公开(公告)号：KR1020080007129A

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：KR1020070070009

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: A film formation apparatus for semiconductor process and a method for using the same are provided to prevent particle contamination when an application range of a film formation apparatus utilizing plasma assistance is widened. A process vessel(4) includes a processing region for receiving a target substrate. A supporting member is formed to support the target substrate in the inside of the process region. A heater(72) is formed to heat the target substrate in the inside of the process region. An exciting unit(50) includes a plasma generation region within a space connected to the process region. A gas supply unit(28,30,32) is formed to supply a process gas into the process region. An exhaust unit is formed to exhaust the gas from the process region. A method includes a process for forming a first film on a first target substrate in the inside of the process region, a process for cleaning the first target substrate in the inside of the process region, and a process for forming a second film on the first target substrate in the inside of the process region. The cleaning process includes a process for supplying the cleaning gas to the process region and generating plasma of the cleaning gas by using an exciting unit. The second film forming process includes a process for generating plasma of a second film forming gas by using the excitation unit.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以便在利用等离子体辅助的成膜装置的应用范围变宽时防止颗粒污染。 处理容器（4）包括用于接收目标衬底的处理区域。 形成支撑构件以在处理区域的内部支撑目标衬底。 形成加热器（72）以加热处理区域内的目标基板。 激励单元（50）包括在与处理区域连接的空间内的等离子体产生区域。 形成气体供应单元（28,30,32）以将处理气体供应到处理区域中。 形成排气单元以从处理区域排出气体。 一种方法包括在工艺区域的内部的第一靶基板上形成第一膜的工艺，在工艺区域的内部清洁第一靶基板的工序，以及在第一工艺区域形成第二膜的工序 目标衬底在工艺区域的内部。 清洗过程包括通过使用激励单元将清洁气体供应到处理区域并产生清洁气体的等离子体的过程。 第二成膜方法包括通过使用激发单元产生第二成膜气体的等离子体的方法。

公开(公告)号：KR1020060097672A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060022476

申请日：2006-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  김채호 ,  이병훈 ,  주파오화

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블

Abstract translation: 本发明的用于半导体加工的成膜设备包括用于将处理气体供应到处理区域中的处理气体供应系统。 工艺气体供应系统包括：气体混合罐，用于混合第一和第三处理气体以形成混合气体;混合气体供应管线，用于将混合气体从混合气罐供应到处理区域; 第二处理气体供应系统，具有用于向处理区域供应第二处理气体的第二处理气体供应管路，以及分别设置在混合气体供应管路和第二处理气体供应管路中的第一开关阀和第二开关阀 的。 控制单元控制第一打开阀和第二打开阀的打开和关闭，以便以脉冲方式交替地将混合气体和第二处理气体供给到处理区域。

公开(公告)号：KR1020060053275A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050096766

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  엔도오아쯔시 ,  니시무라도시하루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리 장치 내에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공한다. 열처리 장치(1)의 제어부(100)는 반응관(2) 내를 400 ℃ 내지 700 ℃로 가열하는 동시에, 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다.
열처리 장치, 반응관, 배기구, 진공 펌프, 덮개

公开(公告)号：KR1020060048995A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050070118

申请日：2005-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L28/84

Abstract: 본 발명의 과제는 에칭 처리를 조합함으로써, 결정질의 반구 형상의 입자 사이즈를 작게 제어하는 것이 가능한 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 성막 가스에 의해 상기 피처리체의 표면에 결정 핵을 형성하고 상기 결정 핵을 성장시킴으로써 결정질의 반구 형상의 입자가 표면에 형성된 HSG 박막을 형성하는 HSG 박막 형성 공정과, 상기 HSG 박막의 표면을 산화함으로써 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정과, 상기 산화막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 공정을 갖는다. 이와 같이, 에칭 처리를 조합함으로써 HSG 실리콘 결정질의 입자에 있어서의 결정질의 반구 형상의 입자의 사이즈를 작게 제어한다.
성막 장치, HSG 박막, 산화막, 반도체 웨이퍼, 제어 수단

公开(公告)号：KR100560867B1

公开(公告)日：2006-03-13

申请号：KR1020010023353

申请日：2001-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토쇼이치 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/316

Abstract: 수산기 활성종 및 산소 활성종을 생성하는 처리용기내에서 진공분위기로 소정의 온도로 가열된 피처리체의 표면을 산화하는 산화방법이다. 수산기 활성종 및 산소 활성종은 처리용기내의 피처리체의 표면을 산화한다. 산화막의 막내 두께 균일성 및 품질이 개선되며, 산화율이 비교적 높은 수준으로 유지된다.

公开(公告)号：KR1020050028321A

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。

公开(公告)号：KR1020050021340A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067672

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C8/16 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: PURPOSE: An oxidation method is provided to form an extremely thin oxide layer without using a catalyzer in a condition of good controllability of a layer thickness by confining a process condition. CONSTITUTION: Hydrogen gas and oxygen gas are introduced to the inside of a process receptacle capable of being vacuum so as to be burned so that vapor is generated. The surface of an object to be processed is oxidized by the vapor. The process pressure in the process receptacle is set to be not lower than 2000 pascal(15 torr).

Abstract translation: 目的：通过限制工艺条件，在层厚度可控性好的条件下，提供氧化方法以形成极薄的氧化层，而不需要使用催化剂。 构成：将氢气和氧气引入能够真空的处理容器的内部，以便被燃烧，从而产生蒸气。 待处理物体的表面被蒸汽氧化。 处理容器中的过程压力设定为不低于2000帕斯卡（15托）。

公开(公告)号：KR1020030092093A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020037013793

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  야마모토히로유키 ,  우메하라다카히토 ,  가와카미마사토

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C30B35/00

Abstract: 본 발명의 기상성장장치는, 내부에 기판이 배치되는 반응용기와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 1 가스도입관을 가지며, 유기금속함유가스로 이루어진 제 1 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 1 가스도입부와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 2 가스도입관을 가지며, 상기 유기금속함유가스와 반응하는 동시에 상기 유기금속함유가스보다도 밀도가 작은 제 2 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 2 가스도입부를 구비하고 있다. 제 1 가스도입관의 가스분출구와 제 2 가스도입관의 가스분출구는, 상기 반응용기내에 배치되는 기판의 바깥둘레를 따라 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020010092714A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: PURPOSE: An MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method of tantalum oxide film is provided to allow a thin tantalum oxide film to be formed with high controllability in the film thickness, and to have excellent electric properties. CONSTITUTION: First(P2-P3), water vapor used as an oxidizing agent is supplied into a process container to cause moisture to be adsorbed on a surface of each semiconductor wafer(W). Then(P4-P5), PET gas used as a raw material gas is supplied into the process container and is caused to react with the moisture on the wafer at a process temperature of 200 DEG C, thereby forming an interface layer of tantalum oxide. Then(P6-P7), PET gas and oxygen gas are supplied into the process container at the same time, and are caused to react with each other at a process temperature of 410 DEG C, thereby forming a main layer of tantalum oxide on the interface layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化钽膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法，可以形成具有高的膜厚可控性的薄氧化钽膜，并且具有优异的电性能。 构成：首先（P2-P3）将作为氧化剂使用的水蒸汽供给到处理容器中，使得水分吸附在各半导体晶片（W）的表面上。 然后，将（P4-P5）作为原料气体使用的PET气体在200℃的加工温度下供给到处理容器中，与晶片上的水分反应，形成氧化钽的界面层。 然后，将（P6-P7），PET气体和氧气同时供给到处理容器中，在410℃的处理温度下进行反应，形成氧化钽主层 界面层

公开(公告)号：KR1019980024359A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970045908

申请日：1997-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  가네코노리히토 ,  아메미야마사아키 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/66

Abstract: 피검사체를 도입하는 도입스테이지에 피검사체가 재치된다. 이 피검사체는 검사대상에 이재되고, 피검사체에 측정광을 조사해서 피검사체의 표면에 형성되어 있는 박막의 두께가 측정된다. 피검사체의 도입스테이지와 상기 검사대의 사이에 덮개부재가 설치되고, 이 덮개부재에 의해 피검사체(W)의 반송공간과 검사대를 내장한 측정공간이 형성된다. 덮개부재에 의해 애워싼 반송공간과 측정공간에 불순물이 극히 적은 순수가스가 순수가스도입부로부터 도입된다.