公开(公告)号：DE102012223550B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102012223550

申请日：2012-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KALZ FRANZ-PETER ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  THEUSS HORST ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12

Abstract: Mikromechanisches Halbleitererfassungsbauelement (100, 101, 400), das Folgendes aufweist:eine mikromechanische Erfassungsstruktur (10, 43), die konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Erfassungssignals (15), wobei die mikromechanische Erfassungsstruktur (10, 43) einen kapazitiven Drucksensor mit einer beweglichen Membran (31,51) über einem Hohlraum (33, 53, 64) aufweist undein in der mikromechanischen Erfassungsstruktur (10, 43) bereitgestelltes piezoresistives Erfassungsbauelement (14) in Form eines beanspruchungsempfindlichen Transistors (57, 67), wobei der Transistor (57, 67) ausgelegt ist zum Erfassen einer das elektrische Erfassungssignal (15) störenden mechanischen Beanspruchung und konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Störsignals (16) auf der Basis der das elektrische Erfassungssignal (15) störenden erfassten mechanischen Beanspruchung,wobei der Transistor (57, 67)in einer Tiefe der beweglichen Membran (31, 51) derart platziert ist, dass der Teil des elektrischen Störsignals (16), der auf einer Auslenkung der Membran basiert, minimiert ist.

公开(公告)号：DE102012206531B4

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102012206531

申请日：2012-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems mit folgenden Merkmalen: Bereitstellen eines dotierten Halbleitersubstrats mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüber liegenden zweiten Oberfläche; Durchführen eines Lithographieprozesses und einer anschließenden Implantation zur Herstellung eines umdotierten Bereichs innerhalb des dotierten Halbleitersubstrats, wobei ein pn-Übergang bei einer Tiefe innerhalb des Halbleitersubstrats gebildet wird, wobei die Tiefe des pn-Übergangs eine gewünschte Tiefe eines Bodens zumindest einer zu bildenden Kavität bestimmt; Durchführen eines Strukturierungsprozesses zur Herstellung von mikroelektromechanischen Strukturen in dem Halbleitersubstrat und an der zweiten Oberfläche, wobei zumindest ein Teil der vorgesehenen mikroelektromechanischen Strukturen sich in den umdotierten Bereich erstreckt; Trockenätzen des Halbleitersubstrats von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort, um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten, wobei das Trockenätzen gestoppt wird, bevor die gewünschte Tiefe der Kavität erreicht wird; Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden elektrochemischen Ätzprozesses an der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität; Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen; und elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität bis zu dem pn-Übergang, so dass dieser als elektrochemischer Ätzstopp den Boden der zumindest einen Kavität bildet, so dass die zumindest eine Kavität an den Teil der mikroelektromechanischen Strukturen angrenzt, der sich in den umdotierten Bereich erstreckt.

公开(公告)号：DE102012202643B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102012202643

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  PRÜGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Bildung eines monolithisch integrierten Sensorelements, das folgende Merkmale aufweist: Bilden eines MEMS-Bauelements (200) auf einem Substrat (202) durch: Bilden einer Opferschicht (206) auf dem Substrat (202), Abscheiden einer ersten Siliziumschicht (208) auf der Opferschicht (206), wobei die erste Siliziumschicht (208) zumindest eine Freigabeapertur (210) aufweist, Bilden eines Hohlraums (212) in der Opferschicht (206) durch Entfernen eines Teils der Opferschicht (206) über die zumindest eine Freigabeapertur (210), Füllen des Hohlraums (212) und der mindestens einen Freigabeapertur (210) mit einem isolierenden Füllmaterial (214), Bilden weiterer Freigabeaperturen (216) in der ersten Siliziumschicht (208) über der verbliebenen Opferschicht (206), Bilden eines weiteren Hohlraums (218) in der verbliebenen Opferschicht (206) über die weiteren Freigabeaperturen (216); und Abdichten des weiteren Hohlraums (218) durch Abscheiden einer zweiten Siliziumschicht; undBilden eines elektrischen Bauelements auf dem Substrat (202) neben dem MEMS-Bauelement (200).

公开(公告)号：DE102010000818B4

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102010000818

申请日：2010-01-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NAWAZ MOSHIN ,  SCHOEN FLORIAN ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G04F5/04 ,  H01L29/84 ,  H03B5/30

Abstract: Mikroelektromechanisches-System-(MEMS-)Bauelement, das folgende Merkmale umfasst: ein Resonatorelement (402; 502; 602; 702) mit einem Umfang; eine Elektrode (404; 504; 604; 706), die von dem Resonatorelement (402; 502; 602; 702) beabstandet ist; eine Ankerregion (608; 708), die zumindest eine Öffnung umfasst; eine Mehrzahl von Balkenelementen, die die Ankerregion (608; 708) und das Resonatorelement (402; 502; 602; 702) koppeln; eine Mehrzahl von Masseelementen (420; 520; 620; 720), die auf dem Resonatorelement (402; 502; 602; 702) gebildet sind und die jeweils zumindest eine Öffnung (422; 522; 622; 722) umfassen.

公开(公告)号：DE102009034231A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：DE102009034231

申请日：2009-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUENBERGER ROBERT ,  NAWAZ MOHSIN ,  SCHOEN FLORIAN ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/42

Abstract: The invention relates to MEMS devices. In one embodiment, a micro-electromechanical system (MEMS) device comprises a resonator element comprising a semiconducting material, and at least one trench formed in the resonator element and filled with a material comprising oxide. Further embodiments comprise additional devices, systems and methods.

公开(公告)号：DE102009017328A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：DE102009017328

申请日：2009-04-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/84

Abstract: An integrated circuit includes a silicon-on-insulator (SOI) substrate including a buried oxide layer positioned between a top-side silicon layer and a bottom-side silicon layer. A micro-electromechanical system (MEMS) device is integrated into the top-side silicon layer. A semiconductor layer is formed over the bottom-side silicon layer. A control circuit is integrated into the semiconductor layer and is configured to control the MEMS device.

公开(公告)号：DE102008062499A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：DE102008062499

申请日：2008-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  SCHOEN FLORIAN ,  WEBER WERNER ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Micro-electromechanical system (MEMS) devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In one embodiment, a MEMS device includes a first semiconductive material and at least one trench disposed in the first semiconductive material, the at least one trench having a sidewall. An insulating material layer is disposed over an upper portion of the sidewall of the at least one trench in the first semiconductive material and over a portion of a top surface of the first semiconductive material proximate the sidewall. A second semiconductive material or a conductive material is disposed within the at least one trench and at least over the insulating material layer disposed over the portion of the top surface of the first semiconductive material proximate the sidewall.

公开(公告)号：DE102004002908B4

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：DE102004002908

申请日：2004-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  ZELSACHER RUDOLF ,  BAER MICHAEL ,  WERNER WOLFGANG ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H01L23/29 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58 ,  H01L29/84

Abstract: A semiconductor component ( 1 ) includes a substrate, an active area ( 2 ), formed in/on the substrate, and a passivation layer ( 5 ) which is provided at least above part of the active area ( 2 ). The passivation layer ( 5 ) at least partially comprises amorphous, hydrogen-doped carbon. The provision of a passivation layer of this type allows the semiconductor component ( 1 ) to be effectively protected against environmental influences.

公开(公告)号：DE102006004209B3

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：DE102006004209

申请日：2006-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUELLER KARL-HEINZ ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: In a method for manufacturing a micromechanical device having a region for forming an integrated circuit, at first a first layer is produced on a deeper-lying part in the substrate. Subsequently, a membrane layer is produced on the first layer and at least one channel completely penetrating the membrane layer is introduced in the membrane layer. After that, a region of the first layer below the membrane layer is removed to form a cavity. Finally, the channel is sealed and a planar surface is formed.