公开(公告)号：TW200701341A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095108719

申请日：2006-03-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 努頓 莎貝之聖E. 凡 NOOTEN, SEBASTIAN E. VAN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  拉薩內尼 佩托 RAISANEN, PETRI ,  艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: H01L

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L29/66181

Abstract: 藉由電漿增强原子層沉積之變化而形成非共形層的方法,其中脈衝持續時間、間隔、RF功率工作時間、反應物濃度、壓力及電極間距中之一或多者違背真實自飽和反應,以在空乏效應模式下操作。因此接近基板表面發生沉積,但控制其在到達開口內之指定距離後終止。適合於此調變之反應器組態有簇射頭如原位電漿反應器,其具有可調整電極間距。另外,使有開口的基板與至少兩不同反應物交替且依序接觸,其中已預定至少一反應物之不飽和劑量且在基板表面均一地提供不飽和劑量,再沉積不完全覆蓋開口表面的膜,以導致基板表面較不可及區域中的空乏效應。

Abstract in simplified Chinese: 借由等离子增强原子层沉积之变化而形成非共形层的方法,其中脉冲持续时间、间隔、RF功率工作时间、反应物浓度、压力及电极间距中之一或多者违背真实自饱和反应,以在空乏效应模式下操作。因此接近基板表面发生沉积,但控制其在到达开口内之指定距离后终止。适合于此调制之反应器组态有簇射头如原位等离子反应器,其具有可调整电极间距。另外,使有开口的基板与至少两不同反应物交替且依序接触,其中已预定至少一反应物之不饱和剂量且在基板表面均一地提供不饱和剂量,再沉积不完全覆盖开口表面的膜,以导致基板表面较不可及区域中的空乏效应。

公开(公告)号：TW200618109A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094129189

申请日：2005-08-26

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 史維特斯 强瀚 SWERTS, JOHAN ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE ,  海凡寇特 魯班 HAVERKORT, RUBEN ,  萬月玫 WAN, YUET MEI ,  迪 柏雷克 瑪琳俄斯J. DE BLANK, MARINUS J. ,  樊 德 捷 康奈爾斯A. VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  布雷斯 雅各布斯 約翰尼斯 BEULENS, JACOBUS JOHANNES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 已藉由暴露於一遠端受激物種而被啟動的一氮前驅(precursor)被做為反應物以形成含氮層。遠端受激物種例如可以是已在一微波基產生器受激的氮氣、氬及／或氦。在微波基產生器之下游與基板之上游，受激物種流與氨流混合。受激物種啟動氨。基板同時暴露於被啟動的氨與受激物種。基板也可在化學氣相沈積中暴露於其他物種的前驅以形成一化合物層。此外，已沈積層可藉由暴露於被啟動的氨與受激物種而被氮化，其較只使用受激氮氣的電漿氮化或只使用氨的熱氮化導致更高階的氮組織，並具有相同製程溫度與氮化持久性。

Abstract in simplified Chinese: 已借由暴露于一远程受激物种而被启动的一氮前驱(precursor)被做为反应物以形成含氮层。远程受激物种例如可以是已在一微波基产生器受激的氮气、氩及／或氦。在微波基产生器之下游与基板之上游，受激物种流与氨流混合。受激物种启动氨。基板同时暴露于被启动的氨与受激物种。基板也可在化学气相沉积中暴露于其他物种的前驱以形成一化合物层。此外，已沉积层可借由暴露于被启动的氨与受激物种而被氮化，其较只使用受激氮气的等离子氮化或只使用氨的热氮化导致更高级的氮组织，并具有相同制程温度与氮化持久性。

公开(公告)号：TWI531675B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW099110511

申请日：2010-04-06

Applicant: ASM美國公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 哈爾平 麥可 ,  HALPIN, MIKE ,  馬瑞司 丹 ,  MAURICE, DAN ,  席羅 艾瑞克 ,  SHERO, ERIC ,  特豪斯特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT ,  佛吉斯 摩希茲 ,  VERGHESE, MOHITH ,  懷特 卡爾 ,  WHITE, CARL

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/0228 ,  Y10T137/85938

公开(公告)号：TWI515816B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW099101229

申请日：2010-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 里德 約瑟夫C ,  REED, JOSEPH C. ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01L21/68742

公开(公告)号：TW201601216A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104131335

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根羅伯特B. ,  MILLIGAN,ROBERT B. ,  李東 ,  LI,DONG ,  馬庫斯史蒂芬 ,  MARCUS,STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TWI511222B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW098118569

申请日：2009-06-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾格渥 拉敏德 ,  AGGARWAL, RAVINDER ,  海洛 鮑勃 ,  HARO, BOB

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/46

公开(公告)号：TWI509108B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW099112156

申请日：2010-04-19

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 瑞格哈瓦 斯里尼 ,  RAGHAVAN, SRINI ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  維埃茲 莫西斯 ,  VERGHESE, MOHITH

IPC: C23F1/32 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  C23F11/06

CPC classification number: C09K13/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/45525 ,  C23G1/18 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22

公开(公告)号：TWI506256B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW099114331

申请日：2010-05-05

Applicant: ASM美洲公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 阿嘉瓦 拉凡德K ,  AGGARWAL, RAVINDER K. ,  康納 藍得 ,  CONNER, RAND

IPC: G01K7/10 ,  G05D23/22

CPC classification number: G01K7/02 ,  G01K1/02 ,  G05D23/1931 ,  G05D23/22

公开(公告)号：TWI499686B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW099127595

申请日：2010-08-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 雪洛 艾立克J ,  SHERO, ERIC J. ,  維埃茲 莫西斯 ,  VERGHESE, MOHITH ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31645

公开(公告)号：TWI488993B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW101106341

申请日：2012-02-24

Applicant: ASM美國公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 鮑爾 馬西亞斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  巴特力特 葛來高瑞M ,  BARTLETT, GREGORY M.

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67069 ,  Y10T137/0357