公开(公告)号：GB2494360B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：GB201300091

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K ,  MALING JEFFREY C

IPC: B81C1/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.

公开(公告)号：GB2499308A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201300243

申请日：2013-01-08

Applicant: IBM

Inventor： JAFFE MARK DAVID ,  ADKISSON JAMES WILLIAM ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY LEE ,  CANDRA PANGLIJEN ,  GAMBINO JEFFERY P ,  DUNBAR THOMAS J

IPC: H03H9/64 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145

Abstract: The fingers 22 of a movable electrode of an interdigital transducer (IDT) lie in a cavity above the piezoelectric layer 12 and are moved down to contact the layer 12, between the fingers 14 of a fixed electrode, by applying voltages to electrostatic actuator electrodes 16 or 24. Alternatively, the movable fingers 22 may be formed just above the layer 12 and the actuators used to move the fingers away from the layer 12 or to apply a downward pull-in contact force. The technique allows the switching into circuit of SAW filters without incurring the insertion loss caused by FET switches, or a reduction in Q factor. A SAW filter arrangement may be set to a desired frequency by activating or deactivating selected SAW filters.

公开(公告)号：DE112011102135T5

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Es werden Strukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) mit planarem Hohlraum, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen bereitgestellt. Das Verfahren weist das Bilden mindestens eines Hohlraums (60a, 60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens auf.

公开(公告)号：DE112011102134T5

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE112011102134

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden mindestens eines Hohlraums (60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) weist das Bilden einer ersten Hohlraum-Opferschicht (18) über einer Verdrahtungsschicht (14) und einem Substrat (10) auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden einer Isolatorschicht (40) über der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Durchführen eines reversen Damaszener-Rückätzverfahrens auf der Isolatorschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Planarisieren der Isolatorschicht und der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Austreiben oder Ablösen der ersten Hohlraum-Opferschicht zu einer planaren Fläche für einen ersten Hohlraum (60b) des MEMS auf.

公开(公告)号：GB2494824A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：GB201300040

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00 ,  H01H59/00

Abstract: A method of forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower electrode on a first insulator layer within a cavity of the MEMS. The method further includes forming an upper electrode over another insulator material on top of the lower electrode which is at least partially in contact with the lower electrode. The forming of the lower electrode and the upper electrode includes adjusting a metal volume of the lower electrode and the upper electrode to modify beam bending.

公开(公告)号：DE112010003412T5

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE112010003412

申请日：2010-08-12

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS L

IPC: B81C1/00

Abstract: Integrierte MEMS-Schalter, Entwicklungsstrukturen und Verfahren zum Herstellen solcher Schalter werden bereitgestellt. Zu dem Verfahren gehört das Bilden wenigstens eines Vorsprungs (32a) von Opfermaterial (36) auf einer Seite einer Schalteinheit (34), die von dem Opfermaterial umgeben ist. Das Verfahren enthält ferner das Entfernen des Opfermaterials durch wenigstens eine Öffnung (40), die auf delteinheit gebildet wird, und das Verschließen der wenigstens einen Öffnung mit einem Deckmaterial (42).

公开(公告)号：CA2708207A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：CA2708207

申请日：2009-02-11

Applicant: IBM

Inventor： LINDGREN PETER J ,  SPROGIS EDMUND J ,  STAMPER ANTHONY K ,  STEIN KENNETH J

IPC: H01L23/48

Abstract: A through substrate (10) via includes an annular conductor layer at a periphery of a through substrate (10) aperture, and a plug layer (24) surrounded by the annular conductor layer. A method for fabricating the through substrate (10) via includes forming a blind aperture within a substrate (10) and successively forming and subsequently planarizing within the blind aperture a conformal conductor layer (20) that does not fill the aperture and plug layer (24) that does fill the aperture. The backside of the substrate (10) may then be planarized to expose at least the planarized conformal conductor layer. (20)

公开(公告)号：DE10110566B4

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：DE10110566

申请日：2001-03-06

Applicant: IBM

Inventor： ELLIS-MONAGHAN JOHN J ,  FEENEY PAUL M ,  GEFFKEN ROBERT M ,  LANDIS HOWARD S ,  PREVITI-KELLY ROSEMARY A ,  BERGMAN-REUTER BETTE L ,  RUTTEN MATTHEW J ,  STAMPER ANTHONY K ,  YANKEE SALLY J

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: A method and structure for a semiconductor chip includes a plurality of layers of interconnect metallurgy, at least one layer of deformable dielectric material over the interconnect metallurgy, at least one input/output bonding pad, and a support structure that includes a substantially rigid dielectric in a supporting relationship to the pad that avoids crushing the deformable dielectric material.

公开(公告)号：DE102012223979B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102012223979

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L41/04 ,  H03H9/25

Abstract: Elektrisches Filter, aufweisend mindestens eine piezoelektrische Filterstruktur (5, 5'), umfassend eine Vielzahl von Elektroden (14, 16), die auf einem piezoelektrischen Substrat (10) gebildet sind und eine rechtwinklig zu der Vielzahl von Elektroden (14, 16) angeordnete bewegliche Balkenstruktur (26, 26a, 26b, 26c, 26d), die über der mindestens einen Filterstruktur (5, 5') angeordnet ist und strukturiert ist, um bei Betätigung ausgelenkt zu werden und so die mindestens eine Filterstruktur (5, 5') kurzzuschließen, indem die Balkenstruktur (26, 26a, 26b, 26c, 26d) mit mindestens zwei Elektroden der Vielzahl von Elektroden (14, 16) in Kontakt kommt.

公开(公告)号：GB2506770A8

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：GB201321363

申请日：2010-08-12

Applicant: IBM ,  RF MICRO DEVICES INC

Inventor： ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS LEDDY ,  STAMPER ANTHONY K ,  COSTA JULIO CARLOS ,  HAMMOND JONATHAN HALE

IPC: B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01H1/00

Abstract: A MEMS structure, comprising a lower forcing electrode and a lower contact electrode, remote from the lower forcing electrode; a cantilever beam 34 is positioned above the lower forcing electrode and the lower contact electrode; a capping layer 42 hermetically seals the lower forcing electrode, the lower contact electrode and the cantilever beam 34, the capping layer 42 having a sealed portion 40 positioned on a side of the lower contact electrode, remote from the lower forcing electrode and an end portion of the cantilever beam 34. Wherein the cantilever beam 34 may be devoid of stresses from material variability of a sealing material used to seal the capping layer 42.