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    Integriertes Schaltungsmodul mit Wellenleiter-Übergangselement
    13.
    发明专利
    Integriertes Schaltungsmodul mit Wellenleiter-Übergangselement 未知

    公开(公告)号：DE102014105845A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：DE102014105845

    申请日：2014-04-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER

    IPC: H01P5/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein integriertes Schaltungsmodul umfasst eine Gehäuse-Vergussmasseschicht, eine Hochfrequenz(HF)-integrierte Schaltung, die innerhalb der Gehäuse-Vergussmasseschicht eingebettet ist und einen HF-Anschluss aufweist, eine Wellenleiter-Übergangsstruktur, die innerhalb der Gehäuse-Vergussmasseschicht eingebettet ist, und eine Umverteilungsschicht. Die Wellenleiter-Übergangsstruktur umfasst einen Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt, einen Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt, der ausgelegt ist, mit einem rechteckigen Wellenleitergehäuse gekoppelt zu werden, und einen Transformatorabschnitt, der ausgelegt ist, einen Modenübergang zwischen dem Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt und dem Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt vorzusehen. Die Umverteilungsschicht umfasst wenigstens eine Isolierschicht und wenigstens eine Metallisierungsschicht, die sich zwischen der HF-integrierten-Schaltung und der Wellenleiter-Übergangsstruktur quer über eine Fläche der Gehäuse-Vergussmasseschicht erstrecken. Die erste Umverteilungsschicht umfasst eine HF-Übertragungsleitung, die zwischen den HF-Anschluss der HF-integrierten Schaltung und den Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt der Wellenleiter-Übergangsstruktur leitfähig geschaltet ist.

    CHIP-PACKAGE MIT SUBSTRATINTEGRIERTEM WELLENLEITER UND WELLENLEITERSCHNITTSTELLE
    16.
    发明专利
    CHIP-PACKAGE MIT SUBSTRATINTEGRIERTEM WELLENLEITER UND WELLENLEITERSCHNITTSTELLE 未知

    公开(公告)号：DE102022115688A1

    公开(公告)日：2022-12-29

    申请号：DE102022115688

    申请日：2022-06-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ERDOEL TUNCAY ,  HARTNER WALTER ,  MOELLER ULRICH ,  RIEDER BERNHARD ,  SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01P5/08

    Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen Chip, der ausgebildet ist, ein Signal zu erzeugen und/oder zu empfangen; ein Laminatsubstrat, das einen substratintegrierten Wellenleiter (SIW) zum Tragen des Signals umfasst, wobei der substratintegrierte Wellenleiter eine Chip-zu-SIW-Übergangsstruktur umfasst, die ausgebildet ist, das Signal zwischen den SIW und den Chip zu koppeln, und eine SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur, die ausgebildet ist, das Signal aus dem SIW aus- oder in den SIW einzukoppeln, wobei die SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur eine Wellenleiterapertur umfasst; und eine Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen, die um eine Peripherie der Wellenleiterapertur angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen ausgebildet ist, das Signal von der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur zu empfangen und das Signal von dem Chip-Package auszugeben oder das Signal mit der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur und in das Chip-Package zu koppeln.

    Halbleitervorrichtungen mit Aussparungen in einem Verkapselungsmaterial und zugehörige Herstellungsverfahren
    17.
    发明专利
    Halbleitervorrichtungen mit Aussparungen in einem Verkapselungsmaterial und zugehörige Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102019112940A1

    公开(公告)日：2020-01-02

    申请号：DE102019112940

    申请日：2019-05-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

    Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente, wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente umfasst: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, und ein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnetes Opfermaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente mit einem Verkapselungsmaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen des Opfermaterials, wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips eine Aussparung in dem Verkapselungsmaterial ausgebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen zumindest eines Deckels über der zumindest einen Aussparung, wobei durch die zumindest eine Aussparung und den zumindest einen Deckel über jedem des zumindest einen Halbleiterchips ein geschlossener Hohlraum ausgebildet wird.

    Mikrowellen-Chipgehäusevorrichtung
    19.
    发明专利
    Mikrowellen-Chipgehäusevorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015112861A1

    公开(公告)日：2016-02-11

    申请号：DE102015112861

    申请日：2015-08-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER ,  BOECK JOSEF

    IPC: H01L23/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L25/065 ,  H01Q23/00

    Abstract: Eine Mikrowellenvorrichtung schließt ein Halbleitergehäuse ein, das einen Mikrowellen-Halbleiterchip und ein dem Halbleitergehäuse zugehöriges Wellenleiter-Bauteil umfasst. Das Wellenleiter-Bauteil ist zur Übertragung eines Mikrowellen-Wellenleitersignals ausgestaltet. Es schließt ein Teil oder mehrere Teile ein. Die Mikrowellenvorrichtung schließt ferner ein Transformator-Element, das zur Umwandlung eines Mikrowellensignals von dem Mikrowellen-Halbleiterchip in das Mikrowellen-Wellenleitersignal oder zur Umwandlung des Mikrowellen-Wellenleitersignals in ein Mikrowellen-Signal für den Mikrowellen-Halbleiterchip ausgestaltet ist, ein.

    Funktionalisierte Redistribution-Layer
    20.
    发明专利
    Funktionalisierte Redistribution-Layer 未知

    公开(公告)号：DE102014112497A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：DE102014112497

    申请日：2014-08-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01L23/66 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/525 ,  H01L23/60 ,  H01L29/417 ,  H01Q23/00 ,  H05F3/02

    Abstract: Ein elektronisches Bauelement, das mindestens einen Interkonnektor, einen mindestens ein elektrisches Chip-Pad umfassenden Halbleiter-Chip, eine Verkapselungsstruktur, die mindestens einen Teil des Halbleiter-Chips verkapselt, und eine elektrisch leitfähige Redistribution-Layer, die zwischen dem mindestens einen Interkonnektor und dem mindestens einen Chip-Pad angeordnet und elektrisch damit gekoppelt ist, umfasst, wobei die Redistribution-Layer mindestens eine Einstellungsstruktur umfasst, die zur Einstellung von Hochfrequenzeigenschaften eines Übergangs zwischen dem Halbleiter-Chip und seiner Peripherie konfiguriert ist.

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