公开(公告)号：DE10305618A1

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：DE10305618

申请日：2003-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOETSCHKES UDO ,  MOELLER HOLGER ,  ROGALLI MICHAEL ,  REB ALEXANDER ,  TRINOWITZ REINER

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20

Abstract: On semiconductor wafer (1) is formed layer (2), whose surface (4) has at least one depression (6). On surface is deposited first photosensitive lacquer (7), filling depression. First lacquer is exposed on surface and above depression, with lacquer in depression not exposed. First lacquer is developed and photosensitive second lacquer (9) is deposited on wafer and is again exposed with structure pattern. First exposition is carried out with radiation doses sufficient to expose surface after development. INDEPENDENT CLAIM is included for use of method in manufacture of semiconductor memory.

公开(公告)号：DE19961103A1

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：DE19961103

申请日：1999-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  WEGE STEPHAN

IPC: H05K1/03 ,  H01L21/283 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/314

Abstract: Electric wiring of an IC comprises: a base body (1); a conductive layer (2) patterned into two conductor tracks (3,4) with a trench (5) between; and a dielectric layer (9) on the conductive layer, at least partially filling the trench. The dielectric layer is at least one polymer selected from polybenzoxazole, polynorbornene and derivatives. Independent claims are also included for: (a) electrical wiring, in which the polymer material is selected from fluorinated derivatives of polybenzoxazole, polynorbornene, polyimide and perylene polymer; and (b) a process to produce the electrical wiring, by: forming the conductive layer (2) on a base body (1), patterning and spin coating at least one dielectric polymer layer onto the conductive layer so the trench (5) is at least partially filled.

公开(公告)号：DE102020114527A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114527

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SAX HARRY ,  GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Chipgehäuse ist bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann Folgendes beinhalten: wenigstens einen Chip, ein freigelegtes Metallgebiet, eine Metallschutzschichtstruktur über dem freigelegten Metallgebiet und zum Schützen des Metallgebiets vor Oxidation eingerichtet, wobei die Schutzschichtstruktur ein niedertemperaturabgeschiedenes Oxid beinhaltet, und eine hydrothermal umgewandelte Metalloxidschicht über der Schutzschichtstruktur.

公开(公告)号：DE102018118544A1

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102018118544

申请日：2018-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEE WEI CHEAT ,  LIM WEI LEE ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  RENNER FRANK ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: Ein Package (100) weist einen elektronischen Chip (102) mit einem Pad (104) auf, wobei das Pad (104) zumindest teilweise mit haftungsverbessernden Strukturen (106) abgedeckt ist und wobei das Pad (104) und die haftungsverbessernden Strukturen (106) mindestens ein chemisches Element, insbesondere Aluminium, gemeinsam haben.

公开(公告)号：DE102012111831B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102012111831

申请日：2012-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  GROSS JOHANN ,  ILLING ROBERT ,  KRUG MAXIMILIAN ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  ROGALLI MICHAEL ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:ein Basiselement (6) mit einer Vielzahl von Komponenten elektronischer Schaltungen in einem Oberflächenbereich eines Halbleitersubstrats (1) undein Kupferelement (2) aufweisend Kupferkörner (2a) über dem Basiselement (6),wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 pm hat und das Verhältnis der mittleren Korngröße der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) zur Dicke des Kupferelements (2) kleiner als 0,7 ist, undwobei der Modalwert der Korngrößenverteilung der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) größer als 2 pm und kleiner als 5 pm ist.

公开(公告)号：DE102013111452A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：DE102013111452

申请日：2013-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Halbleitervorrichtung (310) bereit, die eine letzte Metallschicht (312), die eine Oberseite (328) und wenigstens eine Seitenwand (322) besitzt; und eine Passivierungsschicht (313), die wenigstens über einem Teil der Oberseite (328) und/oder der wenigstens einen Seitenwand (322) der letzten Metallschicht (312) angeordnet ist, aufweist; wobei die Passivierungsschicht (313) eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke besitzt.

公开(公告)号：AT282858T

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：AT95911211

申请日：1995-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCHBAUER JOSEF ,  HOPF ERICH ,  GROENNINGER GUENTHER ,  FISCHER JUERGEN ,  DIDSCHIES GUENTER ,  MUNDIGL JOSEF ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: B42D15/10 ,  C09J7/02 ,  C09J153/02 ,  C09J177/00 ,  G06K19/077

公开(公告)号：DE102017113515A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102014019828B3

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102014019828

申请日：2014-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Verfahren zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung, das Folgendes aufweist: das Ausbilden einer abschließenden Metallschicht (503); das Abscheiden einer ersten Passivierungsschicht (504) in nicht vollständig gehärtetem Zustand über der abschließenden Metallschicht (503); das Strukturieren der ersten Passivierungsschicht (504), während sich diese in nicht vollständig gehärtetem Zustand befindet, um einen Teil der abschließenden Metallschicht (503) zu öffnen; das Abscheiden einer ALD-Passivierungsschicht (505) über der ersten Passivierungsschicht (504) und über dem Teil der abschließenden Metallschicht (503), während sich die erste Passivierungsschicht (504) in nicht vollständig gehärtetem Zustand befindet; und das zumindest teilweise Härten der ersten Passivierungsschicht (504) nach dem Abscheiden der ALD-Passivierungsschicht (505), wobei die ALD-Passivierungsschicht (505) durch ein Atomlagenabscheidungsverfahren abgeschieden wird.

公开(公告)号：DE102014119360A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014119360

申请日：2014-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform wird ein Verfahren zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, das Folgendes aufweist: das Ausbilden einer abschließenden Metallschicht, das Ausbilden einer Passivierungsschicht über der abschließenden Metallschicht und das Strukturieren der Passivierungsschicht und der abschließenden Metallschicht zur Ausbildung einer strukturierten Metallschicht und einer strukturierten Passivierungsschicht, wobei die strukturierte Metallschicht einen Anschlussflächenbereich aufweist, der durch die strukturierte Passivierungsschicht abgedeckt ist.