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公开(公告)号：KR1020110046351A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105143
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46 , H01J37/3222 , H01J37/32458 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to simplify the RF antenna structure by reducing the load in an RF part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: an evacuable processing chamber including a dielectric window; a substrate supporting unit, provided in the processing chamber, for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a desired processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; a first RF antenna, provided on the dielectric window, for generating a plasma by an inductive coupling in the processing chamber; and a first RF power supply unit for supplying an RF power to the first RF antenna.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过减少RF部件中的负载来简化RF天线结构。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗的可抽空处理室; 基板支撑单元，设置在处理室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供给单元，用于向所述处理室供给期望的处理气体，以在所述目标基板上进行等离子体处理; 设置在电介质窗口上的第一RF天线，用于通过处理室中的感应耦合产生等离子体; 以及用于向第一RF天线提供RF功率的第一RF电源单元。
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公开(公告)号：KR1020100105768A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020107017853
申请日：2009-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32935
Abstract: 본 발명은 전기적 부성 플라즈마 영역과 전기적 정성 플라즈마 영역사이의 경계의 프로세스 조건을 파악하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 진공용기내에 공급되는 플라즈마 생성 가스중의 전기적 부성 가스와 전기적 정성 가스의 유량비, 상기 진공용기내의 압력, 및 상기 에너지의 크기로 이루어지는 프로세스 조건의 파라미터 중에서 선택되는 파라미터를 단계적으로 변경하여, 적어도 3개 이상의 프로세스 조건 하에서 플라즈마를 생성하며; 플라즈마 내에 위치하는 랭뮤어 프로브에 전압을 인가하고, 이 인가한 전압과 해당 프로브에 흐르는 전류의 관계를 나타내는 전류 전압 곡선을 각 프로세스 조건마다 취득하여 전류 전압 곡선군을 얻으며; 이때 취득한 전류 전압 곡선군에 의거하여 전기적 정성 플라즈마 영역과 전기적 부성 플라즈마 영역의 경계의 프로세스 조건을 구한다.
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公开(公告)号：KR100613198B1
公开(公告)日：2006-08-18
申请号：KR1020040028391
申请日：2004-04-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 본 발명은 비용의 증가를 방지하면서 포커스 링의 냉각 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 정전 척 및 포커스 링을 구비하는 서셉터를 포함한다. 프라즈마 처리될 웨이퍼(W)가 정전 척상에 장착된다. 포커스 링은 유전제부 및 도전체부를 구비한다. 유전체부는 정전 척과 접촉하여 배치된 접촉부를 형성한다. 도전체부는 유전체부를 사이에 두고 정전 척과 대향한다.
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公开(公告)号：KR101757922B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101757920B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서전기적으로플로팅상태에놓이는코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로임의로제어하기때문에, 콘덴서를갖는플로팅코일(70)이 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장더 나아가서는챔버(10)내에서생성되는도넛형상의플라즈마의플라즈마밀도분포에대해소극적인작용혹은적극적인작용을얻는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101720373B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 장치의구성을간소화할수 있음과아울러, 플라즈마의생성효율의저하를방지할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치(10)는, 챔버(11)와, 상기챔버(11)의내부에배치되어기판 S를탑재하는탑재대(12)와, 챔버(11)의외부에있어서탑재대(12)와대향하도록배치되어고주파전원(26)에접속되는 ICP 안테나(13)와, 탑재대(12) 및 ICP 안테나(13)의사이에개재하는, 도전체로이루어지는창 부재(14)를구비하며, 창부재(14)는복수의분할편(27)으로분할되고, 복수의분할편(27)은서로절연됨과아울러도선(29)이나콘덴서부착된도선(30)으로접속되어폐회로(31)를형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160130728A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够通过使用简单的校正线圈来自由且精确地控制等离子体密度分布。 在电感耦合等离子体处理装置中，在RF天线54周围的电介质窗52下方的环形状中产生电感耦合等离子体，然后在大的处理空间中扩散，使得等离子体的密度在基座12周围变得均匀 （即，在半导体晶片W上），特别是在径向方向上。 RF天线54通过校正线圈70对所生成的RF磁场进行电磁场校正，并且根据预定的处理参数控制切换机构110在校正线圈70中流动的感应电流的占空比。
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公开(公告)号：KR1020110046349A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46 , H01J37/3222 , H01J37/32458 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to minutely and freely control the plasma density. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: a processing chamber(10) including a dielectric window(52); a coil-shaped RF antenna(54); a substrate supporting unit, provided in the chamber for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna to generate a plasma of the processing gas by an inductive coupling in the chamber.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以便能够精确地和自由地控制等离子体密度。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗（52）的处理室（10）; 线圈形RF天线（54）; 基板支撑单元，设置在所述室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到所述室; 以及RF电源单元，用于向RF天线提供RF功率，以通过腔室中的感应耦合产生处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：KR1020010082162A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：KR1020010007031
申请日：2001-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 덴포가즈키
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32642
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for plasma treatment are provided to uniformly implement an entire substrate, where even after a successive treatment of a plurality of substrates to treat, quality of the treated substrates varies less due to the turn of the treatment. CONSTITUTION: A compensation ring(31) disposed to surround a periphery of a wafer(W) on a susceptor(30) is concentrically divided into an inside first compensation ring member(32) and an outside second compensation ring member(33). A width of a first compensation ring member(32) is made such thin as one to three times mean free path of treatment gas molecules, thereby suppressing heat transfer between a susceptor(30) and a second compensation ring member(33). A base of a second compensation ring member, through a layer of conductive silicone rubber(34), is made to come into an intimate contact with an upper surface of a susceptor(30), thus helping to cool.
Abstract translation: 目的：提供一种用于等离子体处理的装置和方法，以均匀地实现整个基板，其中即使在连续处理多个基板以进行处理之后，由于处理转弯，经处理的基板的质量变化较小。 构成：围绕基座（30）上的晶片（W）的周围设置的补偿环（31）同心地分成内侧的第一补偿环构件（32）和外侧的第二补偿环构件（33）。 第一补偿环构件（32）的宽度被制成薄至处理气体分子的平均自由程的一到三倍，从而抑制基座（30）和第二补偿环构件（33）之间的热传递。 通过一层导电硅橡胶（34）的第二补偿环构件的底座被制成与基座（30）的上表面紧密接触，从而有助于冷却。
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公开(公告)号：KR101838846B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 通过在电感耦合等离子体工艺中使用简单的校正线圈，可以自由且精确地控制等离子体密度分布。 耦合等离子体处理装置在圆环形状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生感应耦合等离子体，并将该等离子体的等离子体分散在宽的处理空间内， 等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 然后，基座12附近的等离子体密度分布沿径向均匀，由RF天线54产生的RF磁场经过校正环70的电磁校正， 并且通过切换机构110改变校正线圈70的切换占空比。
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