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公开(公告)号：KR101180125B1
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020067026949
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009514A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031578
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR101054558B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020030047603
申请日：2003-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이 , 이와타마나부 , 고시미즈치시오 , 히구치후미히코 , 시미즈아키타카 , 야마시타아사오 , 이와마노부히로 , 히가시우라츠토무 , 장동셍 , 나카야미치코 , 무라카미노리카즈
IPC: H01L21/02
Abstract: 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치는, 처리실 내에 서로 대향하도록 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극 사이에 처리 가스를 여기하여 플라즈마화 하는 RF 전계가 형성된다. 제 1 또는 제 2 전극에 매칭 회로를 거쳐서 RF 전력을 공급하는 RF 전원이 접속된다. 매칭 회로는, RF 전력에 대한 입력 임피던스의 매칭을 자동적으로 행한다. 플라즈마와 전기적으로 결합하는 소정 부재에 배선을 거쳐서 가변 임피던스 설정부가 접속된다. 임피던스 설정부는, 플라즈마로부터 소정 부재로 입력되는 RF 성분에 대한 임피던스인 역방향 임피던스를 설정한다. 임피던스 설정부에 대하여 역방향 임피던스의 설정값에 관한 제어 신호를 공급하기 위해서, 제어부가 배치된다.
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公开(公告)号：KR1020110058699A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020100117013
申请日：2010-11-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H01J37/32192
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus for improving reproducibility and reliability is provided to enhance a hight frequency cutoff function by controlling a parallel resonance frequency arbitrarily. CONSTITUTION: A filter(102(1)) accepts coaxially a coil(104(1)) within a cylindrical outer conductor(110). A ring member(122) is installed between the coil and the outer conductor coaxially. The ring member comprises a plate extended as an annular shape on a plane in perpendicular to the axial direction of the outer conductor. The ring member is made of copper, aluminum etc. The ring member is electrically connected to the outer conductor. The ring member is electrically insulated from the coil.
Abstract translation: 目的：提供一种用于提高再现性和可靠性的等离子体处理装置，以通过任意地控制并联谐振频率来增强高频截止功能。 构成：过滤器（102（1））同轴地接收圆柱形外部导体（110）内的线圈（104（1））。 环形构件（122）同轴地安装在线圈和外导体之间。 环构件包括在垂直于外导体的轴向方向的平面上延伸为环形的板。 环构件由铜，铝等制成。环构件电连接到外导体。 环形构件与线圈电绝缘。
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公开(公告)号：KR100971799B1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：KR1020077001691
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100952521B1
公开(公告)日：2010-04-12
申请号：KR1020077001688
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H05H1/18
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
Abstract translation: 根据本发明，要处理的衬底被接收并用于支撑第一电极和目标基板的第二电极被布置成面对在真空排气的处理容器，该处理容器中，在相对于该频率到第二电极是 第二高频电力施加单元，用于向第二电极施加具有相对较低频率的第二高频电力;以及第二高频电力施加单元，用于向第一电极施加直流电压 以及处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中。
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公开(公告)号：KR1020090050007A
公开(公告)日：2009-05-19
申请号：KR1020080112882
申请日：2008-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32724
Abstract: 본 발명은 원하지 않는 고주파의 노이즈를 감쇠시키기 위한 필터회로내의 RF 전력손실량 및 그 기기 차(장치간의 편차)를 가능한 적게 하고, 프로세스 성능의 재현성·신뢰성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 이 플라즈마 에칭 장치에서는 제 1 및 제 2 급전 라인상에 마련되는 2계통의 제 1 단 공심코일 단체 A(1), A(2)끼리가 보빈(114A)에 동심 형상으로 장착되어 있다. 즉, 양 공심코일 단체 A(1), A(2)를 각각 구성하는 코일도선이 공통의 보빈(114A)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다. 마찬가지로, 제 2 단 공심코일 단체 B(1), B(2)끼리도 각각의 코일도선이 공통의 보빈(114B)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다.
Abstract translation: 并且其目的在于，提高了可靠性，本发明是尽可能少的RF功率的损失，并在滤波电路的差装置（该装置的偏差）来衰减不希望的高频噪声，并且处理性能＆middot的再现性。 该等离子体蚀刻装置被安装在一个第一和一个第一同心形状的空芯线圈端组A（1），A（2）的骨架（114A）彼此在于，设置在第二馈送线的第二系统。 也就是说，它被卷绕在空芯线圈基团的量A（1），螺旋形地在相同的缠绕长度和重叠与筒管沿着线圈引线的外周表面轴向平移是构成A（2），分别共同骨架（114A）。 类似地，第二只空芯线圈组B（1），B（2）kkirido螺旋状在相同的缠绕长度缠绕和翻译是沿各线圈引线的筒管轴线方向的外周面重叠是一种常见的骨架（114B） 。
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公开(公告)号：KR101899096B1
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：KR1020120032401
申请日：2012-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/02 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32137 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/327 , H01J2237/3341
Abstract: 유도결합형의플라즈마처리에서챔버내에형성되는도너츠형상플라즈마내의플라즈마밀도분포를효율적으로임의로제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유도결합플라즈마를생성하기위하여유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일(58), 중간코일(60) 및외측코일(62)로분할되어있다. 고주파급전부(66)의고주파전송로상에설치되는제 1 노드(N)와제 2 노드(N)의사이에서, 중간코일(60) 및외측코일(62)에는가변의중간콘덴서(86) 및외측콘덴서(88)가각각전기적으로직렬접속되고, 내측코일(58)에는리액턴스소자가일절접속되지않는다.
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公开(公告)号：KR101870791B1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：KR1020110098261
申请日：2011-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/3211 , H05H2001/4667
Abstract: 유도결합형플라즈마처리장치에서 RF 안테나내의파장효과를만전에억제하고, 또한주회방향으로도직경방향으로도균일한플라즈마프로세스를용이하게실현하는것이다. 챔버의천장또는유전체창(52) 상에는, 챔버내에유도결합의플라즈마를생성하기위한 RF 안테나(54)가설치되어있다. 이 RF 안테나(54)는원환형상의내측코일(58) 및외측코일(62)을가지고있다. 내측코일(58)은단일의원형코일세그먼트(60)로이루어진다. 외측코일(62)은주회방향으로분할되어전체적으로일주하는 2 개의반원형코일세그먼트(64(1), 64(2))로이루어진다. 고주파급전부(66)에대하여, 각각의코일세그먼트(60, 64(1), 64(2))가전기적으로병렬로접속되어있다.
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公开(公告)号：KR101838846B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 通过在电感耦合等离子体工艺中使用简单的校正线圈，可以自由且精确地控制等离子体密度分布。 耦合等离子体处理装置在圆环形状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生感应耦合等离子体，并将该等离子体的等离子体分散在宽的处理空间内， 等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 然后，基座12附近的等离子体密度分布沿径向均匀，由RF天线54产生的RF磁场经过校正环70的电磁校正， 并且通过切换机构110改变校正线圈70的切换占空比。
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