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    막 전구체 증발 시스템과 그 사용 방법
    31.
    发明授权
    막 전구체 증발 시스템과 그 사용 방법 有权
    电影前驱体蒸发系统及其使用方法

    公开(公告)号：KR101289559B1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：KR1020087022157

    申请日：2007-01-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 스즈키겐지 ,  귀도엠마누엘피 ,  루싱크게리트제이 ,  하라마사미치 ,  구로이와다이스케 ,  이시자카다다히로

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/4481

    Abstract: 본 발명에서는 막 전구체의 노출 표면적을 증대시켜 증착률을 증대시키기 위해, 전도도가 높은 증기 이송 시스템(40)에 결합되는 전도도가 높은 멀티 트레이 막 전구체 증발 시스템(1)을 설명한다. 멀티 트레이 막 전구체 증발 시스템(50)은 하나 이상의 트레이(340)를 포함한다. 각 트레이는 예컨대 고체 분말 형태 또는 고체 태블릿 형태의 막 전구체(350)를 지지하고 유지하도록 구성되어 있다. 또한, 각 트레이는 막 전구체가 가열되고 있는 동안에 막 전구체 위에 있어서 캐리어 가스의 유동 전도도를 높이도록 구성되어 있다. 예컨대, 캐리어 가스는 막 전구체를 지나 안쪽으로 유동하고, 적층 가능한 트레이의 안쪽에 있는 유동 채널(318)을 통해 그리고 고상 전구체 증발 시스템에 있는 출구(322)를 통해 수직 상향 유동한다.

    증착 시스템
    32.
    发明授权
    증착 시스템 有权
    沉积系统

    公开(公告)号：KR101281863B1

    公开(公告)日：2013-07-08

    申请号：KR1020060124784

    申请日：2006-12-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

    IPC: H01L21/02

    Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기판을 전달 공간으로부터 진공 격리된 공정 공간 내에 배치하고, 전달 공간으로부터의 진공 격리를 유지하면서 공정 공간 내의 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판을 처리하고, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 구비하는 제1 어셈블리, 제1 어셈블리에 결합되어, 기판을 상기 증착 시스템의 내외로 운반하도록 되어 있는 전달 공간을 구비하는 제2 어셈블리, 제2 어셈블리에 접속되며, 상기 기판을 지지하고 상기 공정 공간 내의 제1 위치로부터 상기 공정 공간 내의 제2 위치로 병진 이동시키도록 구성된 기판 스테이지를 포함한다. 이러한 시스템은 공정 공간 내에서 기판의 병진 이동 중에 공정 공간과 전달 공간 사이의 가스 유동을 억제하도록 구성된 시일을 갖는 실링 어셈블리를 포함한다.

    기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체
    35.
    发明公开
    기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체 有权
    基板放置机构，基板处理装置，用于抑制基板放置机构上的膜沉积的方法和存储介质

    公开(公告)号：KR1020100071979A

    公开(公告)日：2010-06-29

    申请号：KR1020107005339

    申请日：2008-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시 ,  야마모토가오루

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

    Abstract: Provided is a substrate placing mechanism whereupon a substrate to be processed is placed. The substrate placing mechanism is provided with a heater plate (21), which has a surface (21a) whereupon a substrate to be processed is placed and has a heating body (21b) embedded therein for heating the substrate to a film forming temperature where a film is deposited. The substrate placing mechanism is also provided with a temperature adjustment jacket (22), which is formed to cover at least a surface of the heater plate (21) other than the surface of the substrate placing surface (21a) and adjusts the temperature to be a non film forming temperature below the film forming temperature.

    Abstract translation: 提供了一种基板放置机构，由此放置待处理的基板。 基板放置机构设置有加热板（21），该加热板具有表面（21a），其中放置有待加工的基板，并且具有嵌入其中的加热体（21b），用于将基板加热到成膜温度，其中 电影被存放。 衬底放置机构还设置有温度调节护套（22），其形成为覆盖加热器板（21）的除了衬底放置表面（21a）的表面之外的至少一个表面，并将温度调节为 非成膜温度低于成膜温度。

    카보닐 원료를 사용한 금속막의 성막 방법, 다층 배선 구조의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 성막 장치
    36.
    发明公开
    카보닐 원료를 사용한 금속막의 성막 방법, 다층 배선 구조의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 성막 장치 有权
    使用碳材料形成金属膜的方法，形成多层布线结构的方法，制造半导体器件的方法和薄膜形成装置

    公开(公告)号：KR1020090126272A

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：KR1020097020160

    申请日：2008-02-14

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  하타노다츠오

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  C23C16/16

    CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: This invention provides a film forming method characterized by comprising a first step of supplying a carbonyl material of a metallic element in the form of a gas phase molecule, together with a gas phase component capable of suppressing the decomposition of the gas phase molecule, onto the surface of an object substrate in such a state that the partial pressure of the gas phase component is set to a first partial pressure at which the decomposition of the carbonyl gas phase material molecules can be suppressed, and a second step of changing the partial pressure of the gas phase component on the surface of the object substrate to a second partial pressure which causes the decomposition of the carbonyl material to deposit the metallic element onto the surface of the object substrate.

    Abstract translation: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于包括：将气相分子形式的金属元素的羰基材料与能够抑制气相分子分解的气相成分一起供给到 在将气相成分的分压设定为能够抑制羰基气相材料分子的分解的第一分压的状态下，使对象基板的表面成为第二工序， 将目标基板表面上的气相成分分解成第二分压，使第二分压使羰基材料分解，从而将金属元素沉积到对象基板的表面上。

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