公开(公告)号：CN102800602A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210167092.3

申请日：2012-05-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 关原真彦 ,  古川正树

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/495 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4383 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/8503 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。更具体而言，提供了如下一种技术，该技术在使用易于氧化的传导接线形成初始焊球和将初始焊球按压在焊盘上以形成经按压键合的焊球中，抑制初始焊球具有形状缺陷，从而减少对焊盘的损伤。为了实现该目的，焊球形成单元装配有用于排出抗氧化剂气体的气体出口部分，并且在与引入抗氧化剂气体进入焊球形成部分的方向不同的方向上放置通过该气体出口部分的排出路径。这种结构加宽了用于排出抗氧化剂气体的区域，从而使得可以防止从焊球形成部分的一侧表面的侧部供应的气流被与该一侧表面相对的另一侧表面反射，并且因而可以防止形成湍流。

公开(公告)号：CN102214641B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010291032.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 丁一权 ,  陈家庆

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 具有堆栈功能的晶圆级半导体封装件及相关堆栈封装组装件及方法于此叙述。在一实施例中，一半导体封装件包含一组连接组件，其设置邻接于一组堆栈的半导体组件。至少有一连接组件为焊线接合于一堆栈于上方的半导体组件的一主动表面。

公开(公告)号：CN101378051B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810212644.1

申请日：2008-08-27

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 西村隆雄

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：支撑基底，上面放置电极端子；中间部件，安装在所述支撑基底上；半导体元件，所述半导体元件的一部分由所述中间部件支撑，并放置在所述支撑基底上；以及凸起形部件，与所述半导体元件的电极端子相对应，并放置在所述支撑基底上或者放置在所述中间部件上；其中，所述半导体元件的电极端子与所述支撑基底的电极端子通过接合导线相连接。利用本发明，在采用导线接合工艺的情况下，抑制了半导体元件的弯曲，能够防止对半导体元件的损坏。

公开(公告)号：CN101821852B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880110769.1

申请日：2008-07-29

Applicant: 先进模拟科技公司

Inventor： 理查德·K·威廉斯

IPC: H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H01L29/80

CPC classification number: G01R19/0092 ,  G01R1/203 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/25 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H02M2001/0009 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/18 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 共源共栅电流传感器包括主MOSFET和感测MOSFET。主MOSFET的漏极端连接到电流被监测的功率器件，并且主MOSFET的源极和栅极端分别地连接到感测MOSFET的源极和栅极端上。在一个使用可变电流源和负反馈的实施例中，主MOSFET和感测MOSFET的漏极电压是相等的。主MOSFET的栅极宽度通常大于感测MOSFET的栅极宽度。使用栅极宽度的尺寸比，通过感应感测MOSFET中的电流大小来测量主MOSFET中的电流。将相对大的MOSFET插入到电源电路中减少了功率损耗。

公开(公告)号：CN102347304A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110213632.2

申请日：2011-07-28

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 洛尔夫·安科约科伯·格罗恩休斯 ,  马库斯·比约恩·埃里克·诺仁 ,  王飞莹 ,  萧喜铭

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83913 ,  H01L2224/85913 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 根据示例实施例，公开了一种用于半导体器件的可表面安装的无引线芯片载体。所述器件包括第一触点；相对于第一触点的第二触点，所述第二触点中具有裂口，用于提供相对于彼此设置的第二触点的第一和第二部分，以减轻焊接情况时的倾斜，所述焊接情况包括将晶片载体的附着到印制电路板(PCB)上。

公开(公告)号：CN102339802A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110317683.X

申请日：2009-07-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川岛庆一 ,  细见刚 ,  平山敏和

IPC: H01L23/482

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。

公开(公告)号：CN102214641A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010291032.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 丁一权 ,  陈家庆

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 具有堆栈功能的晶圆级半导体封装件及相关堆栈封装组装件及方法于此叙述。在一实施例中，一半导体封装件包含一组连接组件，其设置邻接于一组堆栈的半导体组件。至少有一连接组件为焊线接合于一堆栈于上方的半导体组件的一主动表面。

公开(公告)号：CN101802993B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880108251.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49426 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/859 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中，包括第一层挤压部(100)，第一引线(25)，以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上，形成球颈，压碎该球颈，引线折返在该压碎球颈上，使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环，与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样，一边减少给与半导体芯片的损伤，一边以少的接合次数进行引线连接。

公开(公告)号：CN1826671B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200480021013.1

申请日：2004-07-13

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 伊格尔·I·布莱达诺夫

IPC: H01L23/66 ,  H01F17/00

CPC classification number: H03H7/383 ,  H01F17/0033 ,  H01F17/02 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/02 ,  H01L2924/20653 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种阻抗变换电路(10；11a；11b；12)，其具有在衬底(20)上形成的分隔开的第一接触盘(51)和第二接触盘(52)。该阻抗变换电路(10；11a；11b；12)包括至少一个第一电路元件(40)，用于提供在衬底(20)上形成的接触区域(41)，并且在第一接触盘(51)和第二接触盘(52)之间与这两个接触盘相邻布置。第一线元件(31)在衬底(20)上延伸，用于连接第一接触盘(51)和第一电路元件(40)的接触区域的第一端部分(41a)，至少一个第二线元件(32)在衬底(20)上延伸，用于连接第二接触盘(52)和第一电路元件(40)的接触区域的第二端部分(41b)。第一电路元件(40)的接触区域的形状用于提供在接触区域和固定参考电位之间具有预设电容值的电容连接。整个电路的组装密度可以通过使第一线元件(31)和至少第二线元件(32)具有相同形状并且将它们相互基本平行排列来有利地提高，还可以通过使第一接触盘(51)和第二接触盘(52)位于至少第一电路元件(40)的接触区域的相对两侧来有利地提高。本发明的多个阻抗变换电路可以有利地组合成一个多耦合线阻抗变换电路(12)。

公开(公告)号：CN101925990A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125308.1

申请日：2008-10-09

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 雷克斯·沃伦·皮尔克莱 ,  戴维·约瑟夫·邦 ,  肖恩·迈克尔·马洛莱普西

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78822 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示用于通过使用双毛细管接合头(102、104)附接两个单独线而在集成电路组合件中形成接合线的设备及方法。所述单独线优选地是不同的，例如具有不同线规及/或材料组成。根据本发明的优选实施例，双毛细管接合头设备包含具有一对毛细管的可旋转超声波喇叭体，其用于可选择地分配接合线的单独股线且用于在接合目标(130)上形成接合。根据本发明的另一方面，提供一种用于进行双毛细管IC线接合的方法，其包含用于使用两个双毛细管接合头以用于同时地将不同的接合线附接到一个或一个以上IC封装组合件上的选定接合目标的步骤。