公开(公告)号：KR1020100109449A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020100027761

申请日：2010-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오쿠니시나오히코 ,  미사와히로노부 ,  소에타히데히토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32697

Abstract: PURPOSE: The plasma processing apparatus and plasma processing method is provided so that the edge class of the plasma density distribution processing uniformity can be materialized. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus and plasma processing method. The first conductor(74), and second conductor(76) is included. The first conductor is electrically connected about the power of the first radio frequency to the rear side of the microwave electrode. The second conductor has the second connection unit electrically connected to the conductivity ground member nearby electrically grounded of the microwave electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，使得能够实现等离子体密度分布处理均匀性的边缘等级。 构成：等离子体处理装置和等离子体处理方法。 包括第一导体（74）和第二导体（76）。 第一导体围绕第一射频的功率电连接到微波电极的后侧。 第二导体具有电连接到微波电极的电接地附近的导电性接地部件的第二连接单元。

公开(公告)号：KR100966390B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020090065271

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: 피처리체의 에칭 깊이를 검출하는 방법은, 에칭 섹션에서 에칭되는 피처리체의 에칭층을 파장이 서로 다른 다수의 성분을 갖는 광으로 조사하는 단계와, 파장이 서로 다른 성분으로 이루어지며, 에칭층의 상부면 및 에칭 섹션의 표면으로부터 반사된 광 성분에 의해 주기적으로 변하는 강도를 갖는 다수의 간섭 광 성분을 검출하는 단계와, 이들 간섭 광 성분에 주파수 해석을 적용하여 강도가 진폭을 형성하는 이들 간섭 파형들 각각의 주파수를 획득하는 단계와, 간섭 파형의 주파수를 이용하여 각각의 간섭 파형에 대응하는 에칭 속도를 계산하는 단계와, 상기 에칭 속도로부터 에칭 깊이를 획득하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090084801A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：KR1020090065271

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오오카와요시히토

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: An etching monitor unit, an etching device and an etching depth detecting method are provided to detect the etching depth by suppressing the influence of the distortion even in case the distortion of the interfering wave is in phase. An etching monitor unit(20) monitors the etching depth using the reflection light. A light source(21) irradiates the light to the processed article. An optical detector(25) detects the coherent light which is changed by the reflection light from the upper side or the surface of the etched layer. A control device(28) comprises the frequency analysis unit, an etching rate production unit and an etching depth production unit. The frequency analysis unit(26A) calculates the frequency of the interfering waveform. The etching rate production unit(26B) produces the etching rate using the frequency of the interfering waveform. The etching depth production unit(26C) calculates the etching depth from the etching rate.

Abstract translation: 提供蚀刻监测单元，蚀刻装置和蚀刻深度检测方法，以便即使在干涉波的失真相位相同的情况下也可以通过抑制失真的影响来检测蚀刻深度。 蚀刻监测单元（20）使用反射光监测蚀刻深度。 光源（21）将光照射到处理物品上。 光检测器（25）检测由来自蚀刻层的上侧或表面的反射光改变的相干光。 控制装置（28）包括频率分析单元，蚀刻速率生成单元和蚀刻深度生成单元。 频率分析单元（26A）计算干扰波形的频率。 蚀刻速率产生单元（26B）使用干扰波形的频率产生蚀刻速率。 蚀刻深度生成单元（26C）根据蚀刻速率计算蚀刻深度。

公开(公告)号：KR1020070020142A

公开(公告)日：2007-02-16

申请号：KR1020077001688

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H05H1/18

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: There is provided a plasma etching device for generating plasma as a processing gas between an upper electrode (34) and a lower electrode (16) and subjecting a wafer (W) to plasma etching. The upper electrode (34) includes a variable DC power source (50) for applying DC voltage so that the absolute value of the self bias voltage Vdc on the surface of the upper electrode (34) becomes large enough to obtain an appropriate sputter effect to the surface and the thickness of the plasma sheath on the upper electrode (34) becomes thick enough to form a desired miniaturization plasma. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 提供了一种用于在上电极（34）和下电极（16）之间产生等离子体作为处理气体并对晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置。 上电极（34）包括用于施加直流电压的可变直流电源（50），使得上电极（34）的表面上的自偏压Vdc的绝对值变得足够大以获得适当的溅射效应 上电极（34）上的等离子体护套的表面和厚度变得足够厚以形成期望的小型化等离子体。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020040093017A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: A plasma monitoring method and apparatus and a plasma processing apparatus are provided to measure precisely electron density of plasma even under a low electron density or a high pressure condition by using a network analyzer. CONSTITUTION: An antenna probe(52a) is placed at a desired monitoring position inside or near to plasma of a predetermined space. Frequency-variable electromagnetic waves are radiated from the antenna probe to the plasma. The antenna probe receives the electromagnetic waves reflected from the plasma. By measuring a complex reflection coefficient based on the incident and reflected electromagnetic waves using a network analyzer(68), an imaginary part is obtained from the complex reflection coefficient. A resonant frequency capable of nullifying the value of the imaginary part is measured by sweeping frequencies of the electromagnetic waves. The electron density of plasma is calculated based on the measured resonant frequency.

Abstract translation: 目的：提供等离子体监测方法和装置以及等离子体处理装置，通过使用网络分析仪，即使在低电子密度或高压条件下也能精确地测量等离子体的电子密度。 构成：将天线探针（52a）放置在预定空间的等离子体内或附近的期望的监视位置。 可变频电磁波从天线探针辐射到等离子体。 天线探头接收从等离子体反射的电磁波。 通过使用网络分析器（68）测量基于入射和反射电磁波的复反射系数，从复反射系数获得虚部。 可以通过扫描电磁波的频率来测量能够使虚部的值无效的谐振频率。 基于测量的谐振频率计算等离子体的电子密度。

公开(公告)号：KR1020040007351A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020030047603

申请日：2003-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  이와타마나부 ,  고시미즈치시오 ,  히구치후미히코 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타아사오 ,  이와마노부히로 ,  히가시우라츠토무 ,  장동셍 ,  나카야미치코 ,  무라카미노리카즈

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a method for correcting a variable impedance device are provided to perform a plasma process on a target substrate by using plasma in a semiconductor processing system. CONSTITUTION: An airtight process chamber(4) is used for accommodating a target substrate. A gas supply system supplies a process gas into the process chamber. An exhaust system exhausts an interior of the process chamber and sets the interior of the process chamber to a vacuum state. A first and a second electrode(6,18) are arranged in the process chamber to oppose each other. An RF field for turning the process gas into plasma by excitation is formed between the first and second electrodes. An RF power supply(14,28) is connected to the first or second electrode through a matching circuit and which supplies RF power. The matching circuit serves to automatically perform input impedance matching relative to the RF power. An impedance setting section(30) is connected, through an interconnection, to a predetermined member to be electrically coupled with the plasma in the plasma process, and which sets a backward-direction impedance as an impedance against an RF component input from the plasma to the predetermined member. The impedance setting section is capable of changing a value of the backward-direction impedance. A controller(32) is used for supplying a control signal concerning a preset value of the backward-direction impedance to the impedance setting section.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和校正可变阻抗装置的方法，以通过在半导体处理系统中使用等离子体来在目标基板上执行等离子体处理。 构成：密封处理室（4）用于容纳目标衬底。 气体供应系统将处理气体供应到处理室中。 排气系统排出处理室的内部并将处理室的内部设置为真空状态。 第一和第二电极（6,18）布置在处理室中以彼此相对。 在第一和第二电极之间形成用于通过激发将工艺气体转化成等离子体的RF场。 RF电源（14,28）通过匹配电路连接到第一或第二电极，并提供RF功率。 匹配电路用于自动执行相对于RF功率的输入阻抗匹配。 阻抗设定部（30）通过互连连接到等离子体处理中与等离子体电耦合的预定部件，并且将反向阻抗设定为针对从等离子体输入的RF分量的阻抗， 预定成员。 阻抗设定部能够改变反向阻抗的值。 控制器（32）用于向阻抗设定部分提供关于反向阻抗的预设值的控制信号。

公开(公告)号：KR101929411B1

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：KR1020120033520

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치에서 RF 안테나 내의 파장 효과를 만전에 억제하면서, 플라즈마 밀도 분포를 자유롭고 또한 세밀하게 제어하는 것이다. 챔버(10)의 천장 또는 유전체창(52) 상에는, 챔버(10) 내에 유도 결합의 플라즈마를 생성하기 위한 환상의 RF 안테나(54)가 설치되어 있다. 이 RF 안테나(54)는 공간적으로는 각각이 반원의 원호 형상으로 형성되어 있고, 전기적으로는 고주파 급전부(62)에 대하여 병렬로 접속되어 있는 2 개의 코일 세그먼트(84(1), 84(2))로 이루어진다. 또한 유전체창(52) 상에는, RF 안테나(54)와 전자 유도에 의해 결합 가능한 가변 콘덴서(58) 부착의 환상(環狀)의 플로팅 코일(60)도 설치되어 있다. 가변 콘덴서(58)는, 주제어부(80)의 제어 하에서 용량 가변부(82)에 의해 일정 범위 내에서 임의로 가변되도록 되어 있다.

公开(公告)号：KR101917290B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020180016483

申请日：2018-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/02 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

Abstract: 유도결합형의플라즈마처리에서챔버내에형성되는도너츠형상플라즈마내의플라즈마밀도분포를효율적으로임의로제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유도결합플라즈마를생성하기위하여유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일(58), 중간코일(60) 및외측코일(62)로분할되어있다. 고주파급전부(66)의고주파전송로상에설치되는제 1 노드(N)와제 2 노드(N)의사이에서, 내측코일(58)에는고정혹은반고정의내측콘덴서(104)가전기적으로직렬접속되고, 중간코일(60) 및외측코일(62)에는가변의중간콘덴서(86) 및가변의외측콘덴서(88)가각각전기적으로직렬접속된다.

公开(公告)号：KR101827375B1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：KR1020110097325

申请日：2011-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174

Abstract: 유도결합형의플라즈마처리장치에서고주파급전부(특히정합기) 내의파워손실을줄여플라즈마생성효율을향상시키는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는, 동축안테나군(54)과트랜스부(68)의사이에서복수의독립된폐 루프의 2 차회로(96, 98)를형성하고, 가변콘덴서(64, 66)의정전용량을가변함으로써동축안테나군(54)의내측안테나(58) 및외측안테나(60)에서각각흐르는 2 차전류(I, I)를각각임의또한독립으로제어하여, 반도체웨이퍼(W) 상의플라즈마밀도분포를직경방향으로자유롭게제어할수 있도록하고있다.

Abstract translation: 在电感耦合等离子体处理装置中，降低了高频电源部件（特别是匹配装置）中的功率损耗，从而提高了等离子体生成效率。 组合等离子体处理装置具有这样的构造，其中由同轴天线组54和换能器68形成多个独立的闭环次级电路96和98以及可变电容器64和66的阻抗 由相应的随机变量的容量也站次级电流（I，I）从内天线58和同轴天线组54的外部天线60分别流被控制，在半导体晶片上的等离子体密度（W） 这样分布可以在径向上自由控制。

公开(公告)号：KR1020170124481A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：KR1020170129203

申请日：2017-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174

Abstract: 유도결합형의플라즈마처리에서챔버내에서생성되는도너츠형상플라즈마내의플라즈마밀도분포, 나아가서는기판상의플라즈마밀도분포를다양또한세밀하게제어한다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일(58), 중간코일(60) 및외측코일(62)로분할되어있다. 고주파전원(72)으로부터 RF 급전라인(68), RF 안테나(54) 및어스라인(70)을통하여접지전위부재까지일주할경우, 보다단적으로는제 1 노드(N)로부터제 2 노드(N)까지각 코일의고주파분기전송로를일주할경우에, 내측코일(58)을통과할때의방향과외측코일(62)을통과할때의방향이주회(周回) 방향에서반대가된다. 제 1 및제 2 노드(N, N)의사이에서내측코일(58) 및외측코일(62) 중어느일방에는콘덴서(88)가전기적으로직렬접속된다.

Abstract translation: 在电感耦合等离子体处理中在腔室中产生的环形等离子体中的等离子体密度分布以及因此基板上的等离子体密度分布以各种方式被控制。 在耦合等离子体处理装置中，设置在电介质窗52上的RF天线54在径向上被分成内部线圈58，中间线圈60和外部线圈62。 当RF电源线72经由RF天线54和接地线70从RF电源线68路由到接地电位构件时， 穿过内部线圈58的方向和穿过外部线圈62的方向在周向上彼此相反。 在第一和第二节点（N，N）汇集处，电容器88与内部线圈58和外部线圈62中的一个串联地电磁连接。