公开(公告)号：GB2498879B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy.

公开(公告)号：DE112011102300T5

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE112011102300

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/54 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Erstellen einer p-Halbleiterschicht für die Photovoltaikeinheiten beinhalten im Allgemeinen ein Galvanisieren einer Schicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung auf eine leitfähige Schicht durch in Kontakt bringen der leitfähigen Schicht mit einem Galvanisierbad, das frei von Komplexbildnern ist und ein Galliumsalz, Methansulfonsäure oder Natriumsulfat und einen organischen Zusatz, der zumindest ein Stickstoffatom und/oder zumindest ein Schwefelatom aufweist, und ein Lösungsmittel beinhaltet; und ein Einstellen eines pH-Wertes der Lösung auf unter 2,6 oder über 12,6. Die Photovoltaikeinheit beinhaltet eine Verunreinigung in der p-Halbleiterschicht, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Arsen, Antimon, Bismut und Mischungen davon besteht. Verschiedene Photovoltaik-Vorläuferschichten zum Ausbilden von p-leitenden CIS-, CGS- und CIGS-Halbleiterstrukturen können durch Galvanisieren des Galliums oder der Galliumlegierungen auf diese Weise ausgebildet werden. Außerdem werden Prozesse zum Ausbilden einer thermischen Zwischenschicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung mithilfe des Galvanisierprozesses offenbart.

公开(公告)号：CA2669907A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：CA2669907

申请日：2007-09-25

Applicant: IBM

Inventor： ROMANKIW LUBOMYR T ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HUANG QIANG

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C11/15

Abstract: A memory storage device that contains alternating first and second ferrom agnetic material layers is provided. Each first ferromagnetic material layer has a first layer thickness (L1) and a first critical current density (JC1) , and each second ferromagnetic material layer has a second layer thickness (L2) and a second critical current density (JC2), provided that JC1

公开(公告)号：DE69637333D1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：DE69637333

申请日：1996-06-12

Applicant: IBM

Inventor： ANDRICACOS PANAYOTIS C ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HARPER JAMES MCKELL EDWIN ,  HU CHAO-KUN ,  PEARSON DALE JONATHAN ,  REYNOLDS SCOTT KEVIN ,  TU KING-NING ,  UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC: C22C9/00 ,  H01L23/532 ,  C22C9/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: Copper alloys containing between 0.01 and 10 weight percent of at least one alloying element selected from carbon, indium and tin for improved electromigration resistance, low resistivity and good corrosion resistance that can be used in chip and package interconnections and a method of making such interconnections and conductors by first forming the copper alloy and then annealing it to cause the diffusion of the alloying element toward the grain boundaries between the grains in the alloy are disclosed.

公开(公告)号：IE79088B1

公开(公告)日：1998-04-08

申请号：IE960846

申请日：1996-12-02

Applicant: IBM

Inventor： ANDRICACOS PANAYOTIS CONSTANTI ,  DATTA MADAV ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HORKANS WILMA JEAN ,  KANG SUNG KWON ,  KWIETNIAK KEITH THOMAS ,  MATHAD GANGADHARA SWAMI ,  PURUSHOTHAMAN SAMPATH ,  SHI LEATHEN ,  TONG HO-MING

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/00 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: An interconnection structure suitable for the connection of microelectronic circuit chips to packages is provided by this invention. In particular, the invention pertains to the area-array or flip-chip technology often called C4 (controlled collapse chip connection). The structure comprises an adhesion/barrier layer deposited on a passivated substrate (e.g., a silicon wafer), optionally an additional adhesion layer, a solderable layer of a metal selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, NiFe, NiCo, CoFe and NiCoFe on the adhesion/barrier layer, and a lead-free solder ball comprising tin as the predominate component and one or more alloying elements selected from Bi, Ag, and Sb, and further optionally including one or more elements selected from the group consisting of Zn, In, Ni, Co and Cu.

公开(公告)号：DE112019000533B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112019000533

申请日：2019-01-15

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LEE KO-TAO ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA

IPC: A61N5/06

Abstract: Sonde (100), die aufweist:einen Sondenkörper (102), der zum Eindringen in biologisches Gewebe geeignet ist; undeine Mehrzahl innerhalb des Sondenkörpers (102) angeordneter Hochleistungs-Lichtquellen,wobei es sich bei der Mehrzahl der Hochleistungs-Lichtquellen um Leuchtdioden (LEDs) handelt, wobei mindestens eine LED Licht in einem roten oder Infrarotbereich des elektromagnetischen Spektrums und mindestens eine LED Licht in einem blauen, gelben oder grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert,wobei die mindestens eine LED, die Licht in dem roten oder Infrarotbereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert, aufweist:ein Germaniumsubstrat;mindestens eine dotierte Schicht aus In0.49Ga0.51P vom n-Typ;mindestens eine undotierte Schicht aus In0.49Ga0.51P;eine Trogschicht aus InxGa(1-x)P, wobei x gleich einem Wert zwischen ungefähr 0,50 und ungefähr 0,60 ist; undmindestens eine dotierte Schicht aus In0.49Ga0.51P vom p-Typ.

公开(公告)号：DE60300981T2

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：DE60300981

申请日：2003-02-10

Applicant: ERICSSON TELEFON AB L M ,  IBM

Inventor： MEIXNER MICHAEL ,  BUCHWALTER PAIVIKKI ,  LUND LOUISE ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes in the lateral direction. A voltage is applied to electrodes and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes and auxiliary electrodes have first and second potentials, resulting in electrode and auxiliary electrode surface areas with positive and negative charge carriers in the lateral direction and equal charge carriers in the orthogonal direction. The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes (EG,ES) in the lateral direction to which a voltage can be applied. The voltage is applied to electrodes (HG,HS) and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes have a first potential (U1) and the auxiliary electrodes a second potential (U2), resulting in surface areas on the electrodes and auxiliary electrodes with positive and negative charge carriers in the lateral direction and with equal charge carriers in the orthogonal direction. AN Independent claim is also included for the following: a portable terminal with an inventive device.

公开(公告)号：MY121455A

公开(公告)日：2006-01-28

申请号：MYPI20005562

申请日：2000-11-28

Applicant: IBM

Inventor： WALTON ERICK GREGORY ,  UZOH CYPRIAN EMEKA ,  CHUNG DEAN S ,  COLLINS LARA SANDRA ,  CORBIN WILLIAM E ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  EDELSTEIN DANIEL CHARLES ,  FLUEGEL JAMES E ,  KOREJWA JOSEF WARREN ,  LOCKE PETER S

IPC: C25D5/22 ,  C25D5/06 ,  C25D17/00 ,  C25D17/14

Abstract: AA METAL PLATING APPARATUS IS DESCRIBED WHICH INCLUDES A COMPRESSIBLE MEMBER HAVING A CONDUCTIVE SURFACE COVERING SUBSTANTIALLY ALL OF THE SURFACE OF THE SUBSTRATE TO BE PLATED. THE PLATING CURRENT IS THEREBY TRANSMITTED OVER A WIDE AREA OF THE SUBSTRATE, RATHER THAN A FEW LOCALIZED CONTACT POINTS. THE COMPRESSIBLE MEMBER IS POROUS SO AS TO ABSORB THE PLATING SOLUTION AND TRANSMIT THE PLATING SOLUTION TO THE SUBSTRATE. THE WAFER AND COMPRESSIBLE MEMBER MAY ROTATE WITH RESPECT TO EACH OTHER. THE COMPRESSIBLE MEMBER MAY BE AT CATHODE POTENTIAL OR MAY BE A PASSIVE CIRCUIT ELEMENT.

公开(公告)号：AU2002316298A1

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：AU2002316298

申请日：2002-06-14

Applicant: IBM

Inventor： GREENBERG DAVID R ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  LUND JENNIFER L ,  SAENGER KATHERINE L ,  VOLANT RICHARD P ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: H01H57/00 ,  H01H59/00 ,  H01L21/00

公开(公告)号：DE112011102300B4

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：DE112011102300

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/54 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer p-Halbleiterschicht für eine Photovoltaikeinheit, das aufweist:Galvanisieren einer ersten Schicht auf eine leitfähige Fläche (14, 34, 54) eines Substrats (12, 32, 52), wobei die erste Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Kupferschicht (16, 56) und einer Kupfer-Gallium-Schicht (36) besteht;Galvanisieren einer zweiten Schicht auf die erste Schicht, wobei die zweite Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Indiumschicht (18), einer Galliumschicht, einer Indium-Gallium-Schicht (38, 58), einer Kupfer-Indium-Diselenid-Schicht und einer Kupfer-Gallium-Diselenid-Schicht besteht; undoptional Galvanisieren einer dritten Schicht auf die zweite Schicht, wobei die dritte Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Galliumschicht (20) und einer Indiumschicht besteht; undoptional Galvanisieren einer vierten Schicht auf die dritte Schicht, wobei die vierte Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Selen und Schwefel besteht;wobei das Galvanisieren durch ein Verfahren ausgeführt wird, das aufweist: in Kontakt bringen eines Substrats (4) undeiner Lösung (1), die frei von Komplexbildnern ist und eine Alkansulfonsäure oder eine aromatische Sulfonsäure enthält und die aufweist: einen Vorläufer, der ein Element aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Kupfer, Gallium, Indium, Selen, Schwefel und einer Kombination davon besteht; optional einen Halbmetall-Mischzusatz; des Weiteren optional einen organischen Zusatz, der zumindest ein Schwefelatom und/oder ein Stickstoffatom aufweist; und ein Lösungsmittel zum Auflösen der Vorläufer;Einstellen eines pH-Wertes der Lösung (1) auf einen Bereich, der aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem pH-Wert von etwa null bis unter etwa 2,6 und einem pH-Wert von etwa 12,6 bis etwa 14 besteht, und Anlegen eines Stroms zum Galvanisieren des Substrats (4), um die erste, zweite, dritte oder vierte Schicht zu erzeugen; undTempern der ersten, zweiten und dritten Schicht unter Hinzuziehen einer Selenquelle und/oder einer Schwefelquelle, um die p-Halbleiterschicht auszubilden.