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公开(公告)号：CN105712283B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201410720844.3
申请日：2014-12-02
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明属于封装领域,具体涉及种LCC封装应力释放结构。种LCC封装应力释放结构,包括与芯片外形匹配的应力释放结构,应力释放结构上设置锚点和支撑点,锚点和支撑点之间通过连接梁连接。本发明的效果是:1)在不改变原有LCC壳体材料、增大工艺成本的前提下,通过应力释放结构能够有效降低因材料热膨胀系数不匹配导致的热应力。2)在不显著增大体积的前提下,通过位于LCC壳体内部的应力释放结构能够有效隔离和衰减外界振动、冲击等力学输入,降低机械应力、防护芯片,提升系统的力学环境适应性。
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公开(公告)号：CN105571576B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410554758.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5719 , G01R19/00
Abstract: 本发明是一种MEMS陀螺模态匹配电压自动测试方法。包括如下步骤：步骤1、在MEMS陀螺驱动模态的驱动电极和驱动检测电极间加入驱动闭环控制回路，使得所述MEMS陀螺驱动模态在其谐振频率处振动，并保持指定的恒定幅度，获取此时的驱动位移电压信号VDP；步骤2、将MEMS陀螺敏感模态检测电极连接前置读出电路，将陀螺敏感模态所产生的正交误差位移变化量经所述前置读出电路转换为电压变化量，获得陀螺敏感模态的正交误差电压信号Vsp；步骤3、通过调节输入至陀螺敏感模态的控制量VT，使得所述驱动位移电压信号VDP和所述正交误差电压信号Vsp的相位差为0，得到此时的控制量VT为模态匹配电压。能够实时自动测试不同环境温度下的模态匹配电压。
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公开(公告)号：CN107063224A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611139815.3
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5691 , G01C19/56 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种SOI微半球陀螺敏感结构，该结构包括中心半球谐振子、环形电极、电极绝缘层、离散电极和底座；中心半球谐振子为中心对称结构，包括半球壳体和底部支撑柱；底部支撑柱设置在半球壳体正下方，并与底座固定连接；环形电极和离散电极设置在中心半球谐振子的外侧圆周，并与中心半球谐振子之间形成间隙，环形电极设置在离散电极上，并与离散电极之间通过电极绝缘层实现隔离，离散电极设置在底座上；中心半球谐振子的半球壳体上部自由端至少与环形电极上端面保持齐平。本发明可实现角度(速率积分)工作模式，该工作模式避免了角速率的积分误差等环节，可确保高线性度和大动态测量范围。
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公开(公告)号：CN107055457A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611139812.X
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81C1/00015 , B81C1/005 , G01C19/56
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种熔融石英微半球陀螺敏感结构；该结构包括半球型谐振子和底座；半球形谐振子包括半球壳体和中心支撑柱；中心支撑柱一端设置在半球壳体内弧面中心顶部，中心支撑柱支撑半球壳体倒扣在底座上方，半球壳体壳壁下沿与底座不接触；半球壳体内表面和其壳壁下沿以及中心支撑柱表面设置壳体电极；底座上表面均匀、分散设置多个离面驱动/检测电极以及与壳体电极相连的多个底座偏置电极；离面驱动/检测电极的设置位置与半球壳体壳壁下沿壳体电极相对应，并且离面驱动/检测电极与壳体电极之间存在间隙；本发明能量损失较低、角增益大、灵敏度高，同时具有较强的抗冲击振动能力。
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公开(公告)号：CN103217151B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103256927B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210041591.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5628
Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种石英音叉止挡结构的制造方法。它包括：第一步，定位；第二步，进行石英音叉和底座的粘接；第三步，进行上盖的定位；第四步进行上盖和支撑框的粘接；第五步，进行底座、支撑框和上盖的装配。本发明的显著效果是：(1)提高石英音叉抗冲击性能；(2)整个止挡为全石英结构，其加工工艺与现有的石英音叉微加工工艺相兼容，易于批量化实现；(3)保证粘接时装配间隙的均匀性；(4)实现对止挡间隙均匀性误差的精确控制(±2μm以内)；(5)引入装配工装，并结合止挡结构的晶向确定定位基准，实现对平面定位误差的精确控制(±20μm以内)。
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公开(公告)号：CN103256927A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210041591.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5628
Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种石英音叉止挡结构的制造方法。它包括：第一步，定位；第二步，进行石英音叉和底座的粘接；第三步，进行上盖的定位；第四步进行上盖和支撑框的粘接；第五步，进行底座、支撑框和上盖的装配。本发明的显著效果是：(1)提高石英音叉抗冲击性能；(2)整个止挡为全石英结构，其加工工艺与现有的石英音叉微加工工艺相兼容，易于批量化实现；(3)保证粘接时装配间隙的均匀性；(4)实现对止挡间隙均匀性误差的精确控制(±2μm以内)；(5)引入装配工装，并结合止挡结构的晶向确定定位基准，实现对平面定位误差的精确控制(±20μm以内)。
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公开(公告)号：CN102040186B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010538418.X
申请日：2010-11-09
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。
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公开(公告)号：CN102009945B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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公开(公告)号：CN107063224B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201611139815.3
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5691 , G01C19/56 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种SOI微半球陀螺敏感结构，该结构包括中心半球谐振子、环形电极、电极绝缘层、离散电极和底座；中心半球谐振子为中心对称结构，包括半球壳体和底部支撑柱；底部支撑柱设置在半球壳体正下方，并与底座固定连接；环形电极和离散电极设置在中心半球谐振子的外侧圆周，并与中心半球谐振子之间形成间隙，环形电极设置在离散电极上，并与离散电极之间通过电极绝缘层实现隔离，离散电极设置在底座上；中心半球谐振子的半球壳体上部自由端至少与环形电极上端面保持齐平。本发明可实现角度(速率积分)工作模式，该工作模式避免了角速率的积分误差等环节，可确保高线性度和大动态测量范围。
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