公开(公告)号：KR20200135877A

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：KR20207031464

申请日：2019-04-11

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： HU XUERANG ,  LIU XUEDONG ,  CHEN ZHONGWEI ,  REN WEIMING

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/14 ,  H01J37/147 ,  H01J37/153

Abstract: 하전입자빔 장치의개선된소스전환유닛이개시된다. 소스전환유닛은복수의마이크로-구조체들을포함하는제 1 마이크로-구조체어레이를포함한다. 복수의마이크로-구조체들은 1 이상의그룹으로그룹화된다. 하나의그룹내의마이크로-구조체들의대응하는전극들은드라이버에의해전기적으로연결되고구동되어빔릿들의대응하는그룹에영향을미친다. 하나의그룹내의마이크로-구조체들은단극구조체들또는다극구조체들일수 있다. 하나의그룹내의마이크로-구조체들은상기장치의광학축선으로부터동일하거나실질적으로동일한반경방향시프트들을갖는다. 하나의그룹내의마이크로-구조체들은그 반경방향시프트방향들에대해동일하거나실질적으로동일한방위각도들을갖는다.

公开(公告)号：KR20200126021A

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：KR20207031099

申请日：2008-12-09

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： DEN BOEF ARIE JEFFREY

IPC: G03F7/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/027

Abstract: 기판(100) 상의제 1 격자(110)와제 2 격자(120) 간의오버레이오차를결정하는방법이제공되며, 상기제 2 격자(120)는상기제 1 격자(110)의최상부상에있고, 상기제 2 격자(120)는상기제 1 격자(110)와실질적으로동일한피치(P1)를가지고, 상기제 2 격자및 상기제 1 격자는복합격자(110, 120)를형성하며, 상기방법은, 상기복합격자(110, 120)를상기기판의표면을따르는제 1 수평방향(D1)을따라소정의입사각(β)으로조명하는제 1 조명빔(IB)을제공하는단계; 상기복합격자(110, 120)로부터고차회절빔의제 1 세기(i+)를측정하는단계; 상기복합격자(110, 120)를상기기판의표면을따르는제 2 수평방향(D2)을따라소정의입사각(-β)으로조명하는제 2 조명빔을제공하는단계 - 제 2 수평방향(D2)은제 1 수평방향(D1)과대향됨 -; 및상기복합격자(110, 120)로부터고차회절빔의제 2 세기(i-)를측정하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR20200125701A

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：KR20207028380

申请日：2019-03-14

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： WANG YONGXIN ,  DONG ZHONGHUA ,  LAI RUI LING

IPC: H01J37/244 ,  H01L27/146

Abstract: 검출기들및 검출시스템들이개시된다. 기판이제 1 복수의감지요소들및 제 2 복수의감지요소들을포함하는복수의감지요소들(311 내지 313)을포함하고, 복수의섹션들(321 내지 324)이제 1 복수의감지요소들을출력에연결하고제 2 복수의감지요소들을출력에연결하도록구성된다. 스위칭구역들이감지요소들사이에제공될수 있고, 이는 2 이상의감지요소들을연결하도록구성된다. 스위칭구역은사전설정된양의에너지및/또는빔 세기로전자들을수용하는감지요소들에응답하여발생되는신호들에기초하여제어될수 있다.

公开(公告)号：KR20180072768A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR20187014221

申请日：2016-09-27

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： TEN BERGE PETER ,  MULKENS JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS ,  KASTRUP BERNARDO ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS

IPC: G03F1/72 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/72

Abstract: 패터닝시스템에서의패터닝디바이스에관한측정및/또는시뮬레이션결과에기초하여제 1 기판의영역이핫 스폿(710)을포함함을식별하는단계, 핫스폿에서의제 1 오차정보(720)를결정하는단계, 및컴퓨터시스템에의하여, 수정된패터닝디바이스를얻기위해제 1 오차정보에기초하여패터닝디바이스를수정하는제 1 수정정보(상기정보는 740에서패터닝디바이스와함께패터닝수정툴로전달됨)를생성하는단계(730)를포함하는방법이개시된다.

公开(公告)号：KR20180043354A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR20187008534

申请日：2016-08-22

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： MATHIJSSEN SIMON GIJSBERT JOSEPHUS ,  DEN BOEF ARIE JEFFREY ,  PANDEY NITESH ,  TINNEMANS PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS ,  WITTE STEFAN MICHIEL ,  EIKEMA KJELD SIJBRAND EDUARD

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7088 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7092

Abstract: 리소그래피장치는기판을홀딩하도록구성되는기판테이블; 및기판테이블에의해홀딩되는기판상에제공된정렬마크의위치를감지하도록구성되는센서를포함한다. 센서는정렬마크를방사선빔으로조명하도록구성되는방사선소스, 정렬마크와상호작용한바 있는방사선빔을아웃포커스광학패턴으로서검출하도록구성되는검출기, 및데이터처리시스템을포함한다. 데이터처리시스템은, 아웃포커스광학패턴을나타내는이미지데이터를수신하고, 무렌즈이미징알고리즘을아웃포커스광학패턴에적용하는것을포함하여, 정렬정보를결정하기위하여이미지데이터를처리하도록구성된다.

公开(公告)号：KR20180017188A

公开(公告)日：2018-02-20

申请号：KR20187001374

申请日：2016-06-10

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： DEN BOEF ARIE JEFFREY ,  DAVIS TIMOTHY DUGAN ,  ENGBLOM PETER DAVID ,  BHATTACHARYYA KAUSTUVE

IPC: G03F7/20 ,  G01B11/27 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7069 ,  G01B11/272 ,  G03F7/70633

Abstract: 복수개의기판측정레시피중 하나의기판측정레시피와상기복수개의기판측정레시피중 나머지기판측정레시피들각각사이의레시피일치도를결정하는단계; 상기레시피일치도의함수를계산하는단계; 상기함수가기준을만족시키면상기복수개의기판측정레시피중에서상기하나의기판측정레시피를제거하는단계; 및종결조건이만족될때까지상기결정하는단계, 계산하는단계및 제거하는단계를반복하는단계를포함하는, 방법이개시된다. 또한, 복수개의기판측정레시피를저장하도록구성되는저장소, 및복수개의기판측정레시피사이의레시피일치도에기초하여복수개의기판측정레시피중에서하나이상의기판측정레시피를선택하도록구성되는프로세서를포함하는, 기판측정장치가개시된다.

Abstract translation: 确定多个基板测量配方的基板测量配方与多个基板测量配方中的每个剩余基板测量配方之间的配方匹配程度; 计算食谱匹配度的函数; 如果功能满足标准，则从多个基板测量配方中移除一个基板测量配方; 并重复确定，计算和删除，直到满足终止条件。 以及处理器，其被配置为基于所述多个基板测量配方之间的配方一致性来从多个基板测量配方中选择一个或多个基板测量配方，其中所述处理器被配置为存储多个基板测量配方， 该装置启动。

公开(公告)号：KR20100130577A

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR20100110912

申请日：2010-11-09

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： LIEBREGTS PAULUS MARTINUS MARIA ,  FIEN MENNO ,  LOOPSTRA ERIK ROELOF ,  VAN DER HAM RONALD ,  SIMONS WILHELMUS FRANCISCUS JOHANNES ,  DIRECKS DANIEEL JOZEF MARIA ,  JANSSEN FRANCISCUS JOHANNES JOSEPH ,  BRANDS GERT JAN GERARDUS JOHANNES THOMAS ,  STEFFENS KOEN

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70958 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70975 ,  G03F7/70983 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70916

Abstract: PURPOSE: A lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto is provided top protect a negative effect from an UV radiation and an immersion fluid by supporting the coating on at least part of lithography apparatus. CONSTITUTION: A lighting system(IL) conditions radiation beam. A patterning device supporter(MT) supports a patterning device(MA). A substrate supporter supports the substrate. A projection system(PS) projects the patterned radiation beam on the target on the substrate. The adhesive film supports the coating on at least part of a lithography apparatus.

Abstract translation: 目的：提供具有附着有涂膜的部件的光刻设备，其通过将涂层支撑在至少一部分光刻设备上而保护由UV辐射和浸没流体产生的负面影响。 构成：照明系统（IL）规定辐射束。 图案形成装置支撑体（MT）支撑图案形成装置（MA）。 基板支撑件支撑基板。 投影系统（PS）将图案化的辐射束投射到基板上的靶上。 粘合膜在至少部分光刻设备上支撑涂层。

公开(公告)号：KR20100129212A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR20100049965

申请日：2010-05-28

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  ASML HOLDING NV

Inventor： DOYTCHEVA MAYA ANGELOVA ,  DUSA MIRCEA ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS ,  SEWELL HARRY ,  VAN DER HEIJDEN ROBERTUS WILHELMUS

IPC: H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for providing resist aligning marks in a dual patterning lithography process are provided to reinforce the symmetric property of the aligning marks by regulating the thickness of resist layers. CONSTITUTION: A substrate is coated with a first resist layer(1010). A first resist layer is developed to form a first lithography pattern with a first aligning mark(1020). A first lithography pattern is frozen(1030). The frozen first lithography pattern is coated with a second resist layer(1040). The second resist layer is hardened to form a second aligning mark(1050). The second aligning mark is used for perform a successive lithography process(1060).

Abstract translation: 目的：提供一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的装置和方法，以通过调节抗蚀剂层的厚度来增强对准标记的对称性质。 构成：衬底涂有第一抗蚀剂层（1010）。 显影第一抗蚀剂层以形成具有第一对准标记（1020）的第一光刻图案。 第一个光刻图案被冻结（1030）。 冷冻的第一光刻图案涂覆有第二抗蚀剂层（1040）。 第二抗蚀剂层被硬化以形成第二对准标记（1050）。 第二对准标记用于执行连续的光刻工艺（1060）。

公开(公告)号：KR20100103425A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR20100022399

申请日：2010-03-12

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： STAVENGA MARCO KOERT ,  SHULEPOV SERGEI ,  STEFFENS KOEN ,  VAN LIEROP MATHEUS ANNA KAREL ,  DAVID SAMUEL BERTRAND DOMINIQUE ,  BESSEMS DAVID

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: G03F7/70716 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70866 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68735 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/682

Abstract: PURPOSE: A substrate table, an immersion lithography apparatus, and a method for manufacturing a device are provided to reduce the generation of defects on images by minimizing bubbles in the immersion lithography apparatus. CONSTITUTION: A pre-set size substrate(W) is contained in a recess(20). The recess includes a supporting region supporting the lower surface of the substrate and an edge. The edge is adjacently arranged to the edge of the substrate. A fluid draining system drains fluid from a gap(26) between the edges of the substrate and the recess. The fluid draining system includes a first duct(32) and a second duct(42) which are open toward the inside gap.

Abstract translation: 目的：提供一种衬底台，浸没式光刻设备及其制造方法，用于通过使浸没式光刻设备中的气泡最小化来减少图像缺陷的产生。 构成：预定尺寸的基板（W）容纳在凹部（20）中。 所述凹部包括支撑所述基板的下表面的支撑区域和边缘。 边缘相邻地布置到基板的边缘。 流体排放系统从衬底的边缘和凹部之间的间隙（26）排出流体。 流体排放系统包括朝向内部间隙开放的第一管道（32）和第二管道（42）。

公开(公告)号：KR20100089792A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR20100010162

申请日：2010-02-03

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： WUISTER SANDER FREDERIK ,  DIJKSMAN JOHAN FREDERIK ,  KRUIJT STEGEMAN YVONNE WENDELA ,  LAMMERS JEROEN HERMAN ,  VAN DER TEMPEL LEENDERT

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B29C59/022

Abstract: PURPOSE: An imprint lithography method and an apparatus thereof are provided to prevent a defect formed on an imprint medium by adding surfactant to an imprint template. CONSTITUTION: A planarization layer and a transfer layer are formed on a substrate. An UV- hardened resin(10) is formed on the planarization layer and the transfer layer. A quartz template(12) is formed on the UV- hardened resin. The UV- hardened resin is hardened by UV radiation(14). The quartz template and the UV- hardened resin are separated from each other.

Abstract translation: 目的：提供压印光刻方法及其装置，以通过将表面活性剂添加到压印模板来防止在压印介质上形成的缺陷。 构成：在基板上形成平坦化层和转印层。 在平坦化层和转印层上形成UV-硬化树脂（10）。 在UV硬化树脂上形成石英模板（12）。 紫外线硬化树脂通过紫外线辐射（14）硬化。 石英模板和UV硬化树脂彼此分离。