公开(公告)号：KR100698352B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020060068647

申请日：2006-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

Abstract translation: 提供一种气体供应单元，用于将惰性气体供应到由涂布和显影系统中的边界板划分的每个区域中，即在盒台，处理台和接口单元的上方。 在每个区域下方设置用于排出每个区域中的气氛的排气管。 将不含氧等杂质的惰性气体和不含颗粒的惰性气体供应到每个气体供应单元中，并且将每个区域中的气氛排出到排气管以保持每个区域中的气氛清洁。

公开(公告)号：KR1020030076387A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1020030017229

申请日：2003-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케쿠마타카시 ,  후루쇼토시노부 ,  오오토타케시 ,  미야모토히로유키 ,  요시하라코우스케 ,  호리신야 ,  하라히로유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명은, 처리액 공급기구 및 처리액 공급방법에 관한 것으로, 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급기구는, 처리액을 공급하는 처리액 공급원과, 처리액을 토출하기 위한 처리액 토출노즐과, 처리액 공급원과 처리액 토출노즐을 연결하는 배관과, 이 배관에 설치되고, 상기 처리액 토출노즐에서 처리액을 토출하기 위한 펌프와, 상기 펌프에서 상기 처리액 토출노즐에 이르기까지 사이의 소정위치에서 처리액의 압력을 검출하는 압력센서와, 이 압력센서에 의한 검출치와, 미리 구해져 있는 처리액의 압력 및 처리액의 토출률의 관계에 기초하여, 처리액의 토출률이 소정 수치가 되도록, 펌프의 내압을 제어하는 콘트롤러를 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020170126459A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177024364

申请日：2016-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토타카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키 ,  요시하라코우스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B05C11/08 ,  B05D3/04

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/08 ,  B05D3/104 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2028 ,  H01L21/027 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 기판상에도포액을도포하는도포처리방법은, 용제에의해기판의중앙부에제 1 액막을형성하고당해용제에의해기판의외주부에제 1 액막보다막 두께가두꺼운환 형상의제 2 액막을형성하는용제액막형성공정과, 기판을제 1 회전속도로회전시키면서도포액을기판의중심부에공급하는도포액공급공정과, 도포액을공급하면서기판을제 1 회전속도보다빠른제 2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시키는도포액확산공정을가진다.

Abstract translation: 用于涂布涂布液在基片上，形成根据权利要求1的第一第二液体膜比所述带状膜的厚环液膜上通过本领域溶剂的基板的外周边上以形成由溶剂基片的中心部分的液体薄膜涂布法 溶剂液体膜形成步骤，快速权利要求在涂布液供给工序的第二旋转速度和基板旋转而同时在基片的中心比所述第一旋转速度在第一旋转速度旋转的基板供给涂敷液供给涂布液 并将涂料液体扩散到基材上。

公开(公告)号：KR101671298B1

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020130001076

申请日：2013-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  이치노미야히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H05K3/26 ,  B08B3/024 ,  B08B5/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H05K2203/1509

Abstract: 미세또한고애스펙트비의회로패턴이형성되는기판의현상처리후의세정처리에서, 기판표면의액 끊김의방지와회로패턴의패턴붕괴의방지를도모할수 있도록한 기판세정방법, 기판세정장치및 기판세정용기억매체를제공한다. 회로패턴(P)이형성된반도체웨이퍼(W)의중심부로부터웨이퍼의주연부로세정액(L)을공급하여웨이퍼의표면전체에액막을형성하고, 웨이퍼를회전시키면서, 세정액의공급에추종하여웨이퍼의표면중심부로부터웨이퍼의주연부를향해가스(G)를토출하여웨이퍼의표면의세정액을제거하여건조영역을형성한다. 이어서, 웨이퍼를회전시키면서, 웨이퍼의직경방향으로이동하여가스(G)를토출하여건조영역의회로패턴간에잔존하는액을제거한다.

公开(公告)号：KR101176882B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020110007699

申请日：2011-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타키구치야스시 ,  야마모토타로 ,  아리마히로시 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: There is provided a developing apparatus and a developing method capable of rapidly forming a liquid film of a developing solution on an entire surface of a substrate while reducing a usage amount of the developing solution. The developing apparatus includes an airtightly sealed processing vessel that forms a processing atmosphere therein; a temperature control plate that is provided within the processing vessel and mounts the substrate thereon; an atmosphere gas supply unit that supplies an atmosphere gas including mist and vapor of a developing solution onto a surface of the substrate within the processing vessel; and a first temperature control unit that controls the temperature control plate to a temperature allowing the atmosphere gas to be condensed on the substrate. Here, an inner wall of the processing vessel is maintained at a temperature at which the atmosphere gas is hardly condensed on the inner wall.

Abstract translation: 提供一种能够在减少显影液的使用量的同时在基板的整个表面上快速形成显影液的液膜的显影设备和显影方法。 显影装置包括在其中形成处理气氛的气密密封的处理容器; 温度控制板，其设置在所述处理容器内并且安装所述基板; 气氛气体供应单元，所述气氛气体供应单元将包括显影液的雾和蒸汽的气氛气体供应到所述处理容器内的所述基板的表面上; 以及第一温度控制单元，其将所述温度控制板控制在允许所述气氛气体在所述基板上冷凝的温度。 这里，处理容器的内壁保持在气氛气体几乎不凝结在内壁上的温度。

公开(公告)号：KR101061696B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020060082675

申请日：2006-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  이나다히로이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명은 도포막 현상장치 및 도포막 현상방법에 관한 것으로서 기판의 출입을 실시하기 위해서 윗쪽에 개방한 개구부와 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하기 위한 배기구와 외기를 흡인하기 위한 흡인구를 가지는 처리 컵 과 불필요한 환경을 배기구로부터 흡인하는 흡인 수단을 구비하고 처리 컵의 개구부에 수용된 기판의 주변부와 개구부는 소정의 간격을 갖고 배치되고 처리 컵에 수용된 기판보다 아래쪽에는 흡인구로부터 배기구에 이르는 배기 유로가 형성되는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明是一个胶片显影装置和所述的胶片显影方法用于绘制所述排气口和外部空气到排气从开口和衬底开口到顶部的顺序的形成的涂膜得到的不希望的环境，以在衬底的访问进行到 在所提供的和处理过的吸盘的开口保持的基板的周缘用于抽吸处理杯并具有从所述排气口和开口的吸入口不必要环境被布置为比所述下降位置以规定的间隔基板，从端口的过程中杯子保持的吸引排出口 废气。

公开(公告)号：KR1020100097067A

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020100016753

申请日：2010-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라코우스케 ,  요시다유이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70908 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028

Abstract: PURPOSE: A developing treatment method is provided to improve the uniformity of a CD within a wafer surface by efficiently implementing a developing process using a predetermined developing liquid. CONSTITUTION: A pre-wet solution is provided(S1). A developing liquid and a pre-wet solution are supplied at the same time(S2). De-ionized water, the developing liquid, and the pre-wet solution are supplied at the same time(S3). Gas, the deionized water, the developing liquid, and the pre-wet solution are supplied at the same time(S4).

Abstract translation: 目的：提供一种显影处理方法，通过有效地实施使用预定的显影液的显影处理来提高晶片表面内CD的均匀性。 构成：提供预湿溶液（S1）。 同时提供显影液和预湿溶液（S2）。 同时提供去离子水，显影液和预湿溶液（S3）。 同时供给气体，去离子水，显影液和预湿溶液（S4）。

公开(公告)号：KR100876128B1

公开(公告)日：2008-12-29

申请号：KR1020020050805

申请日：2002-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  야마모토타로 ,  쿄우다히데하루 ,  타케구치히로푸미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03D3/06 ,  G03F7/3021

Abstract: In a developing processing of a wafer having a resist film low in the dissolving rate in a developing solution formed thereon and subjected to an exposure treatment, a developing solution of a low concentration is supplied first onto a wafer and the wafer is left to stand for a prescribed time to permit a developing reaction to proceed, followed by further supplying a developing solution having a concentration higher than that of the developing solution supplied first onto the wafer, leaving the substrate to stand and subsequently rinsing the wafer, thereby improving the uniformity of the line width in the central portion and the peripheral portion of the wafer.

Abstract translation: 在具有在其上形成的显影液中的溶解速率低的抗蚀剂膜并进行曝光处理的晶片的显影处理中，首先将低浓度的显影液供应到晶片上并且将晶片放置 进行规定的时间以允许显影反应进行，随后进一步将浓度高于首先供给的显影溶液的浓度的显影液供给到晶片上，留下基板并随后漂洗晶片，由此提高晶片的均匀性 晶片中央部分和周边部分的线宽。

公开(公告)号：KR1020070049658A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020077005480

申请日：2005-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라준지 ,  요시하라코우스케 ,  야마무라켄타로 ,  이와오후미코 ,  타케구치히로후미

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  G03F7/3021 ,  Y10S134/902 ,  H01L21/02057

Abstract: 본 발명은 현장장치 및 현상방법에 관한 것으로서 현상을 끝낸 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼 중심부에 세정액을 토출하여 그 세정액을 주위로 확대하여 액막을 형성하고 다음에 상기 노즐을 이동시켜, 기판의 중심부에 건조 영역을 발생시키고 기판을 1500 rpm의 회전수로 회전시키고 그 원심력에 의해 상기 건조 영역을 주위로 확대한다. 상기 노즐은 건조 영역에 도달하지 않는 속도로 웨이퍼의 중심으로부터 예를 들면 80 mm 떨어진 위치로서 웨이퍼의 주변에서 5 mm이상 중심부 측으로 몰린 위치까지 이동하고 거기서 세정액의 토출을 정지한다. 또 미리 이 위치에 다른 노즐을 배치하고 여기로부터 세정액을 토출해 두고 건조 영역이 그곳에 도달하기 직전에 그 토출을 정지해도 괜찮다. 웨이퍼의 중심으로 건조 영역의 코어를 형성하는 경우 가스를 기판의 중심부에 분사 곧바로 그 분사를 정지하는 것이 바람직한 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급해 현상을 실시한 후에, 기판의 표면의 용해물을 세정함에 있어 높은 세정 효과를 구하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070043655A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020060102208

申请日：2006-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  이세키토모히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  B05B1/005 ,  B05C11/10

Abstract: 본 발명은 레지스트 도포방법, 레지스트 도포장치 및 컴퓨터 독취가능한 기억 매체에 관한 것으로서, 레지스트 도포 방법은 피처리 기판을 제1의 회전 속도로 회전시키면서 피처리 기판의 대략 중앙에 레지스트액이 공급한 후, 피처리 기판의 회전 속도를 제1의 회전 속도보다 늦은 제2의 회전 속도 또는 회전 정지까지 감속함과 동시에, 그 감속 과정에서 감속도를 제2의 회전 속도 또는 회전 정지에 가까워지는 만큼 작게 해 나가고 다음에 피처리 기판의 회전 속도를 제2의 회전 속도보다 빠른 제3의 회전 속도까지 가속해 잔여의 레지스트액을 분사한다.