Abstract:
본 발명은 5mJ 이상의 펄스 에너지에서 2000Hz인 것 보다 큰 펄스율로 펄스된 자외선 레이저 시스템에서 장기 수명 빔 퀄리티를 모니터링할 수 있는 자외선 레이저용 파장계(7A)를 제공한다. 바람직한 실시예에서 향상된 조명 구성은 통상적인 종래기술 구성에 비해 에탈론(184)의 펄스 조명 당 28인 인수만큼 감소시킨다. 본 바람직한 실시예에서 에탈론에 의해 산출된 간섭 패턴을 측정하도록 위치된 선형 광다이오드 어레이(180)를 일루미네이팅하기 위해 필요한 양만큼으로만 에탈론에 입사하는 광을 감소시키는 광학기구가 제공된다. 본 실시예에서 빔 스플리터(173)의 두 표면으로부터의 반사에 의해 산출된 두 개의 샘플 빔은 확산성 디퓨저(181D)에 의해 확산되고 확산성 디퓨저의 출력은 스펙트럼적으로 등가인 두 확산 빔을 두 개의 개별 디퓨저에 효과적으로 조합하는 두 개의 개별 이차 디퓨저(181G, 181R)상에 포커싱된다. 하나의 빔은 파장 및 대역폭 측정에 사용되고 다른 빔은 교정을 위해 사용된다. 바람직한 실시예에서 에탈론 챔버는 1.6 내지 2.4 퍼센트사이의 산소 농도를 갖는 질소를 함유한다. 빔, 펄스, 스펙트럼, 파장계, 디퓨저,
Abstract:
약 4,000Hz이상의 펄스율과 약 5mJ이상의 펄스에너지로 고품질의 펄스된 레이저빔을 산출할 수 있는 주입 시딩된 모듈러 가스 방전 레이저 시스템이 개시되었다. 두 개의 개별 방전 챔버가 제공되고, 하나는 제2 방전 챔버에서 증폭되는, 초협대역 시드 빔을 산출하는 마스터 오실레이터의 일부분이다. 챔버는 챔버 증폭에서 펄스 에너지 파라미터의 최적화 및 마스터 오실레이터에서 파장 파라미터의 개별 최적화를 개별적으로 허용하도록 제어된다. MOPA로서 구성된 ArF 엑시머 레이저 시스템의 바람직한 실시예는 집적회로 리소그래피를 위한 광원으로서의 사용을 위해 설계된다. 바람직한 MOPA 실시예에서, 각각의 챔버는 펄스간에 약 0.25 밀리초 미만의 시간으로 충전 영역으로부터의 잔해를 클리어시킴으로써 4,000Hz이상의 펄스율로 동작하는 것을 허용하기 위해 충분한 가스 흐름을 제공하는 단일 탄젠셜 팬을 포함한다. 마스터 오실레이터에는 0.2pm미만의 정밀도로 4,000Hz이상의 반복율로 펄스 기준에서 중심라인 파장을 제어할 수 있는 초고속 튜닝 미러를 갖는 라인 협소화 패키지가 구비된다. 펄스율, 광원, 파장, 가스 방전 레이저, 펄스, 미러, 방전 챔버, 전극
Abstract:
본원발명은 초당 6,000-10,000 펄스 범위의 반복률에서 프로덕션 라인 커패시티내의 신뢰가능한 장기간 동작가능한 가스 방전 레이저 시스템을 제공한다. 바람직한 실시예는 포토리소그래피에 사용된 KrF, ArF, F 2 레이저로 구성되어 있다. 개선점에는 가스 플로를 증가시키기 위해 애노드(542) 바로 옆에 흡입 팬(555)이 포함된다. 팬(555)의 흡입구는 애노드(542)와 절연 스페이서(544B) 사이에 있다. 챔버, 레이저, 반복률, 피드백, 엑시머, 광원
Abstract:
Systems and methods are disclosed for shaping and homogenizing a laser beam for interaction with a film. The shaping and homogenizing system may include a lens array and a lens that is positioned to receive laser light from the lens array and produce a respective elongated image in a plane for each lens in the lens array. In addition, the system may include a beam stop having an edge that is positioned in the plane, and a moveable mount rotating a lens of the lens array to vary an alignment between one of the elongated images and the beam stop edge.
Abstract:
An injection seeded modular gas discharge laser system (2) capable of producing high quality pulsed beams at pulse rates of about 4,000 Hz or greater and at pulse energies of about 5 mJ or greater. Two separate discharge chambers are provided, one of which is a part of a master oscillator (10) producing a very narrow band seed beam, which is amplified (12) in the second discharge chamber. The chambers can be controlled separately permitting separate optimization of wavelength parameters in the master oscillator and optimization of pulse energy parameters in the amplifying chamber. A preferred embodiment in the ArF excimer laser system configured as a MOPA and specifically designed for use as a light source for integrated circuit lithography. In the preferred MOPA embodiment, each chamber comprises a single tangential fan (10A) providing sufficient gas flow to permit operation at pulse rates of 4,000 Hz or greater by cleaning debris from the discharge region in less time that the approximately 0.25 milliseconds between pulses. The masters oscillation is equipped with a line narrowing package having a very fast tuning mirror capable of controlling centerline wavelength on a pulse-to-pulse basis at repetition rates of 4000 Hz or greater to a precision of less than 0.2 pm.
Abstract:
An apparatus and method for providing bandwidth control in a narrow band short pulse duration gas discharge laser output light pulse beam producing system, producing a beam comprising laser output light pulses at a selected pulse repetition rate, is disclosed which may comprise a dispersive bandwidth selection optic (Fig. 1, character 120) selecting at least one center wavelength for each pulse determined at least in part by the angle (of incidence of the laser light pulse beam containing the respective pulse on the dispersive wavelength selection optic; a tuning mechanism operative to select at least one angle (Deltaalpha L)of incidence of the a laser light pulse beam containing the respective pulse upon the dispersive center wavelength selection optic; the tuning mechanism comprising a plurality of incidence angle selection elements each defining an angle of incidence for a different spatially separated but not temporally separated portion of the laser light pulse to return from the dispersive center wavelength selection optic a laser light pulse comprising a plurality of spatially separated but not temporally separated portions, each portion having one of at least two different selected center wavelengths. The tuning mechanism may comprise a temporal angle (DeltaalphaL) of incidence selection element defining an angle of incidence for different temporally separated portions of the pulse to return from the dispersive bandwidth selection optic a laser beam comprising a plurality of temporally separated portions of each pulse, each temporally separated portion of each pulse having one of at least two different selected center wavelengths. The tuning mechanism may comprise a plurality of spatial incidence angle selection elements each defining an angle of incidence for a spatially separated but not temporally separated portion of the laser light pulse, and a plurality of temporal angle of incidence selection elements each defining at least a first angle of incidence for at least a first temporally separated portion of each spatially separated but not temporally separated portion of the pulse and a second angle of incidence for a second temporally separated but not spatially separated portion of each spatially separated portion of the pulse. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract:
협대역 레이저의 파장을 측정하고 조절하는 파장 시스템. 시스템은 파장에서의 증분 변화를 측정하는 웨이브미터(120)와 웨이브미터(120)를 측정하는 원자 파장 기준(190)을 포함한다. 원자 파장 기준(190)은 원하는 동작 파장에 가까운 적어도 하나의 흡수선을 가진 증기를 제공하는 증기셀(194)을 포함한다. 시스템은 웨이브미터(120)를 측정하기 위해 흡수선의 파장에서 동작하는 레이저를 조정하기에 충분한 조정 범위를 가진 파장 조정 장치(36)를 포함한다. 바람직한 실시예에서 레이저는 ArF 레이저이고 증기는 백금이며 흡수선은 193,224.3pm이거나 293,436.9이다. 종래의 기술 장치에 대한 개선점은 엘라스토머를 사용하지 않고 에탈론에 대한 저응력 3점 현수 지지부를 제공하는 지지 플랜지를 가진 개선된 에탈론을 포함한다. 협대역 레이저, 파장 시스템, 웨이브 미터, 원자 파장 기준, 흡수선, 증기셀, 엘라스토머
Abstract:
The present invention provides a modular high repetition rate ultraviolet gas discharge laser light source with a beam delivery to a production line machine. The system includes an enclosed and purged beam path with beam pointing control for delivery the laser beam to a desired location such as the entrance port of the production line machine. Preferred embodiments include equipment for beam attenuation, equipment for automatic feedback beam alignment and equipment for accurate optics module positioning at installation and during maintenance. In preferred embodiments, the production line machine is a lithography machine and two separate discharge chambers are provided, one of which is a part of a master oscillator producing a very narrow band seed beam which is amplified in the second discharge chamber. This MOPA system is capable of output pulse energies approximately double the comparable single chamber laser system with greatly improved beam quality. A pulse stretcher more than doubles the output pulse length resulting in a reduction in pulse power (mJ/ns) as compared to prior art laser systems. This preferred embodiment is capable of providing illumination at a lithography system wafer plane which is approximately constant throughout the operating life of the lithography system, despite substantial degradation of optical components.
Abstract:
고속 파장 보정 기능을 갖춘 전기 방전 레이저가 개시되었다. 고속 파장 보정 장비는 적어도 하나의 압전 구동기와 고속 파장 측정 시스템(104)과 고속 피드백 응답 시간을 포함한다. 바람직한 실시예에서, 수밀리미터의 저속 시간 프레임, 약 1 내지 5 밀리초의 중속 시간 프레임 및 수 마이크로초의 초고속 프레임상에서 파장을 제어하기 위해 장비가 제공된다. 바람직한 기술은 튜닝 미러를 사용하여 레이저 파장을 튜닝하기 위해 초고속 압전 구동기와 비교적 저속인 스테퍼 모터의 조합을 포함한다. 초고속 파장 제어는 압전 구동기와의 조합으로 압전 로드 셀에 제공된다. 바람직한 실시예는 파장 측정치, 고속 진동 제어, 로드 셀 및 액티브 댐핑 모듈(320)을 사용한 액티브 댐핑, 및 이력 버스트 데이터를 기초로 하여 피드 포워드 알고리즘을 사용한 트랜지언트 반전에 기초하여 고속 피드백 제어를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: F2 laser with visible red and IR control is provided to realize a reliable, modular, production quality F2 excimer laser capable of producing, at repetition rates in the range of 1,000 to 2,000 Hz or greater, laser pulses with pulse energies in the range of a few mJ with a full width half, maximum bandwidth of about 1 pm or less at wavelengths in the range of 157 nm. CONSTITUTION: A very narrow band reliable modular production quality high repetition rate F2 excimer laser for producing a narrow band pulsed laser beam at repetition rates of at least about 1000 Hz, the laser comprising: A) a laser chamber module comprising a laser chamber comprising: 1) two elongated electrodes; 2) a laser gas comprised of a) fluorine, and b) a buffer gas mixture comprising helium and neon; 3) a gas circulator for circulating the gas between the electrodes at speeds of at least two cm/millisecond B. a pulse power system of a power supply and pulse compression and amplification circuits and pulse power controls for producing high voltage electrical pulses of at least 14,000 volts across the electrodes at rates of at least about 1000 Hz; and C) a laser pulse energy control system for controlling the voltage provided by the pulse power system, the control system comprising a laser pulse energy monitor and a computer processor programmed with an algorithm for calculating, based on historical pulse energy data, electrical pulses needed to produce laser pulses having pulse energies within a desired range of energies.