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公开(公告)号：DE102004004780A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：DE102004004780
申请日：2004-01-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , PLOESL ANDREAS , STAUSS PETER , DIEPOLD GUDRUN , PIETZONKA INES , STEIN WILHELM , WIRTH RALPH , WEGLEITER WALTER
Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.
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公开(公告)号：DE102008038748B4
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：DE102008038748
申请日：2008-08-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL DR , WEGLEITER WALTER , MOOSBURGER JÜRGEN DR , BARCHMANN BERND , AHLSTEDT MAGNUS , ZEILER THOMAS
Abstract: Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite,- einem um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet,- mindestens zwei elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) je mit einer Anschlussstückoberseite (21) und einer dieser gegenüberliegenden Anschlussstückunterseite (20), sodass die Anschlussstückunterseiten (20) je einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen, wobei die Ausnehmung (9) bis zu den elektrischen Anschlussstücken (2a, 2b) reicht,- mindestens einem Strahlung emittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet, über die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) elektrisch kontaktiert ist und vollständig auf der Anschlussstückoberseite (20) des größeren der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) direkt mittels Löten oder Kleben aufgebracht ist und eine Lichtdurchtrittsfläche (30) des Halbleiterchips (3) dieser Anschlussstückoberseite (21) abgewandt ist, und- mindestens einem Abschirmkörper (5), der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (2) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt, wobei- in Richtung parallel zu den Anschlussstückunterseiten (20) die elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) ringsum von dem Gehäusegrundkörper (4) umgeben sind, sodass eine Gehäusegrundfläche (40) des Gehäusegrundkörpers (4) zusammen mit den Anschlussstückunterseiten (20) die Montagefläche (10) bildet und die Anschlussstückunterseiten (20) mindestens 75 % der Montagefläche (10) bilden, und- der Abschirmkörper (5) als geschlossener Ring ausgestaltet ist und in Draufsicht auf die Lichtdurchtrittsfläche (30) gesehen über jedes der elektrischen Anschlussstücke (2a, 2b) verläuft.
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公开(公告)号：DE102012002605B9
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：DE102012002605
申请日：2012-02-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , STEGMEIER STEFAN
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.
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公开(公告)号：DE102015103055A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：DE102015103055
申请日：2015-03-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GÖÖTZ BRITTA , WEGLEITER WALTER , GRÖTSCH STEFAN
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, das einen Halbleiterchip (1) mit einer Hauptseite (10) aufweist, wobei die Hauptseite (10) eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Emissionsfeldern (11) umfasst. Die Emissionsfelder (11) sind einzeln und unabhängig voneinander ansteuerbar und über sie wird im Betrieb jeweils Strahlung aus dem Halbleiterchip (1) ausgekoppelt. Auf die Hauptseite (10) sind reflektierende Trennwände (20) aufgebracht, die zwischen benachbarten Emissionsfeldern (11) angeordnet sind und die Emissionsfelder (11) in Draufsicht auf die Hauptseite (10) zumindest teilweise umgeben. Ferner ist auf die Hauptseite (10) ein Konversionselement (4) mit einer dem Halbleiterchip (1) zugewandten Unterseite (41) und einer abgewandten Oberseite (42) aufgebracht. Die Trennwände (20) sind aus einem von dem Halbleitermaterial des Halbleiterchips (1) unterschiedlichen Material gebildet und überragen den Halbleiterchip (1) in Richtung weg von der Hauptseite (10). Das Konversionselement (4) überdeckt zumindest ein Emissionsfeld (11) zumindest teilweise und ist mit diesem Emissionsfeld (11) mechanisch stabil verbunden. Die Unterseite (41) des Konversionselements (4) im Bereich des überdeckten Emissionsfeldes (11) überragt die Trennwände (20) in eine Richtung weg von der Hauptseite (10) um höchstens 10 % der Höhe der Trennwände (20).
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公开(公告)号：DE102012109177A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：DE102012109177
申请日：2012-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： DIRSCHERL GEORG , WEGLEITER WALTER , CASSIGNOL CAROLINE , WEIDNER KARL
IPC: H01L33/44 , C08G61/10 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das ein Trägerelement (1) aufweist, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die aktive Schicht dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen und wobei der Halbleiterchip (2) mit einer Schutzschicht (3) bedeckt ist, die Parylene aufweist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012002605A1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE102012002605
申请日：2012-02-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , STEGMEIER STEFAN
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der eine Strahlungsaustrittsseite (30) aufweist. Das oberflächenmontierbare Halbleiterbauteil (1) beinhaltet einen Formkörper (4), der Seitenflächen (34) des Halbleiterchips (3) formschlüssig und unmittelbar bedeckt. In Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsseite (30) gesehen überlappen der Formkörper (4) und der Halbleiterchip (3) nicht.
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37.发明专利
公开(公告)号：DE102009051129A1
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：DE102009051129
申请日：2009-10-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BARCHMANN BERND , KALTENBACHER AXEL , STATH NORBERT , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , WIRTH RALPH
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5) ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.
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公开(公告)号：DE102009039890A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：DE102009039890
申请日：2009-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, dass zumindest einen Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (20) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (20) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (1) angeordnet, wobei auf der Strahlungsaustrittsseite (20) zumindest ein elektrischer Anschlussbereich (22) angeordnet ist. Auf dem elektrischen Anschlussbereich (22) ist ein Metallisierungshügel (3) angeordnet. Ferner ist der Halbleiterkörper (2) zumindest teilweise mit einer Ioslationsschicht (4) versehen, wobei der Metallisierungshügel (3) die Isolationsschicht (4) überragt. Auf der Isolationsschicht (4) ist zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) zumindest eine planare Leitstruktur (5) angeordnet, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (22) über den Metallisierungshügel (3) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements (10) vorgesehen.
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公开(公告)号：DE102009036621A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：DE102009036621
申请日：2009-08-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
IPC: H01L33/52 , H01L25/075 , H01L31/0203 , H01L33/50 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Anordnen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (1a) des Trägers (1), - Umformen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einem Formkörper (3), wobei der Formkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt und wobei die dem Träger (1) abgewandte Oberfläche an der Oberseite (2a) oder die dem Träger zugewandte Oberfläche an der Unterseite (2b) des zumindest einen Halbleiterchips (2) frei vom Formkörper (3) bleibt oder freigelegt wird, - Entfernen des Trägers (1).
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公开(公告)号：DE102009009483A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：DE102009009483
申请日：2009-02-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEGLEITER WALTER , MUSA GARVIN , SINGER FRANK , WEIDNER KARL
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Beleucgeben: - Bereitstellen eines Anschlussträgers (1), - Aufbringen von zumindest zwei Leuchtdiodenchips (2) an einer Oberseite (1a) des Anschlussträgers (1), wobei jeder Leuchtdiodenchip (2) eine Strahlungsaustrittsfläche (2a) aufweist, die dem Anschlussträger (1) abgewandt ist, - Aufbringen einer Folie (3) auf die Strahlungsaustrittsflächen (2a) von zumindest zwei benachbarten Leuchtdiodenchips (2), und - Strukturierung (4) der Folie (3) zwischen oder über den Strahlungsaustrittsflächen (2a) der zwei benachbarten Leuchtdiodenchips (2) nach dem Aufbringen der Folie (3).
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