公开(公告)号：KR1020060002805A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057016676

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: A method for removing a silicon oxide film is disclosed which enables to efficiently remove a silicon oxide film such as a natural oxide film or a chemical oxide film at a temperature considerably higher than room temperature. In the method for removing a silicon oxide film formed on the surface of an object (W) to be processed within an evacuatable process chamber (18), the silicon oxide film is removed by using a mixed gas of HF gas and NH3 gas. By using the mixed gas of HF gas and NH3 gas, the silicon oxide film formed on the surface of the object can be efficiently removed.

Abstract translation: 公开了一种去除氧化硅膜的方法，其能够在远高于室温的温度下有效地除去氧化硅膜，例如天然氧化物膜或化学氧化物膜。 在除去在可抽空处理室（18）内待处理物体（W）的表面上形成的氧化硅膜的方法中，通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体除去氧化硅膜。 通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体，可以有效地除去形成在物体表面上的氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020050097969A

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: A treating system comprising a reaction vessel having a substrate to be treated placed therein, a mechanism for supplying a treating gas into the reaction vessel when a substrate is treated, a mechanism for supplying a corrosive cleaning gas into the reaction vessel at cleaning, an exhaust-path member connected to the reaction vessel, a heating means for heating the reaction vessel and a specific part of the exhaust-path member, a means for detecting the temperature of the specific part, a temperature control means for controlling the heating means based on a detection value detected by the temperature detecting means so that the specific part reaches a specified target temperature, and a temperature changing means for changing the target temperature according to different steps --- substrate treating and cleaning. The target temperature is set by the temperature changing means to one at which the deposition of a reaction byproduct on the specific part can be prevented at substrate treating, while it is set to one at which the corrosion of the specific part can be prevented at cleaning.

Abstract translation: 一种处理系统，包括具有待处理基板的反应容器，用于在处理基板时将处理气体供应到反应容器中的机构，用于在清洁时将腐蚀性清洁气体供应到反应容器中的机构，排气 连接到反应容器的平台部件，用于加热反应容器和排气通道部件的特定部分的加热装置，用于检测特定部件的温度的装置，用于基于以下步骤控制加热装置的温度控制装置： 由温度检测装置检测出的特定部位达到规定的目标温度的检测值，以及根据不同的步骤改变目标温度的温度改变装置 - 基板处理和清洁。 目标温度由温度变化装置设定为在基板处理时可以防止在特定部分上沉积反应副产物的目标温度，同时将其设定为可以在清洁时防止特定部分的腐蚀的温度 。

公开(公告)号：KR1020050036733A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020040081554

申请日：2004-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도오아쯔시 ,  스즈끼다이스께 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050021339A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A heat treatment method is provided to control the particles adhered to an object to be processed by easily exhausting the particles of the object to be processed and a retaining support unit to the outside of a reaction chamber. CONSTITUTION: A retaining support unit in which a plurality of objects to be processed are retained at an interval of a predetermined pitch is carried into a reaction chamber. The inside of the reaction chamber having the retaining support unit is increased in temperature and reduced in pressure, wherein the inside of the reaction chamber is decompressed 1-5 minutes after the temperature of the inside of the reaction chamber starts to increase.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理方法，通过容易地将待处理物体的颗粒和保持支撑单元排出到反应室的外部来控制附着于待处理物体的颗粒。 构成：以预定间距的间隔保持待处理的多个物体的保持支撑单元被携带到反应室中。 具有保持支撑单元的反应室的内部温度升高并且压力降低，其中反应室内部在反应室内部的温度开始增加之后1-5分钟减压。

公开(公告)号：KR1020040086317A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980064234A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019970069898

申请日：1997-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이토아츠미 ,  다고겐지 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 종형열처리로(15)에 열처리해야할 복수의 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 피치로 지지하는 웨이퍼보트가 복수의 지주(2)와, 상기 웨이퍼의 주연부를 지지하기 위한 상기 지주에 형성된 웨이퍼 지지홈(6) 및, 상기 웨이퍼와 거의 동일한 크기 또는 그 이상의 크기로 형성되고, 상하에 이웃한 상기 웨이퍼 지지홈에 설치된 막 두께 균일화판을 구비하고 있다. 이것에 의해, 웨이퍼의 상면 대향면의 막 재료를 동일한 것으로 하여, 형성되는 막 두께의 균일화가 달성된다.

公开(公告)号：KR101514867B1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

Abstract: 오목부를 포함하는 패턴이 형성된 복수의 기판을 다단으로 하여 반응관에 탑재하는 스텝과, 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 복수의 기판 상에 산화 실리콘막을 성막하는 성막 스텝과, 불산 가스 및 암모니아 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 성막 스텝에 있어서 성막된 상기 산화 실리콘막을 에칭하는 에칭 스텝을 포함하고, 상기 성막 스텝과 상기 에칭 스텝이 교대로 반복되는 성막 방법이 개시된다.

Abstract translation: 通过向所述反应管供应含硅气体和含氧气体，在所述多个基板上形成氧化硅膜的步骤; 并且，通过供给HF气体和氨气到反应管中，该膜的形成方法包括在所述沉积步骤中蚀刻所述氧化硅膜的沉积的蚀刻步骤中，在沉积步骤和蚀刻步骤反复交替启动 是的。

公开(公告)号：KR1020120046065A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：KR1020110111437

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/24 ,  B05C11/00 ,  B05C13/02 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

Abstract: PURPOSE: A vertical heat treating apparatus is provided to prevent a thin film from being generated on a contiguous area between a substrate and a substrate holder by supplying a film forming gas while rotating the substrate holder. CONSTITUTION: A wafer boat(11) supports a plurality of substrates(W). A reaction tube(12) accepts a wafer boat inside and performs a film forming process for each substrate. The reaction tube is composed of a dual industrial structure of an outer tube(12a) and an inner tube(12b) accepted inside the outer tube. A main body(14) of a heating furnace including a heater(13) is installed at the outside of the reaction tube. An exhaust duct(22) is connected with a vacuum pump(24) through a pressure regulator(23).

Abstract translation: 目的：提供一种垂直热处理装置，以防止在旋转衬底保持器的同时通过供给成膜气体在衬底和衬底保持器之间的连续区域上产生薄膜。 构成：晶片舟（11）支撑多个基片（W）。 反应管（12）接纳晶片舟皿，并对每个基片进行成膜处理。 反应管由外管（12a）和接纳在外管内的内管（12b）的双工业结构组成。 包括加热器（13）的加热炉的主体（14）安装在反应管的外部。 排气管道（22）通过压力调节器（23）与真空泵（24）连接。

公开(公告)号：KR101141870B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020070004154

申请日：2007-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 탄화 수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 처리 영역에 대한 제1 처리 가스의 공급을 행하는 공정과, 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 공정과, 처리 영역에 대한 제3 처리 가스의 공급을 행하는 공정을 반복하여 구비한다. 제3 처리 가스의 공급을 행하는 공정은, 제3 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다.
처리 영역, 성막 장치, 매니폴드, 가스 여기부, 유량 제어기

公开(公告)号：KR100974969B1

公开(公告)日：2010-08-09

申请号：KR1020050067677

申请日：2005-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: 실리콘 질화막의 형성 방법은, 우선 반응 용기의 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 질화막을 퇴적한다. 여기서, 제1 시간에 걸쳐 처리 영역 내에 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 다음에, 처리 영역 내에서 실리콘 질화막의 표면을 질화한다. 여기서, 제1 시간보다 짧은 제2 시간에 걸쳐, 처리 영역 내에 제1 처리 가스를 공급하지 않고 질화 가스를 포함하는 표면 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구