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公开(公告)号：KR100958265B1
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020077030143
申请日：2007-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3144 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31641 , H01L29/518
Abstract: 본 발명에 따르면, 기판 처리 방법은, 고유전체막에 질소 원자를 도입하는 제 1 처리 위치와, 상기 고유전체막을 열처리하는 제 2 처리 위치를 구비한 매엽식 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 피처리 기판을 한 장씩, 상기 제 1 및 제 2 처리 위치에 순차적으로 반송하여, 상기 피처리 기판 상의 고유전체막에 대해 상기 질소 원자 도입 처리 및 상기 열처리를 순차적으로 실행하고, 상기 피처리 기판은 상기 제 1 처리 위치에서의 처리 후, 상기 제 2 처리 위치에 있어서, 30초 이내에 처리가 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020080073336A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020087014405
申请日：2006-11-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/16 , C23C8/16 , C23C8/36 , C23C16/56 , H01L21/28079 , H01L21/28176 , H01L29/495 , H01L29/517
Abstract: On a Si substrate (1), i.e., a semiconductor substrate, a gate insulating film (2) is formed, and then a W film (3a) is formed on the gate insulating film (2) by CVD wherein a film forming gas including W(CO)6 gas is used. Then, the film is oxidized under existence of the reducing gas, and the W in the W film (3a) is not oxidized but only C is selectively oxidized to reduce the concentration of C contained in the W film (3a). Then, after performing heat treatment as needed, resist coating, patterning, etching and the like are performed, then, an impurity diffused region (10) is formed by ion implantation and the like, and a semiconductor device having a MOS structure is formed.
Abstract translation: 在Si衬底（1）即半导体衬底上形成栅极绝缘膜（2），然后通过CVD在栅极绝缘膜（2）上形成W膜（3a），其中成膜气体包括 使用W（CO）6气体。 然后，在存在还原气体的情况下，膜被氧化，并且W膜（3a）中的W不被氧化，而仅选择性地氧化C以降低W膜（3a）中所含的C的浓度。 然后，根据需要进行热处理后，进行抗蚀剂涂布，图案化，蚀刻等，然后通过离子注入等形成杂质扩散区域（10），形成具有MOS结构的半导体器件。
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公开(公告)号：KR100722016B1
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020057016664
申请日：2003-12-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/3144 , H01L21/0214 , H01L21/02326
Abstract: 매우 얇은, 막두께가 0.4㎚ 또는 그 이하의 산화막, 산질화막을 증막을 최소한으로 억제하여 효율 양호하게 질화하기 위해, 산소 래디컬 형성기구에 의해 산소 래디컬을 형성하고, 형성된 산소 래디컬에 의해, 실리콘 기판을 산화하여 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 또한 질소 래디컬 형성기구에 의해 질소 래디컬을 형성하여, 상기 산화막 막표면을 질화하여 산질화막을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020130018822A
公开(公告)日：2013-02-25
申请号：KR1020127028430
申请日：2011-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02332 , H01J37/32192 , H01J2237/3387 , H01L21/0234
Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120112237A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033277
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/02247 , C23C8/36 , H01L21/02238 , H01L21/02326 , H01L21/02332 , H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a device insulation method are provided to prevent oxygen in reaction gas from being diffused within silicon by forming a thin insulating layer along an inner wall surface of a trench. CONSTITUTION: A gas supply device(18) supplies gas to the inside of a processing container(1). An exhaust device includes a vacuum pump(24) for exhausting the inside of the processing container. A microwave leading device(27) leads microwave within the processing container. A loading table(2) is supported by a supporting member(3). A cover member(13) having a switching function is arranged on the top of the processing container. [Reference numerals] (19a) Inert gas supply source; (19b) Gas supply source containing nitrogen; (24) Vacuum pump; (38) Matching circuit; (39) Microwave generation device; (50) Control unit; (5a) Heater power supply
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和器件绝缘方法，以通过沿着沟槽的内壁表面形成薄的绝缘层来防止反应气体中的氧被扩散到硅内。 构成：气体供给装置（18）向处理容器（1）的内部供给气体。 排气装置包括用于排出处理容器内部的真空泵（24）。 微波引导装置（27）引导处理容器内的微波。 装载台（2）由支撑构件（3）支撑。 具有切换功能的盖构件（13）设置在处理容器的顶部。 （附图标记）（19a）惰性气体供给源; （19b）含氮气体供应源; （24）真空泵; （38）匹配电路; （39）微波发生装置; （50）控制单元; （5a）加热器电源
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公开(公告)号：KR101019799B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020087014896
申请日：2006-11-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/268 , H01L21/28211 , H01L21/31645 , H01L21/318
Abstract: 유기 금속 화합물 재료를 이용하여 피처리체의 표면에 형성된 고유전체 박막의 개질 방법에 있어서, 상기 고유전체 박막이 표면에 형성된 상기 피처리체를 준비하는 준비 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도로 유지하면서 불활성 가스의 분위기 중에서 상기 고유전체 박막에 자외선을 조사함으로써 상기 고유전체 박막의 개질을 실행하는 개질 공정을 구비하도록 구성한다. 이것에 의해, 고유전체 박막 내에서 탄소 성분을 제거함과 아울러, 전체를 소성하여 밀도를 향상시켜, 결손의 발생을 방지하고, 또한 막 밀도를 향상시키는 것으로 비유전율을 높이고, 높은 전기 특성을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060105779A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020067011923
申请日：2004-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/31662 , H01L21/67155
Abstract: Disclosed is a method for forming an oxide film on the surface of a substrate to be processed at a certain process temperature in a process chamber. This method comprises a heating step wherein the substrate is heated to the certain process temperature, and this heating step includes a substep wherein the substrate is held in an atmosphere containing oxygen before the temperature of the substrate reaches 450°C.
Abstract translation: 公开了一种在处理室中在一定工艺温度下在待加工衬底的表面上形成氧化膜的方法。 该方法包括加热步骤，其中衬底被加热到一定的工艺温度，并且该加热步骤包括子步骤，其中在衬底的温度达到450℃之前将衬底保持在含氧气氛中。
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公开(公告)号：KR101432415B1
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020127028430
申请日：2011-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02332 , H01J37/32192 , H01J2237/3387 , H01L21/0234
Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
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