公开(公告)号：DE102007003991A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：DE102007003991

申请日：2007-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  PETER MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: The chip (20) has a tunnel transition (4) of a n-type tunnel transition layer (5) and a p-type tunnel transition layer (7), and an active region (11) for emission of electromagnetic radiation. An undoped region (6) of an undoped intermediate layer is arranged between the n-type tunnel layer and the p-type tunnel layer, where the undoped region has a thickness between 0.5 nanometer and 15 nanometer, and intermediate layers with different compositions. The n-type and the p-type layers are separated from each other by the undoped region, which is made of aluminum gallium nitride. An independent claim is also included for a method for manufacturing an opto-electronic semiconductor chip.

公开(公告)号：DE102012101718A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102012101718

申请日：2012-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  TECH UNI CAROLO WILHELMINA ZU BRAUNSCHWEIG

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  LEDIG JOHANNES ,  NEUMANN RICHARD ,  WAAG ANDREAS

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

公开(公告)号：DE102011112713A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102011112713

申请日：2011-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  STRASBURG MARTIN ,  GALLER BASTIAN ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/06

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus InyGa1-yN mit 0 ≤ y

公开(公告)号：DE102008056175A1

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：DE102008056175

申请日：2008-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LUGAUER HANS-JUERGEN ,  STRASBURG MARTIN ,  STREUBEL KLAUS ,  WINDISCH REINER ,  ENGL KARL

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/12

Abstract: A method of producing a radiation-emitting thin film component includes providing a substrate, growing nanorods on the substrate, growing a semiconductor layer sequence with at least one active layer epitaxially on the nanorods, applying a carrier to the semiconductor layer sequence, and detaching the semiconductor layer sequence and the carrier from the substrate by at least partial destruction of the nanorods.

公开(公告)号：DE102008052405A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102008052405

申请日：2008-10-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  PETER MATTHIAS ,  ZEHNDER ULRICH ,  TAKI TETSUYA ,  LEBER ANDREAS ,  BUTENDEICH RAINER ,  BAUER THOMAS

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34

Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦̸x≦̸1, 0≦̸y≦̸1 and x+y≦̸1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).

公开(公告)号：DE102008013900A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：DE102008013900

申请日：2008-03-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  STRASBURG MARTIN ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

公开(公告)号：DE102007035687A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：DE102007035687

申请日：2007-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  BADER STEFAN ,  BAUR JOHANNES ,  SABATHIL MATTHIAS ,  STRASBURG MARTIN ,  ZEHNDER ULRICH

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

公开(公告)号：DE102006043400A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE102006043400

申请日：2006-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  BRUEDERL GEORG ,  HAERLE VOLKER ,  HOEPPEL LUTZ ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  H01S5/30

Abstract: The optoelectronic semiconductor chip has a growth substrate (1) with a structured growth surface, which has multiple projections (4) and hollows (3). An active series of deposits (5) are applied on the growth surface. The surface area of the active series of deposits is larger than the area of the lateral cross section (Q) of the growth substrate. The growth substrate consists of gallium nitride, silicon carbide, sapphire, indium gallium nitride, indium aluminum gallium nitride nad zinc oxide.

公开(公告)号：DE102011116232A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102011116232

申请日：2011-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  STRASBURG MARTIN ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip mit einem Schichtenstapel angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (21a) und eine zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) aufweist. Die erste Halbleiterschichtenfolge (21a) weist einen ersten Halbleiterbereich (2a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweiten Halbleiterbereich (2b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Zone (1a) auf. Die zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) weist den zweiten Halbleiterbereich (2b) des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen dritten Halbleiterbereich (2c) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete zweite aktive Zone (1b) auf. Weiter wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleitertyps angegeben.

公开(公告)号：DE102008056371A1

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：DE102008056371

申请日：2008-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  GROLIER VINCENT ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer sequence having at least one doped functional layer having at least one dopant and at least one codopant, wherein the semiconductor layer sequence includes a semiconductor material having a lattice structure, one selected from the dopant and the codopant is an electron acceptor and the other an electron donor, the codopant is bonded to the semiconductor material and/or arranged at interstitial sites, and the codopant at least partly forms no bonding complexes with the dopant.