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公开(公告)号：KR102096700B1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：KR1020180030560
申请日：2018-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/311
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公开(公告)号：KR101739594B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020100136159
申请日：2010-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605
Abstract: 본발명은플라즈마생성에소비되는고주파의전기장강도분포를제어하는것이가능한플라즈마처리장치를제공한다. 이러한플라즈마에칭장치(10)는내부에서피처리체를플라즈마처리하는처리용기(100)와, 처리용기(100)의내부에서서로대향하고, 그사이에플라즈마생성공간을형성하는상부전극(105) 및하부전극(110)과, 하부전극(110)에접속되고, 처리용기(100)내에고주파전력을출력하는제 1 고주파전원(150)을갖는다. 상부전극(105) 및하부전극(110)의적어도어느하나는판형상의금속으로형성된기재와, 내부에금속의플레이트전극을매설한상태에서상기기재에끼워넣어지고, 일부가상기기재로부터노출된유전체를포함한다.
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公开(公告)号：KR101671555B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020120033295
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67051 , H01L21/67069
Abstract: 기판세정장치로서, 배기구를갖는처리실내에마련되고, 기판을유지하기위한유지부와, 상기유지부에유지된기판의주연부의불필요부위를제거하기위해, 가스클러스터를해당주연부에조사하기위한노즐부와, 상기가스클러스터의조사시에상기유지부와상기노즐부를상대적으로이동시키기위한이동기구를구비하고, 상기노즐부는상기처리실내의압력보다도높은압력의세정가스를토출하는것에의해단열팽창시켜세정가스의원자및/또는분자의집합체인가스클러스터를형성한다.
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公开(公告)号：KR101234256B1
公开(公告)日：2013-02-18
申请号：KR1020110021352
申请日：2011-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32568 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 무기막과 유기막을 포함한 적층 마스크막을 에칭하여 라인부를 형성하는 경우, 또는, 마스크막을 에칭하여 인접하는 라인부의 간격이 다른 복수 종류의 라인부를 형성하는 경우에, 웨이퍼의 면 내에서의 라인부의 선폭 및 높이의 분포를 독립적으로 제어할 수 있는 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치를 제공한다. 기판(W)에 하전 입자와 중성 입자를 포함한 플라즈마를 조사함으로써, 기판(W)에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 지지부(105)에 지지되어 있는 기판(W)의 면 내에서의 온도 분포를 조정함으로써, 기판(W)의 면 내에서의, 기판(W)이 중성 입자와 반응하는 반응량의 분포를 제어하고, 지지부(105)에 지지되어 있는 기판(W)과, 지지부(105)와 대향하도록 설치되어 있는 전극(120)과의 간격을 조정함으로써, 기판(W)의 면 내에서의 하전 입자의 조사량의 분포를 제어한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101083148B1
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：KR1020090009757
申请日：2009-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: [해결수단] 클리닝가스를플라즈마화하여얻은플라즈마에의해처리용기내(2)에부착한부착물을제거하는클리닝공정(a)과, 탄소와불소를포함하는성막가스를플라즈마화하여얻은플라즈마에의해, 상기처리용기내부에있어서의상기플라즈마에노출되는부위에 CF막을성막하는성막공정(b)과, 이어서상기처리용기내의재치대에웨이퍼(W)를재치하여, 에칭가스를플라즈마화하여얻은플라즈마에의해상기웨이퍼(W)에대하여에칭하는에칭공정(c)과, 이에칭공정(c) 후에상기처리용기로부터웨이퍼(W)를반출하는공정(d)을실시하는데있어서, 상기 (d)가종료한후, 상기 (a) 내지 (d)를실시한다.
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公开(公告)号：KR101054558B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020030047603
申请日：2003-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이 , 이와타마나부 , 고시미즈치시오 , 히구치후미히코 , 시미즈아키타카 , 야마시타아사오 , 이와마노부히로 , 히가시우라츠토무 , 장동셍 , 나카야미치코 , 무라카미노리카즈
IPC: H01L21/02
Abstract: 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치는, 처리실 내에 서로 대향하도록 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극 사이에 처리 가스를 여기하여 플라즈마화 하는 RF 전계가 형성된다. 제 1 또는 제 2 전극에 매칭 회로를 거쳐서 RF 전력을 공급하는 RF 전원이 접속된다. 매칭 회로는, RF 전력에 대한 입력 임피던스의 매칭을 자동적으로 행한다. 플라즈마와 전기적으로 결합하는 소정 부재에 배선을 거쳐서 가변 임피던스 설정부가 접속된다. 임피던스 설정부는, 플라즈마로부터 소정 부재로 입력되는 RF 성분에 대한 임피던스인 역방향 임피던스를 설정한다. 임피던스 설정부에 대하여 역방향 임피던스의 설정값에 관한 제어 신호를 공급하기 위해서, 제어부가 배치된다.
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公开(公告)号：KR1020110076815A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020100136159
申请日：2010-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , H05H1/34
Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma and an electrode used therefor are provided to control the distribution of high frequency electric field strength by forming a plasma generation space. CONSTITUTION: A subject is processed by plasma in a processing container(100). A counter electrode and a supplying electrode face each other inside the processing container. The counter electrode and the supplying electrode form a plasma generation space. A high frequency power(150) is connected to the supplying electrode and outputs the high frequency power into the supplying electrode. At least one of the counter electrode(105) and the supplying electrode(110) includes the base material formed with metal and the dielectric substance inserted in the base material.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的设备和用于其的电极，用于通过形成等离子体产生空间来控制高频电场强度的分布。 构成：受试者在处理容器（100）中由等离子体处理。 对置电极和供电电极在处理容器内部彼此面对。 对电极和供电电极形成等离子体产生空间。 高频功率（150）连接到供电电极，并将高频电力输出到供电电极。 相对电极（105）和供电电极（110）中的至少一个包括形成有金属的基材和插入基材中的电介质。
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公开(公告)号：KR100845453B1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：KR1020077014854
申请日：2005-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
Abstract: 본 발명은, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 고유전체막과, 상기 고유전체막보다 상층에 형성된 반사 방지 기능과 하드 마스크 기능을 갖는 SiC 계 막을 갖는 적층체로부터 반도체 장치를 제조하는 방법이다. 본 발명은, 상기 SiC 계 막 및 상기 고유전체막에 플라즈마를 작용시켜 개질하는 플라즈마 처리 공정과, 상기 플라즈마 처리 공정에서 개질된 상기 SiC 계 막 및 상기 고유전체막을 습식 세정에 의해 일괄하여 제거하는 세정 처리 공정을 구비한다.
SiC 계 막, 고유전체막, 폴리실리콘막, 습식 세정Abstract translation: 本发明是具有半导体基板和介电膜和形成在半导体基板上的半导体器件从层叠体的制造方法，具有防反射功能和形成为比所述高电介质膜的上层上的硬掩模函数基于SiC的薄膜 。 本发明中，所述SiC基片和由等离子体的高电介质膜的作用变形例的等离子体处理工序的清洗方法，其中所述等离子体处理在整个SiC系膜和所述高电介质改性膜工艺以通过湿清洗除去一次性 治疗过程。
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公开(公告)号：KR1020070086783A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077014854
申请日：2005-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device from a laminate having a semiconductor substrate, a high dielectric film formed on the above semiconductor substrate and, formed above the high dielectric film, a SiC based film having a reflection-preventive function and a hardmask function, wherein it comprises a plasma treatment step of applying a plasma to the above SiC based film and the above high dielectric film, for modification, and a cleaning treatment step of removing both of the above SiC based film and the above high dielectric film modified by wet washing.
Abstract translation: 一种由具有半导体衬底的叠层制造半导体器件的方法，在上述半导体衬底上形成的高电介质膜，并且在高电介质膜上形成具有防反射功能和硬掩模功能的SiC基膜， 其包括对上述SiC基膜和上述高介电膜施加等离子体进行改性的等离子体处理步骤，以及去除上述SiC基膜和通过湿洗改性的上述高介电膜的清洗处理步骤 。
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