公开(公告)号：DE102017123798A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017123798

申请日：2017-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  PESKOLLER FLORIAN ,  AUEN KARSTEN ,  SCHULZ ROLAND ,  BRUNNER HERBERT ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01S5/02

Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.

公开(公告)号：DE102017117438A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102017117438

申请日：2017-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN DANIEL ,  BRUNNER HERBERT ,  DINU EMILIA ,  EBERHARD JENS ,  KEITH CHRISTINA ,  PINDL MARKUS ,  REESWINKEL THOMAS ,  RICHTER DANIEL

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Ein Teil des Vergussmaterials wird an der Vergussoberfläche entfernt. Dabei wird an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt.

公开(公告)号：DE102015114662A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114662

申请日：2015-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER HARALD ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L21/50 ,  H01L33/62 ,  H01L21/58 ,  H01L33/52

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils mit den folgenden Schritte: • Bereitstellen eines Trägers mit zwei Metallschichten, wobei die Metallschichten voneinander lösbar sind, • Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf der ersten Metallschicht des Trägers, • Mechanisches Lösen der zweiten Metallschicht von der ersten Metallschicht. Optoelektronisches Halbleiter-Bauteil mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip und Kontaktflächen, die Chrom aufweisen. Temporärer Träger zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils. Der Träger weist eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht auf, wobei die zweite Metallschicht lösbar auf der ersten Metallschicht angebracht ist.

公开(公告)号：DE102012109905A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109905

申请日：2012-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  BOS MARKUS ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  BRUNNER HERBERT ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), – Aufbringen einer Vielzahl von Anordnungen (20) von elektrisch leitenden ersten Kontaktelementen (21) und zweiten Kontaktelementen (22) auf dem Hilfsträger (1), – Aufbringen jeweils eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf dem zweiten Kontaktelement (22) jeder Anordnung (20), – elektrisch leitendes Verbinden der optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit den ersten Kontaktelementen (21) der jeweiligen Anordnung (20), – Umhüllen der ersten Kontaktelemente (21) und der zweiten Kontaktelemente (22) mit einem Umhüllungsmaterial (4), und – Vereinzeln in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, wobei – das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (21b) eines jeden ersten Kontaktelements (21) abschließt, und – das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (22b) eines jeden zweiten Kontaktelements (22) abschließt.

公开(公告)号：DE10258193B4

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE10258193

申请日：2002-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRUNNER HERBERT ,  JAEGER HARALD

IPC: H01L33/50 ,  B29C45/14 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52

Abstract: Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von gleichartigen, mit einem Lumineszenzkonversionselement bedeckten Leuchtdioden-Chips, wobei das Lumineszenzkonversionselement geeignet ist, die Wellenlänge von zumindest einem Teil einer von dem Leuchtdioden-Chip ausgesandten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, mit den Schritten: – Bereitstellen eines Schichtenverbundes mit einer auf einem Trägersubstrat aufgebrachten Leuchtdiodenschichtfolge für die Vielzahl von Leuchtdioden-Chips, wobei der Schichtenverbund vorderseitig elektrische Kontaktflächen aufweist, auf welche ein elektrisches Anschlussmaterial mit etwa konstanter Höhe aufgebracht wird; – Erzeugen einer Vielzahl von Gräben im Schichtenverbund, – Einlegen des Schichtenverbundes in eine Kavität einer Spritzform, wobei die Kavität derart ausgebildet ist, dass die Innenwände der Spritzform an der Vorder- und Rückseite des Schichtenverbundes anliegen, – Eintreiben einer Spritzmasse, welche mit einem Lumineszenzkonvertermaterial versetzt ist, in die Kavität derart, dass die Gräben zumindest teilweise mit Spritzmasse gefüllt werden, – Entfernen der Spritzform und – Vereinzeln der mit dem Lumineszenzkonversionsmaterial bedeckten Leuchtdioden-Chips aus dem Schichtenverbund zu einzeln weiterverarbeitbaren Leuchtdioden-Chips mit Lumineszenzkonversionselement.

公开(公告)号：DE102012107290A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102012107290

申请日：2012-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARKYTAN ALES ,  GAERTNER CHRISTIAN ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  STOLL ION ,  BRUNNER HERBERT ,  SCHLERETH THOMAS

IPC: H01L33/50

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.

公开(公告)号：DE102011102590A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：DE102011102590

申请日：2011-05-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER HARALD ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/301

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von gleichartigen Leuchtdioden-Bauelementen, mit jeweils zumindest einem Leuchtdioden-Chip und einem Konversionsmittel, welches zumindest einen Teil einer vom zumindest einen Leuchtdioden-Chip ausgesandten elektromagnetischen Primärstrahlung wellenlängenkonvertiert. Es sind die Schritte vorgesehen: – Bereitstellen eines Wafers mit darauf aufgebrachten Leuchtdioden-Chips, – Einbringen des Wafers in eine Kavität einer Spritzform, – Eintreiben einer Spritzmasse, welche mit Konversionsmitteln versetzt ist, in die Kavität, so dass die Leuchtdioden-Chips mit einer gleichförmigen Schicht Spritzmasse umgeben sind, – Entfernen der Spritzform – Vereinzeln der Leuchtdioden-Bauteile auf dem Wafer.

公开(公告)号：DE10354936B4

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE10354936

申请日：2003-11-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  PIETZONKA INES DR ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50

Abstract: Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone (3) umfaßt und eine Hauptfläche (4) aufweist, wobei in der aktiven Zone (3) Strahlung einer Wellenlänge λP erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß – auf der Hauptfläche (4) eine Spiegelschicht (15) angeordnet ist, – dem Halbleiterkörper (1) ein Halbleiterkonversionselement (2) nachgeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) von der in der aktiven Zone (3) erzeugten Strahlung der Wellenlänge λP angeregt wird, – das Halbleiterkonversionselement (2) Strahlung einer Wellenlänge λS1 aussendet, welche größer als die Wellenlänge λP ist, – die Halbleiterschichtenfolge seitens der Hauptfläche (4) auf einem Träger (5) angeordnet ist, – das Halbleiterkonversionselement (2) auf der Seite des Trägers (5) angeordnet ist, auf der die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) zwischen dem Träger (5) und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, – die Spiegelschicht (15) ein Metall enthält, und...

公开(公告)号：DE102010028407A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028407

申请日：2010-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PREUS STEPHAN ,  BRUNNER HERBERT ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  SCHOELL HANSJOERG ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements weisen einen optoelektronischen Halbleiterchip (104) auf, der eine Kontaktseite (106) und eine der Kontaktseite (106) gegenüberliegende Strahlungsauskopplungsseite (108) aufweist. Das optoelektronische Bauelement weist einen Chipträger (102) auf, auf den der Halbleiterchip (104) über seine Kontaktseite (106) aufgebracht ist. Auf der Strahlungsauskopplungsseite (108) ist ein Strahlungskonversionselement (110) aufgebracht. Auf dem Chipträger (102) ist zudem eine Vergussmasse (112) aufgebracht, die den Halbleiterchip (104) und das Strahlungskonversionselement (108) seitlich umschließt. Die Vergussmasse (112) ist eine reflektierende Vergussmasse (112). Sie schließt im Wesentlichen bündig an eine Oberkante des Strahlungskonversionselements (110) an, so dass eine Oberseite des Strahlungskonversionselements (110) frei von der Vergussmasse (112) ist.

公开(公告)号：DE102009051746A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009051746

申请日：2009-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER KLAUS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  SPATH GUENTER ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/50 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine erste Hauptfläche (1a) aufweist, - zumindest einem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip (2), und - einer Kontaktmetallisierung (3a, 3b), wobei - der Träger (1) elektrisch isolierend ist, - der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels eines Verbindungsmaterials (4), insbesondere eines Lotmaterials, an der ersten Hauptfläche (1a) des Trägers (1) befestigt ist, - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) zumindest einen Bereich der ersten Hauptfläche (1a) bedeckt, der frei vom optoelektronischen Halbleiterchip (2) ist, und - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) verbunden ist.