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公开(公告)号：KR101247828B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020090007354
申请日：2009-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45536 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/31612
Abstract: 디이소프로필아미노실란 가스를 구비하는 제1 처리 가스와 산화 가스 또는 질화 가스를 구비하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이로 인해, 제1 및 제2 공정을 교대로 구비하는 사이클을 복수회 반복한다. 제1 공정은, 제1 처리 가스의 공급을 행하여, 피처리 기판의 표면에 실리콘을 포함하는 흡착층을 형성한다. 제2 공정은, 제2 처리 가스의 공급을 행하여, 피처리 기판의 표면 상의 흡착층을 산화 또는 질화한다. 제2 공정은, 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다.
피처리 기판, 흡착층, 실리콘 함유 절연막, 처리 가스, 반도체 웨이퍼-
公开(公告)号：KR101149097B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020080099370
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45519
Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 성막에 기여하는 성막 가스를 공급하는 성막 가스 공급계로부터 상기 반응실을 통해 배기계에 이르는 가스 경로의 소정 영역에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해, 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 소정 영역에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 가스의 공급을 정지하여 상기 소정 영역이 존재하는 공간을 상기 배기계에 의해 배기하는 배기 공정을 교대로 복수회 반복함으로써 클리닝 처리를 행한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막-
公开(公告)号：KR101146397B1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020090001745
申请日：2009-01-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 주단계와 보조 단계로 구성되어, 보조 단계는 성막 처리의 초기 및 말기의 한쪽 또는 양쪽에 설정된다. 주단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖는다. 보조 단계는 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태로 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 갖지 않는다.
반도체 처리용 성막 장치, 실란계 가스, 처리 가스, 질화 가스, 가스 분산 노즐-
公开(公告)号：KR1020120011825A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：KR1020110075121
申请日：2011-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02304 , H01L21/02323 , H01L21/32055 , H01L21/32105 , H01L21/67207 , H01L21/76227
Abstract: PURPOSE: A trench-filling method and a film deposition system are provided to prevent oxidation on a silicon film when gas is released by arranging a native oxide film on the surface of the silicon film in beforehand. CONSTITUTION: A pad oxide film(2) is formed by thermally oxidizing the surface of a silicon substrate(1). A silicon nitride film(3) is arranged on the pad oxide film. A photo-resist film(4) is formed by applying photo-resist materials on the silicon nitride film. A trench(6) is formed on the silicon substrate by anisotropic etching of the silicon substrate and the pad oxide film. An oxide film(7) is arranged on the surface of the silicon substrate exposed from the trench.
Abstract translation: 目的：提供沟槽填充方法和薄膜沉积系统，以防止通过在硅膜的表面上排列自然氧化膜而释放气体时在硅膜上氧化。 构成：通过热氧化硅衬底（1）的表面形成衬垫氧化膜（2）。 氮化硅膜（3）布置在衬垫氧化膜上。 通过在氮化硅膜上施加光致抗蚀剂材料形成光致抗蚀剂膜（4）。 通过硅衬底和衬垫氧化物膜的各向异性蚀刻，在硅衬底上形成沟槽（6）。 在从沟槽露出的硅衬底的表面上设置氧化膜（7）。
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公开(公告)号：KR101014062B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020040081554
申请日：2004-10-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/3105
Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 반도체 웨이퍼-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100980126B1
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020060072425
申请日：2006-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구-
公开(公告)号：KR100967238B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020060022476
申请日：2006-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/509
Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블-
公开(公告)号：KR100919527B1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020040079308
申请日：2004-10-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76876 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L28/65
Abstract: 본 발명의 과제는 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(14) 내에 원료 가스와 지원 가스를 공급하여 피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 원료 가스와 상기 지원 가스를 서로 다른 타이밍에서 교대로 또한 연속적으로 서로 복수회 공급하여 상기 박막을 퇴적시키도록 한다. 이에 의해, 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090080019A
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：KR1020090003552
申请日：2009-01-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/45542
Abstract: A film formation method and a film formation apparatus for semiconductor processing are provided to improve characteristics of a device by controlling accurately elements of a silicon nitride layer. A film forming apparatus(2) includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(30), a second processing gas supply system(28), an excitation unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing area for receiving a processing target substrate. The supporting member supports the processing target substrate in the processing area. The heater heats the processing substrate within the processing area. The exhaust system exhausts the processing area. The first processing gas supply system supplies a first processing gas including a silane-based gas to the processing area. The second processing gas supply system supplies a second processing gas including a nitrous gas to the processing area. The excitation unit performs an excitation operation while the second processing gas supply system supplies the second processing gas to the processing area. The controller controls operations of the film forming apparatus.
Abstract translation: 提供一种用于半导体处理的成膜方法和成膜装置，以便精确地控制氮化硅层的元素来改善器件的特性。 成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（30），第二处理气体供应系统 ），励磁单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理目标衬底的处理区域。 支撑构件在处理区域中支撑处理目标基板。 加热器加热处理区域内的处理基板。 排气系统排出加工区域。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包含硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统向处理区域供给包含有氮气的第二处理气体。 励磁单元在第二处理气体供给系统向处理区域供给第二处理气体的同时进行励磁运转。 控制器控制成膜装置的操作。
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公开(公告)号：KR100907148B1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：KR1020040083358
申请日：2004-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/22 , C23C16/45578
Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.
인젝터, 처리 용기, 성막 장치, 플랜지, 배기관, 덮개 부재부Abstract translation: 本发明的目的，当在基板的表面上的硅锗膜上形成Ti膜，该膜提供的膜形成装置和膜形成方法，其能够获得用于厚度和膜中的锗浓度较高的界面的均匀性。
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