公开(公告)号：DE102022102181A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102022102181

申请日：2022-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ANANIEV SERGEY ,  BEHRENDT ANDREAS ,  DÖPKE HOLGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  SORGER MICHAEL ,  THURMER DOMINIC

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Hauptoberfläche (104) aufweist, und eine Metallstruktur (112) über der ersten Hauptoberfläche (104). Die Metallstruktur (112) weist ein Peripheriegebiet (116) auf, das einen Übergangsabschnitt (118) enthält, entlang dem die Metallstruktur (112) von einer ersten Dicke (T1) zu einer zweiten Dicke (T2) übergeht, die geringer als die erste Dicke (T1) ist. Ein polymerbasiertes Isoliermaterial (136) berührt das Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112) und bedeckt zumindest dieses. Eine Dicke (T-poly) des polymerbasierten Isoliermaterials (136) beginnt auf einer ersten Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, zuzunehmen und nimmt in einer Richtung hin zum Übergangsabschnitt (118) weiter zu. Eine durchschnittliche Neigung einer Oberfläche (148) des polymerbasierten Isoliermaterials (136), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, ist wie in Bezug auf die erste Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112) gemessen geringer als 60 Grad entlang dem Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112).

公开(公告)号：DE102015109545B4

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Transistorbauelement, das zumindest eine Transistorzelle aufweist, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist:in einem Halbleiterkörper (100), ein Driftgebiet (11) von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet (14) vom ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (15) von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet (17) vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet (15) zwischen dem Sourcegebiet (14) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (15) und dem Draingebiet (17) angeordnet ist;eine zu dem Bodygebiet (15) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (15) dielektrisch isolierte Gateelektrode (21);eine Feldelektrode (31), die durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) gegenüber dem Driftgebiet (11) dielektrisch isoliert ist;wobei das Driftgebiet (11) ein Lawinengebiet (13) aufweist, wobei das Lawinengebiet (13) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets (11), und das in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements von dem Feldelektrodendielektrikum (32) beabstandet ist,wobei die Feldelektrode (31) in einem nadelförmigen Graben angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014019923B3

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102014019923

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Ausführen einer anodischen Oxidation (110) einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht;Reduzieren (120) einer Anzahl von verbleibenden, oxidierenden Ionen innerhalb der Oxidschicht, während sich das Halbleitersubstrat innerhalb eines Elektrolyten befindet; undAustauschen des Elektrolyten, der zum Ausführen der anodischen Oxidation verwendet wird, gegen einen Elektrolyten, der weniger oder keine oxidierenden Ionen aufweist, um die Anzahl von verbleibenden, oxidierenden Ionen innerhalb der oxidierten Oberflächenregion zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102016120292A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120292

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MATOY KURT ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (10) einer Ausführungsform enthält eine Transistorvorrichtung (11) in einem Halbleiterdie (100), das einen Halbleiterkörper (101) umfasst. Die Transistorvorrichtung (11) umfasst Transistorzellen (102), die parallel verbunden sind und zumindest 80 % eines gesamten aktiven Gebiets (103) an einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (101) bedecken. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung (10) ein Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) an der ersten Oberfläche (104), das mit einer Steuerelektrode (106) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden ist. Ein erstes Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) an der ersten Oberfläche (104) ist mit einem ersten Lastanschlussgebiet (108) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (10) enthält ferner einen Widerstand (R) in dem Halbleiterdie (100), der zwischen das Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) und das erste Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102015105005A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102015105005

申请日：2015-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst ein Trenchtransistorzellarray (101) in einem Halbleiterkörper (102). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin einen Randabschlussbereich (103) des Trenchtransistorzellarrays (101). Wenigstens zwei erste Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052) erstrecken sich in den Halbleiterkörper (102) von einer ersten Seite (107) und sind nacheinander längs einer lateralen Richtung (x) angeordnet. Der Randabschlussbereich (103) ist längs der lateralen Richtung (x) zwischen dem Trenchtransistorzellarray (101) und den wenigstens zwei ersten Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052) angeordnet. Erste Hilfselektroden (117) in den wenigstens zwei ersten Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052) sind elektrisch miteinander verbunden und elektrisch von Elektroden (1191, 1192) in Trenches (110) des Trenchtransistorzellarrays (101) entkoppelt.

公开(公告)号：DE102015104570A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102015104570

申请日：2015-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L23/14

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Chip bereitgestellt. Der Chip kann einen Chipkörper und eine vordere Metallisierungsstruktur auf einer Vorderseite des Chipkörpers und/oder eine rückseitige Metallisierungsstruktur auf einer Rückseite des Chipkörpers derart enthalten, dass der Chip eben ist oder einen positiven Krümmungsradius in einem Temperaturbereich eines Chipbefestigungsverfahrens enthält.

公开(公告)号：DE102014112644A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112644

申请日：2014-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst einen Halbleiterchip. Der Umriss einer Vorderseite des Halbleiterchips umfasst zumindest eines von einer polygonalen Linie, die zwei in einem Innenwinkel von mehr als 90° miteinander verbundene Liniensegmente umfasst, und einer bogenförmigen Linie.

公开(公告)号：DE102014112186A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112186

申请日：2014-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Leistungshalbleiterchipgehäuse umfasst ein Gehäuse (360), einen Halbleiterchip (310), der in dem Gehäuse (360) eingebettet ist und zumindest vier Anschlüsse (371, 372, 373, 374), die teilweise in dem Gehäuse (360) eingebettet sind und teilweise zur Außenseite des Gehäuses (360) hin freiliegen. Der Halbleiterchip (310) umfasst eine erste Dotierregion in ohmschem Kontakt mit einer ersten Metallschicht (351), eine zweite Dotierregion in ohmschem Kontakt mit einer zweiten Metallschicht und eine Vielzahl von ersten Gräben, die Gateelektroden und erste Feldelektroden umfassen, die elektrisch von den Gateelektroden isoliert sind. Ein erster Anschluss (371) der vier Anschlüsse ist elektrisch mit der ersten Metallschicht (351) verbunden, ein zweiter Anschluss (372) der vier Anschlüsse ist elektrisch mit der zweiten Metallschicht verbunden, ein dritter Anschluss (373) der vier Anschlüsse ist elektrisch mit den Gateelektroden der ersten Gräben verbunden und ein vierter Anschluss (374) der vier Anschlüsse ist elektrisch mit den ersten Feldelektroden der ersten Gräben verbunden.

公开(公告)号：DE102014107003A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014107003

申请日：2014-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Eine erste Ausgestaltung betrifft ein Halbleiterbauelement (100). Das Halbleiterbauelement (100) weist einen Halbleiterkörper (1) mit einer Unterseite (12) und einer von der Unterseite (12) in einer vertikalen Richtung (v) beabstandete Oberseite (11) auf. In der vertikalen Richtung besitzt der Halbleiterkörper (1) eine bestimmte Dicke (d1). Das Halbleiterbauelement (100) besitzt weiterhin einen Bruchsensor (5), der dazu ausgebildet ist, einen Bruch (99) in dem Halbleiterkörper (1) zu detektieren. Der Bruchsensor (5) erstreckt sich in den Halbleiterkörper (1) hinein. Ein Abstand zwischen dem Bruchsensor (99) und der Unterseite (12) ist geringer als die Dicke des Halbleiterkörpers (1).

公开(公告)号：DE102013114410A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102013114410

申请日：2013-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  DINKEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  CAPODIECI VANESSA

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Hauptfläche mit einer polygonalen Geometrie und eine elektrische Hauptschaltung umfasst, die innerhalb einer Hauptregion auf dem Halbleitersubstrat gefertigt ist. Die elektrische Hauptschaltung kann so betrieben werden, dass sie eine elektrische Hauptfunktion ausführt. Die Hauptregion erstreckt sich über die Hauptfläche des Halbleitersubstrats, wobei sie mindestens einen Eckbereich an einem Eckpunkt der polygonalen Geometrie der Hauptfläche des Halbleitersubstrats frei lässt. Der Eckbereich verläuft beginnend am Eckpunkt mindestens 300 μm entlang der Kanten des Halbleitersubstrats.