公开(公告)号：DE102020119953A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020119953

申请日：2020-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KUENLE MATTHIAS ,  OEFNER HELMUT ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei die erste Halbleiterschicht von dem gleichen Dotierstofftyp wie das Halbleitersubstrat ist, wobei die erste Halbleiterschicht eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Halbleitersubstrat aufweist, ein Erhöhen der Porosität der ersten Halbleiterschicht, ein erstes Tempern der ersten Halbleiterschicht bei einer Temperatur von zumindest 1050°C, ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht und ein Trennen der zweiten Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat durch Spalten innerhalb der ersten Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102018129594A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018129594

申请日：2018-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  MURI INGO

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren wird beschrieben. Das Verfahren umfasst: in einem Halbleiterwafer, der eine erste Halbleiterschicht (10) und eine an die erste Halbleiterschicht (10) angrenzende Halbleiterschicht (20) aufweist, Herstellen eines porösen Gebiets (12), das sich von einer ersten Oberfläche (11) in die erste Halbleiterschicht (10) erstreckt; und Entfernen des porösen Gebiets (12) durch einen Ätzprozess, wobei bezüglich einer Dotierung der ersten Halbleiterschicht (10) und einer Dotierung der zweiten Halbleiterschicht (20) wenigstens eines der folgenden gilt: eine Dotierungskonzentration der zweiten Halbleiterschicht (20) ist geringer als das 10-fache einer Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterschicht (10); ein Dotierungstyp der zweiten Halbleiterschicht ist komplementär zu einem Dotierungstyp der ersten Halbleiterschicht (10).

公开(公告)号：DE102017120535A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017120535

申请日：2017-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden einer Hilfsmaske, die eine Vielzahl von Maskenöffnungen enthält, auf einer Hauptoberfläche eines kristallinen Halbleitersubstrats. Eine poröse Struktur wird im Halbleitersubstrat gebildet. Die poröse Struktur umfasst eine poröse Schicht in einer Distanz zur Hauptoberfläche und poröse Säulen, die sich von der porösen Schicht in Richtung der Hauptoberfläche erstrecken und die durch einen nicht porösen Bereich lateral voneinander getrennt sind. Eine nicht poröse Vorrichtungsschicht wird auf dem nicht porösen Bereich und auf den porösen Säulen ausgebildet.

公开(公告)号：DE102016111629A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111629

申请日：2016-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MARIANI FRANCO ,  MÜLLER JOCHEN ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Ausbilden einer Mehrzahl von Trenngräben in einer ersten Hauptfläche eines Halbleitersubstrats, ein Montieren der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats auf einem Träger, und ein Entfernen von Substratmaterial nur von einem mittleren Bereich einer zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats derart, dass die Mehrzahl von Trenngräben von der zweiten Hauptfläche her freigelegt ist, wobei ein Randbereich des Halbleitersubstrats verbleibt, wobei der Randbereich eine Dicke von mehr als 150 µm aufweist.

公开(公告)号：DE102017105000A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017105000

申请日：2017-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BINTER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  GRINDLING CHRISTIAN

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Werkstückplanarisierungsanordnung aufweisen: einen Chuck, der zumindest einen zum Tragen von einem oder mehreren Werkstücken konfigurierten Abschnitt aufweist; und ein Planarisierungswerkzeug, das konfiguriert ist, den zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren und ein oder mehrere Werkstücke auf dem zumindest einen Abschnitt des Chucks zu planarisieren; wobei der zumindest eine Abschnitt des Chucks zumindest eines von Partikeln, Poren und/oder einem Polymer aufweist.

公开(公告)号：DE102015101382B4

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102015101382

申请日：2015-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KARLOVSKY KAMIL ,  THEUSS HORST ,  GOLLER BERNHARD

IPC: A61B5/0215 ,  A61B5/026 ,  G01L11/00

Abstract: Implantierbarer Gefäßfluidsensor (100), der gestaltet ist, um wenigstens einen Gefäßfluidparameter eines Gefäßes (200) zu erfassen, wobei der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) aufweist: – einen rohrförmigen Körper (300), der einen ersten Endteil (310), der gestaltet ist, um in einen abgedichteten Übergang (215) mit einem offenen Gefäßende (310) des Gefäßes (200) eingeführt zu werden und einen solchen zu bilden, aufweist, und – eine Sensoreinheit (400), die mit dem rohrförmigen Körper (300) verbunden ist und einen Sensorbereich (410) umfasst, der gestaltet ist, um in direktem Kontakt mit einem Gefäßfluid (230) in einem abgedichteten Übergangszustand zu sein, wobei der Mindestabstand (a) zwischen dem Sensorbereich (410) und dem ersten Endteil (310) höchstens 10-mal den äußeren Durchmesser (b) des ersten Endteiles (310) des rohrförmigen Körpers (300) beträgt, und wobei die Sensoreinheit (400) eine Halbleitervorrichtung ist, die aufweist: – einen proximalen Teil (440), der stöpselartig den ersten Endteil (310) des rohrförmigen Körpers (300) verstöpselt und eine Zwischenverbindungsseite (442) aufweist, und – einen distalen Teil (450), der von dem ersten Endteil (310) des rohrförmigen Körpers (300) vorsteht und eine Sensorseite (452) hat.

公开(公告)号：DE102020115687A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE102020115687

申请日：2020-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ERNST FELIX JOHANNES HEINRICH ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird beschrieben. Ein Halbleitersubstrat wird bereitgestellt. Das Halbleitersubstrat umfasst eine Halbleitersubstratschicht und eine Halbleitervorrichtungsschicht. Das Verfahren umfasst das Umwandeln von Bereichen der Halbleitervorrichtungsschicht in Dicing-Bereiche, die durch Ätzen entfernt werden können, und das Entfernen der Halbleitersubstratschicht und der Dicing-Bereiche unter Verwendung von Ätzen.

公开(公告)号：DE102020103732A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102020103732

申请日：2020-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  BERGMEISTER MARKUS ,  GOLLER BERNHARD ,  PIEBER DANIEL ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von MEMS-Bauelementen umfasst ein Erzeugen eines Trägers mit mehreren Aussparungen. Eine adhäsive Struktur wird auf dem Träger und in den Aussparungen angeordnet. Ein Halbleiterwafer mit mehreren MEMS-Strukturen wird erzeugt, welche bei einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet sind. Die adhäsive Struktur wird an der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers befestigt, wobei die Aussparungen über den MEMS-Strukturen angeordnet sind und die adhäsive Struktur die MEMS-Strukturen nicht kontaktiert. Der Halbleiterwafer wird durch Anwenden eines mechanischen Dicing-Prozesses in mehrere MEMS-Bauelemente vereinzelt.

公开(公告)号：DE102017120535B4

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：DE102017120535

申请日：2017-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden einer Hilfsmaske (410) mit einer Vielzahl von Maskenöffnungen (415) auf einer Hauptoberfläche (701) eines kristallinen Halbleitersubstrats (700);Ausbilden einer porösen Struktur (780) im Halbleitersubstrat (700), wobei die poröse Struktur (780) eine poröse Schicht (788) in einer Distanz zur Hauptoberfläche (701) und poröse Säulen (789) unterhalb der Maskenöffnungen (415) umfasst, wobei die porösen Säulen (789) von der porösen Schicht (788) in Richtung der Hauptoberfläche (701) vorragen und durch einen nicht porösen Bereich (790) lateral voneinander getrennt sind; undAusbilden einer nicht porösen Vorrichtungsschicht (770) auf dem nicht porösen Bereich (790) und auf den porösen Säulen (789) .

公开(公告)号：DE102019122614A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Bereitgestellt wird ein Ausgangssubstrat (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) umfasst. Das Randgebiet (180) umgibt das zentrale Gebiet (110). Im zentralen Gebiet (110) ist eine Ablöseschicht (150) ausgebildet. Die Ablöseschicht (150) erstreckt sich parallel zu einer Hauptoberfläche (101, 102) des Ausgangssubstrats (100). Die Ablöseschicht (150) enthält modifiziertes Substratmaterial. Eine Vertiefung (190) ist im Randgebiet (180) ausgebildet. Die Vertiefung (190) umschließt lateral das zentrale Gebiet (110). Die Vertiefung (190) verläuft vertikal und/oder geneigt zur Ablöseschicht (150).