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    41.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008049188A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：DE102008049188

    申请日：2008-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WUTZ OLIVER ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  SORG JOERG ,  BRAUNE BERT

    IPC: H01L25/075

    Abstract: An optoelectronic module is described including a carrier substrate and a plurality of radiation-emitting semiconductor components. The carrier substrate includes structured conductor tracks. The semiconductor components each include an active layer for generating electromagnetic radiation, a first contact area and a second contact area. The first contact area is in each case arranged on that side of the semiconductor components that is remote from the carrier substrate. The semiconductor components are provided with an electrically insulating layer having a cutout in a region of the first contact area. Conductive structures are arranged in regions on the insulating layer. One of the conductive structures electrically conductively connects at least the first contact area of a semiconductor component to a further first contact area of a further semiconductor component or to a conductor track of the carrier substrate. A method for producing such a module is also described.

    45.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004021175A1

    公开(公告)日：2005-11-24

    申请号：DE102004021175

    申请日：2004-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH ,  WINDISCH REINER ,  WEGLEITER WALTER

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

    Abstract: A semiconductor chip (1) for optoelectronics comprises a thin film containing a radiation-emitting zone with sides connecting rear and radiating sides and a film carrier at the back. There is a front contact (2) and a rear trench (3) with contact that does not overlap it and forms an inclined inner wall to turn the radiation. Independent claims are also included for the following: (A) a further semiconductor chip as above;and (B) production processes for these chips.

    Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    46.
    发明专利
    Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102008049069B4

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：DE102008049069

    申请日：2008-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SORG JÖRG ,  WEGLEITER WALTER ,  WUTZ OLIVER ,  WEIDNER KARL

    IPC: H01L25/18 ,  H01L33/00

    Abstract: Optoelektronisches Modul, das ein Trägersubstrat (1), zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (2b) und mindestens ein elektrisches Bauelement (3a) aufweist, wobei- das Trägersubstrat (1) zur elektrischen Kontaktierung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und des elektrischen Bauelements (3a) strukturierte Leiterbahnen aufweist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche (21b) und eine zweite Kontaktfläche (22b) aufweist, wobei die erste Kontaktfläche (21b) auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) angeordnet ist,- das elektrische Bauelement (3a) einen ersten Kontaktbereich (31) und einen zweiten Kontaktbereich (32) aufweist, wobei der erste Kontaktbereich (31) zumindest teilweise auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des elektrischen Bauelements (3a) angeordnet ist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) mit einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) versehen sind, die eine erste Aussparung (4a) im Bereich der ersten Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und eine zweite Aussparung (4b) im ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3) aufweist,- auf einem Teilbereich der ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) eine erste Leitstruktur (51a) angeordnet ist, die die erste Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) mit dem ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3a) elektrisch leitend verbindet,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (1) und zumindest ein weiteres elektrisches Bauelement (3b, 3d) auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (2b) und dem elektrischen Bauelement (3a) gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats (1) angeordnet sind und- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und/oder das elektrische Bauelement (3a) mit dem weiteren elektrischen Bauelement (3b, 3d) mittels einer weiteren Leitstruktur (6), die über eine Durchkontaktierung durch das Trägersubstrat (1) und die erste elektrisch isolierende Schicht (41) führt, elektrisch leitend verbunden ist.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    48.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012002605B4

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102012002605

    申请日：2012-02-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    50.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102012109083A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012109083

    申请日：2012-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  WEGLEITER WALTER ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/50 ,  C09D147/00 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist und das Konverterpartikel umfasst. Die Konverterpartikel sind in dem Konversionselement verteilt und konvertieren zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung. Weiter ist eine Passivierungsschicht vorhanden, die das Konversionselement vollständig umhüllt und/oder das Konversionselement umfasst eine Matrix, in die die Konverterpartikel eingebettet sind, wobei die Passivierungsschicht und/oder die Matrix ein Polymer umfassen.

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