（33）， - 所述牺牲层（5）中的至少部分溶解，以及 - 随后除去中间载体（6）..

公开(公告)号：WO2013045190A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/066699

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  STAUSS, Peter

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  STAUSS, Peter

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  C23C14/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  C30B23/06 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C14/0617 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).

Abstract translation: 在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。 该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2） 具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

公开(公告)号：WO2013041424A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/EP2012/067808

申请日：2012-09-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERTKORN, Joachim ,  TAKI, Tetsuya ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  TAKI, Tetsuya ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die In x Ga 1-x N mit 0 y Ga 1-y N mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.

Abstract translation: 提供了一种用于制造光电子器件（12），其特征在于，（2）含有一个转移层的In x镓1-X N其中0 的x，生长在先前生长转印层（2）上，离子在所述另外的转移层（7）（用于形成分离区4 ）被植入，施加另一个载体基板（8），并且进一步转移层（7）由温度处理切断。 随后，包含有源层（10）从所述另外的载体基板（8）进一步转移层（7）的表面背对的半导体层序列（9）生长。