公开(公告)号：DE102008018353A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：DE102008018353

申请日：2008-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BARCHMANN BERND ,  STATH NORBERT ,  WEGLEITER WALTER ,  WUTZ OLIVER ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WEINKE ROBERT

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50

公开(公告)号：WO2009079985A3

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/DE2008002067

申请日：2008-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprising a carrier element (2), at least two elements (3) that are arranged adjacent to each other on a first side of the carrier element (2) and that respectively have at least one optically active area (4) for producing electromagnetic radiation. Said optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprises an electrically insulating protective layer (5) that is arranged at least partially on one surface of the at least two adjacent elements (3) that is opposite the first side. The protective layer (5) at least predominantly prevents, at least in a first area (5a) arranged between the at least two adjacent elements (3), electromagnetic radiation (10) that can be produced by the optically active areas (4) to be transmitted. The invention also relates to a production method (30) for an optoelectronic component (1, 12, 14, 17).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（1，12，14，17），包括一个载体元件（2），至少两个在承载元件（2）的第一侧上布置相邻的元件（3）与至少一种光学活性区域（4） 用于产生电磁辐射。 光电子器件（1，12，14，17）具有至少部分地相对于（3）布置在所述至少两个相邻元件，电绝缘的保护层的第一侧表面中的一个（5），其中所述保护层（5）之间的至少一个 布置在所述至少两个相邻元件（3）的光学有源区（4）的传输的所述第一区域（5a）的可生成至少电磁辐射（10）主要是抑制。 本发明还涉及一种用于光电子器件（1，12，14，17）的制造方法（30）。

公开(公告)号：DE112015005495A5

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：DE112015005495

申请日：2015-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102014111766A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014111766

申请日：2014-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  PLÖSSL ANDREAS ,  SINGER FRANK

IPC: H01L33/64 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung angegeben mit einem Leuchtmodul umfassend einen optoelektronischen Halbleiterchip, einem Anschlussträger mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche abgewandten zweiten Hauptfläche, und einem Kühlkörper, wobei das Leuchtmodul auf der ersten Hauptfläche des Anschlussträger angeordnet ist und der Anschlussträger mittels eines Verbindungselements an dem Kühlkörper aufgrund einer magnetischen Anziehung haftet.

公开(公告)号：DE10308322B4

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  STAUSS PETER DR ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH DR ,  STEIN WILHELM DR ,  PIETZONKA INES DR ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

公开(公告)号：DE102012112988A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102012112988

申请日：2012-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/62 ,  F21S8/12 ,  F21W101/10

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, aufweisend einen Träger (2), wobei auf dem Träger (2) eine elektrisch leitende Schicht (3) angeordnet ist, und wenigstens einen Halbleiterchip (4). Der Halbleiterchip (4) weist eine aktive Schicht (15) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Der Halbleiterchip (4) ist über die elektrisch leitende Schicht (3) elektrisch leitend und mechanisch mit dem Träger (2) verbunden. Das optoelektronische Bauelement (1) weist ferner eine Halterung (11) auf, wobei eine dem Halbleiterchip (4) abgewandte Oberfläche des Trägers (2) auf der Halterung (11) angeordnet ist, wobei der Träger (2) durch wenigstens ein Befestigungselement (5) mit der Halterung (11) mechanisch verbunden ist, wobei das Befestigungselement (5) den Träger (2) vollständig durchdringt, und wobei der Halbleiterchip (4) durch das Befestigungselement (5) mit der Halterung (11) elektrisch leitend verbunden ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Bauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102012103161A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012103161

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/48 ,  F21V14/04 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Ferner befindet sich an der Trägeroberseite (20) ein Gehäusekörper (4), in dem der Halbleiterchip (3) angebracht ist. An dem Gehäusekörper (4) befindet sich ein optisches Element (5) wie ein Reflektor. Das optische Element (5) ist dem Halbleiterchip (3) entlang einer Abstrahlrichtung nachgeordnet. Weiterhin ist das optische Element (5) dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils (1) punktuell oder flächig verformt zu werden, sodass eine räumliche und/oder spektrale Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils (1) einstellbar ist.

公开(公告)号：DE102011056220A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056220

申请日：2011-12-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/64 ,  F21V29/00 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. An einer Montageseite (20) ist ein Halbleiterchip (3) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung angebracht. Mindestens ein Konversionselement (4) zur wenigstens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung, die eine größere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung, ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet eine Wärmeleitstruktur (5) zur Entwärmung des Konversionselements (4). Die Wärmeleitstruktur (5) befindet sich außerhalb des Konversionselements (4) und steht mindestens stellenweise in direktem Kontakt zu dem Konversionselement (4).

公开(公告)号：DE102009042205A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009042205

申请日：2009-09-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend - einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); - einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; - eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; - zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei - die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, - die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf dem Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) angeordnet ist, - die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert und - die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.

公开(公告)号：DE102009039891A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102009039891

申请日：2009-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/70 ,  H01L25/075 ,  H01S5/022

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Modul vorgesehen, das einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (2a), auf der ein elektrischer Anschlussbereich (21, 22) angeordnet ist, aufweist. Der erste Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (2a) gegenüberliegenden Seite auf einem Träger (1) angeordnet. Auf dem Träger (1) seitlich neben dem ersten Halbleiterkörper (2) ist ein Isolationsmaterial (3) angeordnet, das eine Kehle ausbildet und formschlüssig an den Halbleiterkörper (2) angrenzt. Auf dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem Isolationsmaterial (3) ist zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht (4) angeordnet, auf der zur planaren Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers (2) eine planare Leitstruktur angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (21, 22) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Moduls vorgesehen.