公开(公告)号：DE102016109349A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109349

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE ,  GATTERBAUER JOHANN ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  VELLEI ANTONIO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HILLE FRANK

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip, eine Metallkontaktstruktur, die ein Nicht-Edelmetall aufweist und den Chip elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial und eine Schutzschicht, die einen Abschnitt, der an einer Schnittstelle zwischen einem Abschnitt der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial gebildet ist, aufweist oder im Wesentlichen aus ihm besteht, aufweisen, wobei die Schutzschicht ein Edelmetall aufweisen kann, wobei der Abschnitt der Schutzschicht eine Mehrzahl von Bereichen aufweisen kann, die frei von dem Edelmetall sind, und wobei die Bereiche, die frei von dem Edelmetall sind, eine Schnittstelle zwischen dem Packagingmaterial und dem Nicht-Edelmetall der Metallkontaktstruktur bereitstellen können.

公开(公告)号：DE102008025451A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：DE102008025451

申请日：2008-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  MAHLER JOACHIM ,  RAKOW BERND ,  ENGL REIMUND ,  FISCHER RUPERT

IPC: H01L21/58

Abstract: A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a method comprising placing a first semiconductor chip on a carrier. After placing the first semiconductor chip on the carrier, an electrically insulating layer is deposited on the carrier. A second semiconductor chip is placed on the electrically insulating layer.

公开(公告)号：DE102006049949B3

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：DE102006049949

申请日：2006-10-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  ENGL REIMUND ,  BEHRENS THOMAS ,  KUEBLER WOLFGANG ,  SANDER RAINALD

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/48

Abstract: The module (1) has a semiconductor chip (3) including electrodes (5, 6) on a top side (7) of the chip. The chip and a control chip (4) are provided with different supply potentials. Flat conductors (31, 37) have external connections and a flat conductor chip island (9). The island defines an electrically conducting portion (10) and an insulation layer (11). The chip (3) is arranged on the electrically conducting portion and positively bonded on the insulation layer. The chip (3) has a rear side (13) including a large power supply electrode (14) for the application of a supply potential. An independent claim is also included for a method for the production of semiconductor modules.

公开(公告)号：DE102006042032A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE102006042032

申请日：2006-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENS THOMAS ,  ENGL REIMUND ,  HOSSEINI KHALIL ,  LANDAU STEFAN ,  MAHLER JOACHIM ,  PLIKAT BORIS

IPC: H01L21/58 ,  C09J9/00 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

公开(公告)号：DE102004004863B4

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：DE102004004863

申请日：2004-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER ANDREAS ,  SEZI RECAI ,  ENGL REIMUND ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG ,  WEITZ THOMAS

IPC: G11C11/21 ,  C07C211/50 ,  C07C255/45 ,  C07D345/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  H01L27/24 ,  H01L27/28 ,  H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/30

公开(公告)号：DE102004037150B4

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：DE102004037150

申请日：2004-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER ANDREAS ,  WEITZ THOMAS ,  ENGL REIMUND ,  SEZI RECAI ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG

IPC: H01L51/05 ,  C07C255/10 ,  C07C255/34 ,  C07C255/35 ,  C07C325/02 ,  G11C13/00

Abstract: An integrated circuit having resistive memory is disclosed. In one embodiment, the memory includes novel memory cells which have two electrodes and a layer arranged in between and including an active material which contains [1,2]dithiolo[4,3-[c]-1,2-dithiol-3,6-dithione, (2,4,7-trinitro-9-fluorenylidene)malonodinitrile and a polymer are disclosed. In one embodiment, a process for the production of the cells according to the invention is provided, as well as the novel use of a composition which can be used as active material for the memory cells.

公开(公告)号：DE102004004863A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：DE102004004863

申请日：2004-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER ANDREAS ,  SEZI RECAI ,  ENGL REIMUND ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG ,  WEITZ THOMAS

IPC: C07C211/50 ,  C07D345/00 ,  G11C11/21 ,  G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  H01L27/24 ,  H01L27/28 ,  H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/30