公开(公告)号：DE102013204275B4

公开(公告)日：2022-01-05

申请号：DE102013204275

申请日：2013-03-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  HARFMANN MARKUS ,  KOTEK MANFRED ,  KRENN CHRISTIAN ,  NEIDHART THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiteranordnung, die aufweist:eine auf einem Halbleiterträger (2) angeordnete erste Halbleiterzone (1) eines ersten Leitungstyps (n), die ein Halbleitergrundmaterial aufweist, das mit einem ersten Dotierstoff und einem zweiten Dotierstoff dotiert ist, wobei der erste Dotierstoff Phosphor und der zweite Dotierstoff Arsen oder Antimon ist und das Halbleitergrundmaterial Silizium oder Siliziumkarbid ist, undeine auf der ersten Halbleiterzone (1) angeordnete Epitaxieschicht (3), die eine niedrigere Dotierungskonzentration als die erste Halbleiterzone (1) aufweist, undeine in der Epitaxieschicht (3) angeordnete Bauelementzone (4, 5) eines Halbleiterbauelements,wobei die erste Halbleiterzone (1) eine dem Halbleiterträger (2) zugewandte Unterseite (12) und eine dem Halbleiterträger (2) abgewandte Oberseite (11) aufweist undwobei der erste Dotierstoff, ausgehend von der Unterseite (12) in einer zur Unterseite (12) senkrechten vertikalen Richtung (v) weg vom Halbleiterträger (2) eine Konzentration besitzt,die sich hin zur Oberseite (11) der n-dotierten ersten Halbleiterzone (1) graduell verringert,die sich hin zur Oberseite (11) der n-dotierten ersten Halbleiterzone (1) zunächst graduell erhöht und dann verringert, oderdie bis zu einem ersten Abstand (d1') von der Unterseite (12) eine Konzentration besitzt, die konstant oder im Wesentlichen konstant ist und sich dann in Richtung der Oberseite (11) graduell verringert, wobeider erste Abstand (d1') 40% bis 80% der Dicke (d1) der ersten Halbleiterzone (1) beträgt undwobei die Dotierstoffkonzentration beim ersten Abstand (d1') kleiner oder gleich 50%, kleiner oder gleich 30% oder kleiner oder gleich 10% der Dotierstoffkonzentration an der Unterseite (12) ist.

公开(公告)号：DE102017117306A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017117306

申请日：2017-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHLÖGL DANIEL ,  LERCHER ERWIN ,  KÜNLE MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/328 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/334 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Leistungshalbleitervorrichtung (100) ist bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet Folgendes: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (101), der durch einen Czochralski-Prozess gewachsen ist und eine erste Seite (101a) aufweist; Bilden einer n-Typ-Substratdotierungsschicht (105) in dem Halbleiterwafer (101) bei der ersten Seite (101a), wobei die Substratdotierungsschicht (105) eine Dotierungskonzentration von wenigstens 10/cm, typischerweise von wenigstens 10/cmaufweist; und Bilden einer epitaktischen Schicht (19) auf der ersten Seite (101a) des Halbleiterwafers (101) nach dem Bilden der Substratdotierungsschicht (105).

公开(公告)号：DE102018112979A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102018112979

申请日：2018-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  EICHINGER BARBARA ,  HELLMUND OLIVER ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MODER IRIS ,  SAENGER ANETTE ,  SOMMER DORIS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76

Abstract: Eine integrierte Schaltungsvorrichtung (101) umfassend einen Chip-Die (110) mit einem ersten Bereich mit einer ersten Dicke, die einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke umgibt, wobei die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist, wobei der Chip-Die (110) eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wenigstens eine passive elektrische Komponente (130), die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im ersten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist, und wenigstens eine aktive elektrische Komponente, die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im zweiten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102016109165A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109165

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MURI INGO ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  MODER IRIS ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen umfasst das Bilden einer Mehrzahl von Gräben, die sich von einer ersten lateralen Oberfläche eines Halbleiterwafers in Richtung einer zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers erstrecken. Das Verfahren umfasst ferner das Füllen von zumindest einem Abschnitt der Mehrzahl von Gräben mit Füllmaterial. Das Verfahren umfasst ferner das Dünnen des Halbleiterwafers von der zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers, um einen gedünnten Halbleiterwafer zu bilden. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden einer Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur auf einer Mehrzahl von Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers nach dem Dünnen des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner das Individualisieren der Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers durch Entfernen von zumindest einem Teil des Füllmaterials aus der Mehrzahl von Gräben nach dem Bilden der Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur, um die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen zu erhalten.

公开(公告)号：DE102016112512A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102016112512

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

Abstract: Eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden einer Sauerstoffdiffusions-Sperrschicht auf einer ersten Oberfläche eines Czochralski- oder magnetischen Czochralski-Siliziumsubstrats (S100). Eine Siliziumschicht wird auf der Sauerstoffdiffusions-Sperrschicht ausgebildet (S110). P-dotierte und n-dotierte Halbleitervorrichtungsbereiche werden in der Siliziumschicht ausgebildet (S120). Das Verfahren schließt auch ein Ausbilden erster und zweiter Lastanschlusskontakte ein (S130).

公开(公告)号：DE102015210923A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015210923

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) wird präsentiert. Das Verfahren (2) umfasst das Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der eine Vorderseite 10-1 und eine Rückseite (10-2) aufweist, worin der Halbleiterkörper (10) eine Drift-Region (101), die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, und eine Body-Region (102), die Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyps ist, umfasst, wobei ein Übergang zwischen der Drift-Region (101) und der Body-Region (102) eine pn-Sperrschicht (103) bildet. Das Verfahren (2) umfasst ferner: das Erzeugen (21) eines Kontaktlochs (102-1) im Halbleiterkörper (10), wobei sich das Kontaktloch (102-1) in die Body-Region (102), entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Vorderseite (10-1) zur Rückseite (10-2) weist, hinein erstreckt; und das Füllen (22) des Kontaktlochs (102-1) zumindest teilweise durch epitaxiales Wachsenlassen eines Halbleitermaterials (102-2) innerhalb des Kontaktlochs (102-1), worin das Halbleitermaterial (102-2) Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist.

公开(公告)号：DE502004002981D1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：DE502004002981

申请日：2004-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  KOGLER RUDOLF ,  VALLANT THOMAS

IPC: H01L21/205 ,  B01F23/10 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  F17C13/04

Abstract: The invention relates to a gas-supply assembly (10) for a process reactor (270). The gas-supply assembly (10) contains at least one changeover unit (420), a process-gas line (470) and an auxiliary line (460). The process reactor (270) contains at least one gas-inlet connection (404). A reactor line (450) lies between the changeover unit (420) and the gas-inlet connection (404). The reactor line (450) is shorter than one metre, producing excellent operating characteristics for the gas-supply assembly.

公开(公告)号：DE19953333B4

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：DE19953333

申请日：1999-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHAEFER HERBERT ,  VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  PERI HERMANN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE10245636A1

公开(公告)日：2003-09-25

申请号：DE10245636

申请日：2002-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERSCH ALFRED ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  DELAGE STEPHANIE

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/302

Abstract: A chemical mechanical polishing process rotates a wafer having an alignment mark at a wafer rotation rate and a polishing surface at an off-matched rotation rate. The wafer rotation rate and the off-matched rotation rate are not equal. The wafer rotating at the wafer rotation rate and the polishing surface rotating at the off-matched rotation rate touch to polish a plurality of points on the wafer. The rotation of the wafer rotating at the wafer rotation rate is adjusted with respect to the polishing surface rotating at the off-matched rotation rate to achieve an approximately zero averaged rotation rate velocity for each of the points on the wafer with respect to the polishing surface polishing the wafer upon a completion of the total polishing time.