公开(公告)号：KR101828103B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：KR1020130070236

申请日：2013-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  이토노리히로 ,  하치야요스케 ,  노가미준 ,  오오이시고타로 ,  간노이타루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은, 기판의하지층에손상을주지않고, 제거대상층을양호하게제거하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 하지층의표면에제거대상층을형성한기판(3)에황산과과산화수소수의혼합액을공급하여제거대상층을제거하는기판처리장치(1)에있어서, 기판(3)을처리하기위한기판처리실(16)과, 기판처리실(16)에설치되며, 기판(3)을유지하기위한기판유지수단(12)과, 기판유지수단(12)으로유지된기판에황산과과산화수소수의혼합액을하지층에손상을주지않는온도및 과산화수소수의혼합비로공급하는혼합액공급수단(13)과, 기판(3)에 OH기를포함하는유체를공급하는 OH기공급수단(14)을가지며, OH기공급수단(14)은, 혼합액과 OH기가기판(3) 상에서혼합되었을때에하지층에손상을주지않는양의 OH기를포함하는유체를공급하는것으로하였다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是令人满意地去除去除目标层而不损坏基板的基层。 衬底就目前来说，为在基板3上去除移除目标层通过供给混合液的硫酸和过氧化氢数目的本发明，以形成层的表面上的移除目标层的基板处理装置1，处理的基片（3）的 衬底保持装置12，其设置在衬底处理室16中，用于在由衬底保持装置12保持的衬底上保持衬底3以及硫酸和过氧化氢水溶液的混合液体; 用于将含有OH基的流体供给基板3的OH基供给装置14. OH基供给装置14向OH基供给装置14供给OH基供给装置14， 当混合液和OH基混合在基板（3）上时，提供含有不损伤底层的含OH基的流体。

公开(公告)号：KR101747454B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020120066003

申请日：2012-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  우에무라료우이치 ,  요시하라고우스케 ,  가사이시게루 ,  다노우치게이지 ,  무라마츠마코토 ,  이와시타미츠아키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B3/0033

Abstract: 본발명은, 피처리기판을가열처리하고, 이어서냉각하는열처리기술에있어서, 높은스루풋을얻을수 있으며, 열처리장치의전유면적이작은열처리기술을제공하는것을과제로한다. 웨이퍼(W)의가열처리를 LED 모듈(3)로부터웨이퍼(W)에그 흡수파장광인적외광을조사함으로써행하고있다. 이와같이복사에의해웨이퍼(W)를가열하고있기때문에, 웨이퍼(W)를신속하게가열할수 있다. 또한열원으로서 LED(35)를이용하고있으며, LED(35)의온도상승은작기때문에, 가열처리후의냉각처리를가열처리와동일한처리영역에서행할수 있다. 이때문에, 본열처리장치의설치면적을작게억제할수 있다. 또한가열처리영역과냉각처리영역사이의이동시간을절약할수 있기때문에, 가열처리및 그후의냉각처리를합한일련의처리시간을단축하는것이가능해져, 스루풋의향상을도모할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150125586A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：KR1020150057995

申请日：2015-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이도야스유키 ,  신도나오키 ,  오리이다케히코 ,  에가시라게이스케 ,  하치야요스케 ,  오오이시고타로 ,  가와노히사시 ,  시모무라신이치로

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B12/14 ,  B05C11/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715

Abstract: 노즐내에서의가수분해열화에따른실릴화액의폐기량을저감한다. 노즐(43) 내의실릴화액유로(431)에차단유체를공급함으로써, 실릴화액유로내에있는실릴화액보다토출구(434)에가까운측에존재하는차단유체에의해실릴화액유로내에있는실릴화액을토출구의외부의분위기로부터차단한다.

Abstract translation: 由于喷嘴中的水解劣化引起的消耗的甲硅烷基化液体的量减少。 向喷嘴（43）中的甲硅烷基化液体流路（431）供给封闭流体，以通过存在于更靠近排出口的一侧的阻塞流体从排出孔的外部气氛中阻断甲硅烷醇化液体流路中的甲硅烷基化液体 （434）比硅烷化液体流路中的甲硅烷基化液体。

公开(公告)号：KR1020150013089A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020140095793

申请日：2014-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 바셋데릭더블유 ,  프린츠월리스피 ,  고시겐타로 ,  가와노히사시 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134

Abstract: 본원에는, 기판 표면 전체에 걸쳐 실질적으로 일정한 온도가 유지되도록 복수의 화학 유체로 기판을 처리하는 화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법이 기재되어 있다. 상기 화학 유체 처리 장치는, 기판의 앞면에 제1 온도의 제1 화학 유체를 공급하는 기판 상의 토출 노즐과, 기판의 앞면 또는 뒷면에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 제2 화학 유체를 공급하는 기판의 반경방향으로 배향된 바아 노즐을 포함하고, 상기 바아 노즐은 기판의 앞면 또는 뒷면에 있어서 기판의 중앙으로부터 서로 다른 거리를 두고 위치해 있는 복수의 접촉 장소에 제2 화학 유체를 토출하는 복수의 출구를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种化学流体处理装置和化学流体处理方法，用于利用多种化学流体处理基板，使得跨越基板表面保持基本上恒定的温度。 该设备包括：设置在基板上方的排出喷嘴，以将第一温度下的第一化学流体提供到基板的前表面; 在所述基板的径向方向上定向的棒状喷嘴，以将第二温度下的第二化学流体提供给所述基板的前表面或背面，所述第二温度高于所述第一温度。 棒状喷嘴包括多个出口，用于将第二化学流体排放到基板的前表面或背表面上的与基板中心不同的距离处的多个接触位置。

公开(公告)号：KR1020140147716A

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020140073526

申请日：2014-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치야요스케 ,  가와노히사시 ,  나카모리미츠노리 ,  노나카준 ,  미조타쇼고 ,  나가마츠다츠야 ,  사이키다이스케 ,  데라오카가즈히로 ,  야부타다카시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/08 ,  H01L21/02

CPC classification number: B05D3/107 ,  B05B3/001 ,  B05B12/04 ,  B05D1/005 ,  B05D5/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68792

Abstract: Disclosed is a liquid processing method which may de-electrify the surface of a hydrophobized substrate. A substrate electrified by a liquid processing is de-electrified by supplying hydrophobizing liquid to the surface of a substrate (W) subjected to the liquid processing while rotating the substrate (W) for hydrophobizing the surface of the substrate, and performing rinsing by supplying alkaline rinsing liquid to the hydrophobized surface of the substrate (W).

Abstract translation: 公开了一种可以使疏水化基材的表面去电的液体处理方法。 通过将液体处理带电的基板通过向基板（W）的表面供给疏水化液体而进行脱气，同时旋转用于使基板表面疏水化的基板（W），并且通过供给碱性进行漂洗 冲洗液体到基底的疏水化表面（W）。

公开(公告)号：KR101339567B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020070132019

申请日：2007-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  기따노쥰이찌 ,  고스기히또시 ,  혼따께고오이찌 ,  에노모또마사시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  G06F19/00

CPC classification number: G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021

Abstract: 본 발명의 과제는 잔류 액적 또는 잔류 액적의 흔적의 발생을 방지하는 것이 가능한 도포ㆍ현상 장치를 제공하는 것이다.
도포ㆍ현상 장치(2)는, 레지스트 도포 및 현상을 위한 일련의 처리를 행하는 처리부와, 처리부와 액침 노광 장치와의 사이에 설치된 인터페이스부와, 인터페이스부에 설치되고 액침 노광 처리 직후의 웨이퍼(W)를 건조시키는 제1 건조 유닛(DRY1)을 구비하고, 제1 건조 유닛(DRY1)은, 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(40)와, 챔버(40) 내에서 웨이퍼(W)를 적재하는 적재부(41)와, 챔버(40) 내에 온조 에어를 공급하는 온조 에어 공급 기구(42)와, 챔버(40)를 배기하는 배기 기구(43)를 구비하고, 챔버(40) 내의 적재부(41)에 웨이퍼(W)를 적재한 상태에서, 배기 기구(43)에 의해 챔버(40) 내를 배기하면서, 온조 에어 공급 기구(42)에 의해 온조 에어를 공급하여 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
도포ㆍ현상 장치, 건조 유닛, 챔버, 웨이퍼, 배기 기구

公开(公告)号：KR1020130121033A

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：KR1020130045384

申请日：2013-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치야요스케 ,  이토노리히로 ,  가와노히사시 ,  노나카준 ,  노가미준

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02076 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/0273 ,  G11C7/22 ,  H01L21/302 ,  H03K5/156

Abstract: The purpose of the present invention is to reduce damage to a film and improve the efficiency of removing a resist layer in an SPM process. A substrate processing method includes a process for producing an SPM solution of a first temperature including enough Caro’s acid with a resist layer delamination effect by mixing heated sulfuric acid with oxygenated water and a process for cooling the SPM solution to a second temperature to have a film loss reduction effect after the SPM solution of the first temperature is produced, and a process for removing the resist layer by touching the resist layer with the SPM solution of the second temperature.

Abstract translation: 本发明的目的是减少对膜的损伤并提高在SPM工艺中除去抗蚀剂层的效率。 基板处理方法包括通过将加热的硫酸与含氧水混合并制备具有足够的Caro酸的第一温度的SPM溶液和具有抗蚀剂层分层效果的方法，以及将SPM溶液冷却至第二温度的方法以具有 产生在第一温度的SPM溶液之后的膜损失降低效果，以及通过用第二温度的SPM溶液接触抗蚀剂层来除去抗蚀剂层的工艺。