中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

11 records (took 0.021 seconds)

    Implantierbarer Gefäßfluidsensor
    1.
    发明专利
    Implantierbarer Gefäßfluidsensor 未知

    公开(公告)号：DE102015101382B4

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：DE102015101382

    申请日：2015-01-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KARLOVSKY KAMIL ,  THEUSS HORST ,  GOLLER BERNHARD

    IPC: A61B5/0215 ,  A61B5/026 ,  G01L11/00

    Abstract: Implantierbarer Gefäßfluidsensor (100), der gestaltet ist, um wenigstens einen Gefäßfluidparameter eines Gefäßes (200) zu erfassen, wobei der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) aufweist: – einen rohrförmigen Körper (300), der einen ersten Endteil (310), der gestaltet ist, um in einen abgedichteten Übergang (215) mit einem offenen Gefäßende (310) des Gefäßes (200) eingeführt zu werden und einen solchen zu bilden, aufweist, und – eine Sensoreinheit (400), die mit dem rohrförmigen Körper (300) verbunden ist und einen Sensorbereich (410) umfasst, der gestaltet ist, um in direktem Kontakt mit einem Gefäßfluid (230) in einem abgedichteten Übergangszustand zu sein, wobei der Mindestabstand (a) zwischen dem Sensorbereich (410) und dem ersten Endteil (310) höchstens 10-mal den äußeren Durchmesser (b) des ersten Endteiles (310) des rohrförmigen Körpers (300) beträgt, und wobei die Sensoreinheit (400) eine Halbleitervorrichtung ist, die aufweist: – einen proximalen Teil (440), der stöpselartig den ersten Endteil (310) des rohrförmigen Körpers (300) verstöpselt und eine Zwischenverbindungsseite (442) aufweist, und – einen distalen Teil (450), der von dem ersten Endteil (310) des rohrförmigen Körpers (300) vorsteht und eine Sensorseite (452) hat.

    Verfahren zum Herstellen einer Batterie, Batterie und integrierte Schaltung
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer Batterie, Batterie und integrierte Schaltung 未知

    公开(公告)号：DE102015111498A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：DE102015111498

    申请日：2015-07-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JANSKI RAFAEL ,  KRÄUTER SUSANNE ,  SORGER MICHAEL ,  KARLOVSKY KAMIL

    IPC: H01M10/0585 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01M10/0525

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Batterie (2) weist ein Definieren eines aktiven Bereichs (107) und einer Bondingzone (108) in einer ersten Hauptoberfläche (110) eines ersten Halbleitersubstrats (100), ein Ausbilden eines ersten Grabens (104) in der Bondingzone (108), ein Ausbilden einer Anode (11) am ersten Halbleitersubstrat (100) in dem aktiven Bereich (107) und ein Ausbilden einer Kathode (12) an einem ein isolierendes Material aufweisenden Träger (150, 550, 750, 820, 900) auf. Das Verfahren weist überdies ein Stapeln des ersten Halbleitersubstrats (100) und des Trägers (150, 550, 750, 820, 900), so dass die erste Hauptoberfläche (110) des ersten Halbleitersubstrats (100) auf einer einer ersten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150, 550, 750, 820, 900) benachbarten Seite angeordnet ist, wobei ein Hohlraum (130) zwischen dem ersten Halbleitersubstrat (100) und dem Träger (150, 550, 750, 820, 900) ausgebildet wird, und ein Bilden eines Elektrolyten (230) im Hohlraum (130) auf.

    HALBLEITERBAUELEMENT
    3.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017116574A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102017116574

    申请日：2017-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  HUMBEL OLIVER ,  KARLOVSKY KAMIL ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MILLONIG HANS ,  PLAPPERT MATHIAS ,  PRELLER FALKO ,  UNTERMOSER HEINZ

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst Bilden einer Bondpadmaterialschicht mit einer Reliefoberfläche, die eine Vertiefung zwischen Erhöhungen umfasst. Das Verfahren umfasst Abscheiden eines Hartmaterials in der Vertiefung. Ferner umfasst das Verfahren Abscheiden einer homogenen Schicht auf einer an den Erhöhungen durch die Bondpadmaterialschicht und an der Vertiefung durch das Hartmaterial gebildeten Abscheidungsfläche. Ein Halbleiter-Die einen aktiven Bereich, der eine Schaltungsstrukturschicht mit einer Reliefkontur, die einer anderen Materialschicht oben auf der Strukturschicht zugekehrt ist, umfasst. Die Reliefkontur umfasst eine Vertiefung zwischen Erhöhungen. Ein Grund der Vertiefung ist durch ein Hartmaterial bedeckt.

    Implantierbarer Gefäßfluidsensor
    7.
    发明专利
    Implantierbarer Gefäßfluidsensor 未知

    公开(公告)号：DE102015101382A1

    公开(公告)日：2016-08-04

    申请号：DE102015101382

    申请日：2015-01-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KARLOVSKY KAMIL ,  THEUSS HORST ,  GOLLER BERNHARD

    IPC: A61B5/0215 ,  A61B5/026 ,  G01L11/00

    Abstract: Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) ist gestaltet, um wenigstens einen Gefäßfluidparameter eine Gefäßes (200) zu erfassen. Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) umfasst einen rohrförmigen Körper (300), der einen ersten Endteil (310) aufweist. Der erste Endteil (310) ist gestaltet, um in einen abgedichteten Übergang (215) mit dem offenen Gefäßende (210) des Gefäßes (200) eingeführt zu werden und einen solchen zu bilden. Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) umfasst weiterhin eine Sensoreinheit (400), die mit dem rohrförmigen Körper (300) verbunden ist. Die Sensoreinheit (400) umfasst einen Sensorbereich (410), der gestaltet ist, um in direktem Kontakt mit dem Gefäßfluid (230) in einem abgedichteten Übergangszustand zu sein. Der Mindestabstand (a) zwischen dem Sensorbereich (410) und dem ersten Endteil (310) beträgt höchstens 10-mal den äußeren Durchmesser (b) des ersten Endteiles (310) des rohrförmigen Körpers (300).

Patent Agency Ranking