公开(公告)号：DE102017210654A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung umfasst Folgendes: eine Lotkugel, eine dielektrische Schicht, die eine Öffnung umfasst, und eine Umverdrahtungsschicht (RDL: Redistribution Layer), die ein RDL-Pad umfasst, das mit der Lotkugel verbunden ist, wobei das RDL-Pad wenigstens einen Hohlraum umfasst, wobei der Hohlraum wenigstens teilweise in einem Bereich des RDL-Pads angeordnet ist, der sich lateral außerhalb der Öffnung der dielektrischen Schicht befindet.

公开(公告)号：DE102011054784B4

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102011054784

申请日：2011-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  MEYER THORSTEN ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterdie (10), umfassend:ein Substrat (12);ein erstes Bauelementgebiet (18) mit einer ersten Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der ersten Epitaxialschicht (14) des ersten Bauelementgebiets (18) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem ersten Typ;ein von dem ersten Bauelementgebiet (18) beabstandetes zweites Bauelementgebiet (20) mit einer zweiten Epitaxialschicht (16) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der zweiten Epitaxialschicht (16) des zweiten Bauelementgebiets (20) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem zweiten Typ;wobei die erste Epitaxialschicht (14) von der zweiten Epitaxialschicht (16) verschieden ist,wobei die erste Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und die zweite Epitaxialschicht (16) auf der ersten Epitaxialschicht (14) ausgebildet ist, undwobei die zweite Epitaxialschicht (16) eine andere Dotierkonzentration als die erste Epitaxialschicht (14) aufweist und/oder im zweiten Bauelementgebiet (20) eine größere Dicke als in dem ersten Bauelementgebiet (18) aufweist.

公开(公告)号：DE102011056315B4

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102011056315

申请日：2011-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEITZER LUDWIG ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

Abstract: Halbleiterbauelement (100, 200, 300), umfassend: eine Umverdrahtungsschicht, die über einem Chip (110, 320) oder über einem Chip (320) und einem Fan-Out-Gebiet (310) angeordnet ist, wobei die Umverdrahtungsschicht eine erste Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) umfasst; eine Isolationsschicht (160), die über der Umverdrahtungsschicht angeordnet ist, wobei die Isolationsschicht (160) eine auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100, 200, 300) angeordnete erste Öffnung aufweist, die einen ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) ausbildet; und eine erste Zwischenverbindung (180, 181, 182, 183), die sich in der ersten Öffnung und in Kontakt mit der ersten Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) befindet, wobei die erste Umverdrahtungsleitung in dem ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) orthogonal zu einer von der ersten Öffnung zum Mittelpunkt der Oberfläche des Halbleiterbauelements verlaufenden ersten Richtung (AR, AR1, AR2, AR3) angeordnet ist, und wobei die erste Umverdrahtungsleitung (150, 151, 152, 153) indem ersten Pad-Bereich (170, 171, 172, 173) nicht parallel zu einer Kante des Halbleiterbauelements verläuft.

公开(公告)号：DE102016111573A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：DE102016111573

申请日：2016-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABULANO GIULIANO ANGELO ,  CHEN LIU ,  DINKEL MARKUS ,  GRUBER MARTIN ,  JOST FRANZ ,  MEYER THORSTEN ,  MIESLINGER STEFAN ,  OETJEN JENS ,  SALMINEN TONI ,  SCHALLER RAINER MARKUS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

Abstract: Ein Verbindungsmodul enthält eine Metallklemme, die einen ersten Endabschnitt, einen zweiten Endabschnitt und einen Mittelabschnitt, der sich zwischen dem ersten Endabschnitt und dem zweiten Endabschnitt erstreckt. Der erste Endabschnitt ist zum externen Befestigen an einem Halbleiternacktchip oder einer Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger angebracht ist, oder an einem Metallbereich des Trägers konfiguriert. Der zweite Endabschnitt ist konfiguriert zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist. Das Modul enthält ferner einen Magnetfeldsensor, der an der Metallklemme befestigt ist. Der Magnetfeldsensor arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom, der durch die Metallklemme fließt, produziert wird. Das Verbindungsmodul kann verwendet werden, um eine direkte elektrische Verbindung zwischen Komponenten und/oder Metallbereichen eines Trägers, an dem das Modul angebracht ist, zu bilden.

公开(公告)号：DE102008038815B4

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：DE102008038815

申请日：2008-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  BRADL STEPHAN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/525

Abstract: Integrierte Schaltung (100, 120), umfassend: ein Substrat mit einem Kontaktpad (106); eine an das Kontaktpad (106) gekoppelte Umverteilungsleitung (114); eine dielektrische Materialschicht (108) zwischen dem Substrat und der Umverteilungsleitung (114); eine Lötkugel (118), die die Umverteilungsleitung (114) unmittelbar kontaktiert; eine Parylen-Materialschicht (110), die die dielektrische Materialschicht (108) und die Umverteilungsleitung (114) versiegelt; und eine Lötstoppmaterialschicht (116) über der Parylen-Materialschicht (110).

公开(公告)号：DE102011085348B4

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102011085348

申请日：2011-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BÖCK JOSEF ,  LACHNER JOSEF ,  MEYER THORSTEN ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  G01S7/03 ,  H01L49/00 ,  H01Q1/44 ,  H01Q17/00 ,  H01Q23/00 ,  H05K1/18

Abstract: Halbleitermodul, das folgende Merkmale aufweist: eine gedruckte Schaltungsplatine (206–606); ein Gehäuse (204–604), das eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (202–602) (IC-Vorrichtung), die in einen Gehäuseformverbund eingebettet ist, und eine oder mehrere integrierte Antennenstrukturen (208–608) aufweist, die mit der IC-Vorrichtung (202–602) gekoppelt sind und konfiguriert sind, um eine elektromagnetische Strahlung für eine drahtlose Übertragung zu erzeugen; und eine Bondverbindungsstruktur mit dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (210–610), konfiguriert, um das Gehäuse (204–604) physisch mit der gedruckten Schaltungsplatine (206–606) zu verbinden; wobei die zumindest eine der integrierten Antennenstrukturen (208–608) in einer größeren Mitte-zu-Mitte-Distanz von der IC-Vorrichtung (202–602) angeordnet ist als jegliche der dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (210–610).

公开(公告)号：DE102010015903B4

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102010015903

申请日：2010-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  FUERGUT EDWARD ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  MEYER THORSTEN ,  STROBEL PETER ,  PORWOL DANIEL ,  WACHTER ULRICH

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, mit den folgenden Schritten: Platzieren mehrerer Chips (104) auf einen Träger (101); Platzieren von wenigstens einem Markierungselement (120) auf dem Träger (101) relativ zu den mehreren Chips (104); Aufbringen von Einkapselungsmaterial (107) auf die mehreren Chips (104), das Markierungselement (120) und den Träger (101) zur Bildung eines Einkapselungsarbeitsstücks, wobei das Einkapselungsarbeitsstück eine dem Träger zugewandte erste Hauptseite (108) und eine zweite Hauptseite gegenüber der ersten Hauptseite (109) aufweist; wobei das Markierungselement (120) auf der dem Träger zugewandten Seite mit einem Linienmuster (130) versehen ist; Entfernen des Trägers (101) von dem Einkapselungsarbeitsstück; wobei das Linienmuster (130) jeweils von der ersten Hauptseite (108) und von der zweiten Hauptseite (109) aus optisch detektierbar ist; und Detektieren der Markierungselemente (120) durch ein der zweiten Hauptseite zugewandtes optisches Erkennungssystem.

公开(公告)号：DE102011085348A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：DE102011085348

申请日：2011-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOECK JOSEF ,  LACHNER JOSEF ,  MEYER THORSTEN ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  G01S7/03 ,  H01L23/12 ,  H01L49/00 ,  H01Q1/44 ,  H01Q17/00 ,  H01Q23/00 ,  H05K1/16

Abstract: Hierin wird ein Halbleitermodul mit einer oder mehreren integrierten Antennen in einem einzelnen Gehäuse bereitgestellt, das eine Bondverbindungsstruktur mit einer Mehrzahl von individuellen Bondelementen aufweist, die auf einen relativ kleinen Bereich des Bodens eines Gehäuses begrenzt sind. Genauer gesagt weist das Halbleitermodul eine Bondverbindungsstruktur auf, die konfiguriert ist, um ein integriertes Gehäuse mit einer gedruckten Schaltungsplatine (PCB) zu verbinden, wobei die integrierten Antennenstrukturen in einer größeren Mitte-zu-Mitte-Distanz von der IC-Vorrichtung angeordnet sind als die dreidimensionalen Verbindungsstrukturen. Daher sind die Bondverbindungsstrukturen auf einen Verbindungsbereich begrenzt, der verursacht, dass sich ein Teil des Gehäuses, der die eine oder die mehreren Antennenstrukturen enthält, über die Bondverbindungsstruktur hinaus als eine freitragende Struktur erstreckt. Eine solche Bondverbindungsstruktur führt zu einem Gehäuse, das in Kontakt mit einer PCB an einem relativ kleinen Bereich ist, der die Last des Gehäuses stützt.

公开(公告)号：DE102011053161A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Führen von elektrischen Verbindungen von mehreren Chips offenbart. In einer Ausführungsform wird eine Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Halbleiterchip, mindestens einer Leitungsführungsebene mit mindestens einer Leitungsführungsleitung und mindestens einer Verbindungsleitung, die mit der mindestens einen Leitungsführungsleitung und dem mindestens einen Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist, geschaffen.

公开(公告)号：DE102008038175B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102008038175

申请日：2008-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/32

Abstract: Halbleiteranordnung, umfassend: – einen Halbleiterchip; – einen den Halbleiterchip bedeckenden Formkörper, wobei der Formkörper ein Feld von Aussparungen in einer ersten Oberfläche des Formkörpers umfasst und die Aussparungen nicht durch den Formkörper hindurchreichen; – erste Kontaktelemente; und – elastische Elemente in den Aussparungen, welche die ersten Kontaktelemente mit dem Formkörper verbinden.