实现低应力敏感结构贴片工艺的方法

    公开(公告)号:CN111137850B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201911186136.5

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明一种实现低应力敏感结构贴片工艺的方法,能够解决目前采用环氧树脂等胶类的MEMS器件敏感结构贴片方式所存在的技术问题。该方法包括以下步骤:在MEMS器件管壳上镀上一层金层;在所述金层上制作若干个且按设定布局排列的金球;在所述敏感结构的贴装面镀上一层金层;将敏感结构置于所述MEMS器件管壳上,其中,所述金球与敏感结构的贴装面的金层对准,得到复合结构;在真空和高温环境下,对所述敏感结构施加一定压力,通过金金热压焊工艺实现贴装面与金球的连接以完成敏感结构贴片工艺。

    Z轴加速度计敏感结构及Z轴加速度计

    公开(公告)号:CN114994362A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210620692.4

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明提供了一种Z轴加速度计敏感结构及Z轴加速度计,包括衬底和至少一个加速度计敏感结构组,加速度计敏感结构组包括两个加速度计敏感子结构,任一子结构均包括敏感质量块组、第一、第二偏置质量块、第一、第二弹簧支撑梁、第一、第二锚点单元、第一和第二极板,第一弹簧支撑梁分别与敏感质量块组的一侧以及第一锚点单元连接,第二弹簧支撑梁分别与敏感质量块组的另一侧以及第二锚点单元连接,第一偏置质量块与第二敏感质量块的一侧连接,第二偏置质量块与第二敏感质量块的另一侧连接,第一、第二极板与第一、第二敏感质量块一一相对设置。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中Z轴加速度计零偏的稳定性和重复性差、滞回大的技术问题。

    一种集成化微PNT单元
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109781097B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201711128909.5

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 本发明属于定位导航授时(PNT)领域,具体涉及一种集成化微PNT单元;包括中心微时钟模块和外侧微惯性模块;中心微时钟模块的锚点位于中心,锚点的外部分布有若干圆环,圆环与圆环之间均匀分布有径向短梁,外电极分布在最外围,工作时,通过静电力作用和闭环反馈实现稳定控制,对外提供稳定的频率信息;微惯性模块的环形锚点位于中心,圆环位于外侧,圆环与环形锚点之间均匀分布有组合梁,圆环的内、外侧均匀分布有平面外电极和平面内电极、圆环上下表面分布有离面电极,实现X、Y、Z三轴向加速度输入和X、Y、Z三轴向角运动输入的敏感。本发明整体可通过MEMS平面工艺实现,不涉及微观层面的多层堆叠和精密组装,实现工艺较为简单。

    实现低应力敏感结构贴片工艺的方法

    公开(公告)号:CN111137850A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911186136.5

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明一种实现低应力敏感结构贴片工艺的方法,能够解决目前采用环氧树脂等胶类的MEMS器件敏感结构贴片方式所存在的技术问题。该方法包括以下步骤:在MEMS器件管壳上镀上一层金层;在所述金层上制作若干个且按设定布局排列的金球;在所述敏感结构的贴装面镀上一层金层;将敏感结构置于所述MEMS器件管壳上,其中,所述金球与敏感结构的贴装面的金层对准,得到复合结构;在真空和高温环境下,对所述敏感结构施加一定压力,通过金金热压焊工艺实现贴装面与金球的连接以完成敏感结构贴片工艺。

    一种环形微机电陀螺敏感结构

    公开(公告)号:CN109781086A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201711129755.1

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域,具体涉及一种环形微机电陀螺敏感结构;该结构包括外环、锚接点、组合梁、驱动电极组、检测电极组和调谐电极组;锚接点位于中心,外环通过多个组合梁与锚接点连接,外环与锚接点同心,外环的上、下底面悬空设置,驱动电极组和检测电极组交替均布设置在外环外侧,调谐电极组均布设置在外环内侧;工作时,外环在驱动电极组静电力作用下保持驱动模态振型,当外界有角速率作用时,通过哥式力耦合,激发检测模态振型,检测电极组通过检测电容间隙的变化实现外界输入的感测,调谐电极组实现驱动和检测模态的频率匹配。本发明采用中心单点支撑对称结构,锚点在驱动和检测模态的振形节点位置,大幅降低支撑损耗,获取高Q值。

    一种LCC封装应力释放结构
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105712283B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201410720844.3

    申请日:2014-12-02

    Abstract: 本发明属于封装领域,具体涉及种LCC封装应力释放结构。种LCC封装应力释放结构,包括与芯片外形匹配的应力释放结构,应力释放结构上设置锚点和支撑点,锚点和支撑点之间通过连接梁连接。本发明的效果是:1)在不改变原有LCC壳体材料、增大工艺成本的前提下,通过应力释放结构能够有效降低因材料热膨胀系数不匹配导致的热应力。2)在不显著增大体积的前提下,通过位于LCC壳体内部的应力释放结构能够有效隔离和衰减外界振动、冲击等力学输入,降低机械应力、防护芯片,提升系统的力学环境适应性。

    一种SOI微半球陀螺敏感结构

    公开(公告)号:CN107063224A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201611139815.3

    申请日:2016-12-12

    Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域,涉及一种微半球陀螺,具体涉及一种SOI微半球陀螺敏感结构,该结构包括中心半球谐振子、环形电极、电极绝缘层、离散电极和底座;中心半球谐振子为中心对称结构,包括半球壳体和底部支撑柱;底部支撑柱设置在半球壳体正下方,并与底座固定连接;环形电极和离散电极设置在中心半球谐振子的外侧圆周,并与中心半球谐振子之间形成间隙,环形电极设置在离散电极上,并与离散电极之间通过电极绝缘层实现隔离,离散电极设置在底座上;中心半球谐振子的半球壳体上部自由端至少与环形电极上端面保持齐平。本发明可实现角度(速率积分)工作模式,该工作模式避免了角速率的积分误差等环节,可确保高线性度和大动态测量范围。

    一种高真空陶瓷LCC封装方法

    公开(公告)号:CN102040186B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010538418.X

    申请日:2010-11-09

    Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域,具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求:封装腔体内的真空度小于1Pa,保存期限大于等于15年,实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法,提高了封装质量,降低了封装体的整体漏率,即外漏问题;通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片,减少了封装体内部材料的放气量;通过吸气剂激活,可有效吸附封装体内释放的少量气体,保证了封装体内的较好真空度。

    一种用于低水汽含量封装的除气充气设备

    公开(公告)号:CN201864557U

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201020601949.4

    申请日:2010-11-11

    Abstract: 本实用新型涉及气密性封装领域,具体涉及一种用于低水汽含量封装的除气充气设备。其特点在于:由真空系统、工作系统、充气系统三部分组成的除气充气设备,能够在MEMS传感器封装前对零部件进行除气,通过监测与控制装置降低设备自身及零部件的水汽含量和残余气体;同时可以按照相应工艺要求控制充入工艺气体纯度和压强,进而满足器件封装后对内部水汽含量、工艺气体纯度和压强控制的要求。本实用新型可以保证微小型器件封装腔体内水汽含量小于500×10-6、工艺气体纯度高于99%、气压精度控制在±100Pa以内。

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