公开(公告)号：DE112018000451B4

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE112018000451

申请日：2018-03-27

Applicant: INST OF BIOENGINEERING AND NANOTECHNOLOGY ,  IBM

Inventor： CAHAN AMOS ,  HEDRICK JAMES ,  FEVRE MAREVA ,  VAN KESSEL THEODORE ,  HSUEH PEI-YUN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  WOJTECKI RUDY J ,  PARK NATHANIEL ,  YANG YI YAN ,  DING XIN ,  LIANG ZHEN CHANG

IPC: C08J7/12 ,  A61L27/34 ,  A61L29/08 ,  C07D495/04 ,  C08J7/00 ,  C09D5/14

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer vernetzten verzweigtes-Polyethylenimin(BPEI)-Beschichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer ersten BPEI-Schicht, wobei das Bilden der ersten BPEI-Schicht Funktionalisieren der ersten BPEI-Schicht- mit NH2-PEG4k-NH2und negativ geladener Glutaminsäure, oder- mit NH2-PEG4k-NH2und negativ geladener Asparaginsäure, oder- mit NH2-PEG4k-NH2und negativ geladenem Carboxylatacrylat aufweist;Bilden einer ersten Glyoxalschicht auf einer Oberfläche der ersten BPEI-Schicht; undHärten der ersten BPEI-Schicht und der ersten Glyoxalschicht.

公开(公告)号：GB2485494B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：GB201200871

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/0749

Abstract: A method of reducing the loss of elements of a photovoltaic thin film structure during an annealing process, includes depositing a thin film on a substrate, wherein the thin film includes a single chemical element or a chemical compound, coating the thin film with a protective layer to form a coated thin film structure, wherein the protective layer prevents part of the single chemical element or part of the chemical compound from escaping during an annealing process, and annealing the coated thin film structure to form a coated photovoltaic thin film structure, wherein the coated photovoltaic thin film retains the part of the single chemical element or the part of the chemical compound that is prevented from escaping during the annealing by the protective layer.

公开(公告)号：GB2485494A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201200871

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0216

Abstract: A method of reducing the loss of elements of a photovoltaic thin film structure during an annealing process, includes depositing a thin film on a substrate, wherein the thin film includes a single chemical element or a chemical compound, coating the thin film with a protective layer to form a coated thin film structure, wherein the protective layer prevents part of the single chemical element or part of the chemical compound from escaping during an annealing process, and annealing the coated thin film structure to form a coated photovoltaic thin film structure, wherein the coated photovoltaic thin film retains the part of the single chemical element or the part of the chemical compound that is prevented from escaping during the annealing by the protective layer..

公开(公告)号：DE60329621D1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：DE60329621

申请日：2003-11-14

Applicant: IBM

Inventor： ECONOMIKOS LAERTIS ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  COTTE JOHN M ,  GRABARZ HENRY J ,  CHEN BOMY

IPC: C25D5/22 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: A method and apparatus are described for performing both electroplating of a metal layer and planarization of the layer on a substrate. Electroplating and electroetching of metal (such as copper) are performed in a repeated sequence, followed by chemical-mechanical polishing. An electroplating solution, electroetching solution, and a non-abrasive slurry are dispensed on a polishing pad in the respective process steps. The substrate is held against the pad with a variable force in accordance with the process, so that the spacing between substrate and pad may be less during electroplating than during electroetching.

公开(公告)号：DE69637333T2

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE69637333

申请日：1996-06-12

Applicant: IBM

Inventor： ANDRICACOS PANAYOTIS C ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HARPER JAMES MCKELL EDWIN ,  HU CHAO-KUN ,  PEARSON DALE JONATHAN ,  REYNOLDS SCOTT KEVIN ,  TU KING-NING ,  UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC: C22C9/00 ,  H01L23/532 ,  C22C9/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: Copper alloys containing between 0.01 and 10 weight percent of at least one alloying element selected from carbon, indium and tin for improved electromigration resistance, low resistivity and good corrosion resistance that can be used in chip and package interconnections and a method of making such interconnections and conductors by first forming the copper alloy and then annealing it to cause the diffusion of the alloying element toward the grain boundaries between the grains in the alloy are disclosed.

公开(公告)号：AT299291T

公开(公告)日：2005-07-15

申请号：AT03710943

申请日：2003-02-10

Applicant: ERICSSON TELEFON AB L M ,  IBM

Inventor： MEIXNER MICHAEL ,  BUCHWALTER LEENA PAIVIKKI ,  LUND JENNIFER LOUISE ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes in the lateral direction. A voltage is applied to electrodes and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes and auxiliary electrodes have first and second potentials, resulting in electrode and auxiliary electrode surface areas with positive and negative charge carriers in the lateral direction and equal charge carriers in the orthogonal direction. The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes (EG,ES) in the lateral direction to which a voltage can be applied. The voltage is applied to electrodes (HG,HS) and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes have a first potential (U1) and the auxiliary electrodes a second potential (U2), resulting in surface areas on the electrodes and auxiliary electrodes with positive and negative charge carriers in the lateral direction and with equal charge carriers in the orthogonal direction. AN Independent claim is also included for the following: a portable terminal with an inventive device.

公开(公告)号：IE960846A1

公开(公告)日：1997-09-24

申请号：IE960846

申请日：1996-12-02

Applicant: IBM

Inventor： ANDRICACOS PANAYOTIS CONSTANTI ,  DATTA MADAV ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HORKANS WILMA JEAN ,  KANG SUNG KWON ,  KWIETNIAK KEITH THOMAS ,  MATHAD GANGADHARA SWAMI ,  PURUSHOTHAMAN SAMPATH ,  SHI LEATHEN ,  TONG HO-MING

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/00 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: An interconnection structure suitable for the connection of microelectronic circuit chips to packages is provided by this invention. In particular, the invention pertains to the area-array or flip-chip technology often called C4 (controlled collapse chip connection). The structure comprises an adhesion/barrier layer deposited on a passivated substrate (e.g., a silicon wafer), optionally an additional adhesion layer, a solderable layer of a metal selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, NiFe, NiCo, CoFe, and NiCoFe on the adhesion/barrier layer, and lead free solder ball comprising tin as the predominate component and one or more alloying elements selected from Bi, Ag, and Sb, and further optionally including one or more elements selected from the group consisting of Zn, In, Ni, Co and Cu.

公开(公告)号：DE102012216026B4

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102012216026

申请日：2012-09-11

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  GUO LIAN ,  HOPSTAKEN MARINUS JOHANNES PETRUS ,  MASON MAURICE ,  ROMANKIW LUBOMYR T

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  H02S30/20

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Photovoltaik-Dünnschichtzelle (100) mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht (120), wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:Bereitstellen (S10) eines Foliensubstrats (110), welches Eisen umfasst;Bilden (S20) einer Eisendiffusionsbarriereschicht (120) auf dem Foliensubstrat (110), wobei die Eisendiffusionsbarriereschicht (120) verhindert, dass das Eisen zu mindestens einer Lichtabsorptionsschicht (140) diffundiert;Bilden (S30) einer Elektrodenschicht (130) auf der Eisendiffusionsbarriereschicht; undBilden (S40) mindestens einer Lichtabsorptionsschicht (140) der Dünnschichtsolarzelle auf der Elektrodenschicht (130),wobei die Eisendiffusionsbarriereschicht (120) eine chemische Verbindung umfasst, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Nickelphosphor, Cobaltphosphor, Molybdänphosphor, Nickelbor, Cobaltbor, Molybdänbor, Molybdän(IV)-selenid, Molybdändisulfid und Kombinationen dieser besteht.

公开(公告)号：DE112019002691T5

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE112019002691

申请日：2019-05-21

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  DORIS BRUCE ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  YU ROY

IPC: G01N33/483 ,  G01N21/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/26

Abstract: Es werden Techniken in Bezug auf eine implantierbare Biosensor-Packung bereitgestellt. Eine oder mehrere hierin beschriebene Ausführungsformen können sich zum Beispiel auf eine Vorrichtung beziehen, die ein Biosensor-Modul aufweisen kann. Das Biosensor-Modul kann ein Halbleitersubstrat und einen Prozessor aufweisen. Das Halbleitersubstrat kann einen Sensor aufweisen, der mit dem Prozessor funktionsfähig gekoppelt ist. Die Vorrichtung kann außerdem eine Polymer-Schicht aufweisen. Das Biosensor-Modul kann in der Polymer-Schicht derart eingebettet sein, dass die Polymer-Schicht auf einer Mehrzahl von Seiten des Biosensor-Moduls bereitgestellt sein kann.

公开(公告)号：DE112019000533T5

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE112019000533

申请日：2019-01-15

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LEE KO-TAO ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA

IPC: A61N5/06

Abstract: Sonden enthalten einen Sondenkörper, der zum Eindringen in biologisches Gewebe geeignet ist. Innerhalb des Sondenkörpers sind Hochleistungs-Lichtquellen angeordnet. Jede Hochleistungs-Lichtquelle hat eine ausreichend hohe optische Ausgangsleistung zum Auslösen einer lichtempfindlichen Reaktion in benachbarten Geweben und die Ausgangsleistung hingegen nicht so hoch sein darf, dass eine gesamte Wärmemenge mehrerer Lichtquellen zu einem störenden Temperaturanstieg in den benachbarten Geweben führen könnte.