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公开(公告)号:KR101019444B1
公开(公告)日:2011-03-07
申请号:KR1020070037375
申请日:2007-04-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 기판과 함께 회전 가능한 회전 컵과, 회전 컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 기구와, 회전 컵의 배기 및 배액을 행하는 배기·배액부를 포함한다. 배기·배액부는 주로 기판으로부터 털어진 처리액을 받아들여 배액하는 환형을 이루는 배액 컵과, 배액 컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전 컵 및 그 주위로부터의 주로 기체 성분을 받아들여 배기하는 배기 컵을 포함하며, 배액 컵으로부터의 배액과 배기 컵으로부터의 배기를 독립적으로 실행한다.
Abstract translation: 本发明的液体处理装置中,水平地保持基板,并旋转基板支架成为可能,通过所述衬底保持器,可旋转的旋转杯保持的基板周围,并与所述基板与所述基板部保持旋转杯以及基板一起一起 用于将处理液供应到基板的液体供应机构以及用于执行旋转杯的排出和排出的排出和分配部。 排气·排水单元和排水杯主要形成环形排水从衬底接受处理液二进制断,它被设置成围绕排液杯的外侧,旋转杯以及从周围排气排气接受一个主要气体组分 杯子与排水杯和排气杯分开分配。
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公开(公告)号:KR100762522B1
公开(公告)日:2007-10-01
申请号:KR1020060021016
申请日:2006-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67742 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67178
Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.-
公开(公告)号:KR100704749B1
公开(公告)日:2007-04-09
申请号:KR1020000041329
申请日:2000-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 아키모토마사미
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 어느 하나의 핫 플레이트유닛에 의해 가열처리된 웨이퍼는, 반송장치에 의해 어느 하나의 통상의 쿨링유닛에 반송되어, 어느 정도 냉각처리가 이루어진 후, 고정도 쿨링유닛에 반송되어 고정도로 냉각처리되고, 그 후, 어느 하나의 도포유닛 또는 현상유닛에 반송되어짐으로써, 설비비용을 증대시키지 않고도 쓰루우풋을 저하시키지 않고 기판을 고정도로 냉각처리한 후에 도포처리를 수행할 수 있는 기술이 제시된다.
Abstract translation: 本发明已经作出后的涉及一种基板处理装置和基板处理方法,任何由热板单元处理的晶片的加热,被转印到由所述转印装置的以往的冷却单元中的任何一个,在一定程度上的冷却过程 时,精度和加工和后运送到冷却单元的冷却程度,然后,任何涂布单元或通过携带doeeojim所述单元中的显影,与基板的不降低槽wooput而不增加设备冷却过程中的成本,以便 介绍了一种能够执行涂覆过程的技术。
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公开(公告)号:KR100676545B1
公开(公告)日:2007-01-30
申请号:KR1020000051477
申请日:2000-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/162 , G03F7/3021 , G03F7/3028
Abstract: 복수의 현상처리장치를 갖는 FAB에 있어서, FAB내에 설치된 기압계로 기압을 측정하고, 그 측정치는 호스트 컴퓨터를 통하여 각 현상처리장치에 보내진다.
각 현상처리장치에서는, 그 값을 토대로, 그 기압치가 미리 약액의 종류마다 설정되어 있는 소정의 허용치를 넘었을 경우에만, 레지스트액 도포 유니트의 기판 회전수를 조정한다. 이것에 의해, 장치를 번잡하게 하는 것 없이 설비투자를 최소한으로 억제하여, 기판의 도포막을 소정의 막 두께로 유지할 수 있다.Abstract translation: 在具有多个显影处理装置的FAB中,利用安装在FAB中的气压计测量大气压力,并且经由主计算机将测量值发送到各个显影处理装置。
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公开(公告)号:KR100630511B1
公开(公告)日:2006-09-29
申请号:KR1020000051475
申请日:2000-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67248 , G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/67109 , Y10S134/902
Abstract: 외부로부터 받아들인 외기를 냉각기에서 소정의 온도로 냉각하고, 냉각기에서 냉각된 공기를 열교환기의 저온측 유로에 흐르게 하는 한편, 열교환기의 고온측 유로에 외기를 흐르게 하여, 냉각된 공기와 외기와의 사이에서 열교환이 행하여지도록 한다. 이 열교환기의 저온측 유로를 흐르고, 고온측 유로를 흐르는 외기에 의해 데워진 공기를 가온기 또는 가습기에 의해 가온·가습하여 소정의 온도 및 습도의 공기를 도포처리유니트로 공급한다. 또, 열교환기의 고온측 유로를 흐르고, 저온측 유로를 흐르는 공기에 의해 냉각된 외기를 가온기에 의해 가온하여 소정 온도의 공기를 현상처리유니트에 공급한다. 이에 의해, 도포처리유니트 및 현상처리유니트에 공급하는 공기의 온도라든가 습도를 조정하기 위한 장치의 소형화 및 소비 전력등의 가동 비용의 절감을 꾀할 수 있다.
Abstract translation: 冷却在规定的温度由冷却器从外部接收的空气,和用于通过在热交换器中,冷却空气和外部空气的高温侧流路流动的空气从冷却器冷却的空气流至热交换器的低温侧流路另一方面,和 进行热交换。 中流动的热交换器的低温侧流路,在高温侧及middot由流过流动路径的加热热交换器或加湿器室外空气通过所述加热的空气升温;加湿器在涂布单元提供预定的空气温度和湿度。 此外,它通过加热由流经低温侧流路中的空气和供给预定温度的空气到显影处理单元冷却的空气流在热交换器的高温侧流路,通过加热。 结果,可以降低用于调节供应给涂布处理单元和显影处理单元的空气的温度或湿度的装置的操作成本,例如尺寸减小和功耗。
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公开(公告)号:KR1020060097613A
公开(公告)日:2006-09-14
申请号:KR1020060021016
申请日:2006-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67742 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67178
Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.-
公开(公告)号:KR100617478B1
公开(公告)日:2006-09-04
申请号:KR1020000078204
申请日:2000-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0208 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , H01L21/0271
Abstract: 웨이퍼(W)의 도포영역을 예를들어 3분할하고 인접하는 분할된 영역의 도포시작우치가 서로 인접하지 않도록 그리고/또는 인접하는 분할된 영역의한편의 영역의도포종료위치와 다른 쪽의 영역의 도포 시작위치가 인접하는 경우에 상기 도포종료위치와 상기 도포시작위치를 그 순서대로 연속하여 도포하지 않도록 웨이퍼(W) 및 / 또는 공급노즐을 소정의 도포순서 및 / 또는 도포방향으로 구동하여 상기 웨이퍼(W) 표면의 분할된 영역마다 레지스트액의 액막을 형성한다. 이와 같이하면 레지스트액이 도포시작위치측으로 당겨져 이 부분의 막두께가 두꺼워진다고 하는 현상은 해당영역에만 발생하기 때문에 결과적으로 막두께의 면내균일성을 높일 수 있다.
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公开(公告)号:KR100610048B1
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:KR1019990022851
申请日:1999-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0216 , B05C11/08 , G03F7/162
Abstract: 막형성장치는 피처리기판을 유지하기 위한 기판유지부와, 이 기판유지부에 의해서 유지된 기판상에 막형성용 용액을 가는 스트림(stream)의 형상으로 연속하여 인가하기 위한 방출구를 가지며, 상기 기판유지부에 대향하여 배치되는 노즐유닛 및 상기 기판과 노즐유닛을 서로 상대적으로 구동하여, 노즐유닛이 가는 스트림(stream)의 형상으로 상기 용액을 기판의 표면에 인가하면서 상기 기판의 표면에 상기 용액을 도포하는 구동기구를 포함한다.
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公开(公告)号:KR100596957B1
公开(公告)日:2006-07-04
申请号:KR1020000029242
申请日:2000-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: 레지스트도포막을 가진 기판이 놓이는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대 상의 기판에 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 액공급기구와, 노즐과 기판을 상대적으로 이동시키는 이동기구를 구비하는 현상장치로서, 노즐은, 액공급기구에 연이어 통하는 액입구와, 이 액입구를 통하여 상기 액공급기구로부터 공급된 현상액을 잠정적으로 저장시켜 두는 액저장부와, 이 액저장부의 바닥부로 연이어 통하며, 액저장부로부터의 현상액을 압력손실시키는 좁은 유로와, 이 좁은 유로에 연이어 통하는 토출구 유로를 가진 직선상태의 액토출부와, 토출구 유로 내에 설치되고, 또한 좁은 유로의 출구근방에 배치되며, 좁은 유로에서 나온 현상액의 기세를 약하게 하여, 상기 토출구로부터 토출되는 현상액이 상기 레지스트도포막에 주는 충격력을 저감시키는 완충부재를 구비한다.
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公开(公告)号:KR100585448B1
公开(公告)日:2006-06-02
申请号:KR1020000017502
申请日:2000-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03D5/00
Abstract: 본 발명은 막 형성방법 및 막 형성장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 토출하는 레지스트액 토출노즐을 웨이퍼의 지름방향을 따라 등속이동시키고, 이동하는 동안에 레지스트액 토출노즐로부터 토출되는 레지스트액의 양을 점차로 감속시키면, 웨이퍼에 토출된 레지스트액은 나선상의 궤적을 그리면서 웨이퍼 표면에 도포되고, 또한 웨이퍼 주변부와 중앙부에 대한 단위면적당 레지스트액의 도포량을 등량으로 하는 것이 가능하기 때문에, 기판상에 공급되는 처리액의 낭비를 없애고, 균일한 처리액의 막을 기판 상에 형성시킬 수 있는 기술이 제시된다.
Abstract translation: 用于形成膜和膜和用于排出沿晶片的径向方向上的抗蚀剂溶液,恒定速度移动到形成装置在晶片的是,在旋转的同时在晶片,抗蚀剂液排出喷嘴,在从抗蚀剂溶液排出喷嘴输送的运动,本发明方法 减速抗蚀剂溶液的量时,渐渐地,将抗蚀剂溶液被排放到晶片画出螺旋的轨迹被施加到晶片表面,并且由于它是可能的每单位面积的施用量的抗蚀剂溶液与等量的晶片周边部分和中心部分 公开了一种技术,其中消除了供给到基板上的处理液的浪费并且可以在基板上形成均匀处理液的膜。
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